SiO2溶胶在电沉积法制备CuInS2薄膜中的作用

 针对目前电沉积法制备的CuInS2(CIS)薄膜存在S元素含量不足以及微观形貌差的问题,通过在普通镀液中加入SiO2溶胶,采用一步电沉积技术在ITO导电玻璃上制备Cu In S预制薄膜,镀液的主要组成为金属盐、硫代硫酸钠和不同浓度SiO2溶胶。在空气气氛中对Cu In S预制薄膜进行退火处理以获得多晶的CIS薄膜,并通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、能量色散谱仪（EDS）及开路电位对CIS薄膜的结构、形貌、成分组成及光响应性能进行研究。结果表明：SiO2溶胶浓度为4 mL/L时,得到的CIS薄膜的结晶度提高,同时,SiO2溶胶作用下得到的CIS薄膜的表面形貌、成分组成和光响应性能都得到改善。因此,镀液中加入SiO2溶胶有利于提高CIS薄膜的性能,尤其是浓度为4 mL/L时,性能提高得最为明显。     

SiO2溶胶作用下电沉积锌电极性能研究

 在碱性镀锌液中加入SiO₂溶胶,采用电沉积技术制备电沉积式锌电极,考察镀液中加入SiO₂溶胶对锌电极的电沉积速度、微观形貌及电化学性能的影响规律。研究结果表明：随着镀液中SiO₂溶胶浓度（0～200 mL/L）的增加,锌的电沉积速度逐渐下降;溶胶作用下得到的锌电极的微观表面较平整致密,没有出现较大孔洞,且耐腐蚀性和循环可逆性得到改善;尤其是溶胶浓度为150 mL/L时,锌电极具有最小的腐蚀电流密度,且阴、阳极峰值电位差较小,锌电极的电化学性能最好。     

Cr3+镀液的双向脉冲电沉积特性

采用双向脉冲电沉积法从Cr3+镀液中电沉积出铬镀层,并利用扫描电子显微镜(SEM)研究脉冲参数对铬镀层的微观形貌影响的规律,分析脉冲波形参数与Cr3+镀液阴极电流效率之间的相关性,就双向脉冲电沉积与直流电沉积过程中所得铬镀层的微观形貌、Cr3+镀液的阴极电流效率进行分析、比较.结果表明:平均电流密度、逆向脉冲系数、脉冲频率、以及占空比均对铬镀层的微观形貌及电流效率有较大影响;采用双向脉冲电沉积法制备出的铬镀层具有表面平整、结晶细致、粗糙度良好的特点,且具有较高的阴极电流效率.     

薄膜生长工艺对TiO_2基紫外探测器光电性能的影响

分别采用磁控溅射和溶胶-凝胶工艺制备了相同厚度的TiO2薄膜,并用以制备了金属-半导体-金属(MSM)结构TiO2基紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜(SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了TiO2薄膜生长工艺对探测器光电性能的影响规律。结果表明:磁控溅射工艺下,探测器的光电流虽然较低,但响应时间和暗电流远小于溶胶-凝胶工艺制备的探测器,其具备了高辐射灵敏度和快速响应特性。磁控溅射工艺制备的TiO2薄膜结构较为致密,晶界和缺陷较少,方阻较高,这是其取得优良的光电特性的原因。     

乙酸钴的掺杂对LY12铝合金表面溶胶凝胶膜层耐蚀性的影响

在LY12铝合金表面制备了防护性溶胶凝胶膜层,并研究了乙酸钴的掺杂对膜层耐蚀性能的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)和电子能谱(EDS)分别观测溶胶凝胶膜层的微观结构和成分.采用电化学方法研究了乙酸钴浓度对溶胶膜层在浸泡实验中耐蚀性的影响;通过观察人为缺陷处在0.05 mol/L NaCl腐蚀溶液中形貌、成分的变化,对...     

电沉积条件对Ni-Mo合金成分及其形貌的影响

利用SEM研究了电沉积条件,如：电流密度、电镀时间、镀液温度、pH值、空气搅拌、及N2H4·H2SO4浓度等对Ni-Mo合金成分和形貌的影响。利用XRD研究了Ni-Mo合金沉积层的结构。在电流密度为6．75A／dm2,镀液温度为25℃,pH＝8．3,电镀时间为10min,空气搅拌的情况下,Ni-Mo合金沉积层中Mo的含量高达68wt％。XRD结果表明其沉积层为非晶结构．     

TiO2-SiO2复合薄膜亲水性能研究

采用溶胶一凝胶法,钛酸丁酯和正硅酸乙酯为前驱体,在玻璃载体上制备了具有光致亲水性能的复合型TiO2-S iO2薄膜。研究了试剂配比、试剂加入方式、凝胶时间、镀膜速度、焙烧升温速度等对薄膜性能的影响。通过对试剂配比和工艺参数的优化,提高了复合薄膜的亲水性能。     

电沉积太阳电池用Cu(In,Ga)Se2薄膜

在Mo基底上,采用恒电位法从含有CuCl2、InCl3、GaCl3、H2SeO3、柠檬酸的水溶液中电沉积制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,用HCl调节pH值为2.5,并对沉积薄膜400℃左右Ar气氛中退火20min。对退火前后的膜进行X射线衍射,扫描电镜和能谱分析仪分析,结果表明,电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为黄铜矿结构,退火后,共沉积薄膜的结晶度提高,晶粒尺寸增加,Se含量减少。     

离子束辅助沉积WS_2-Ti-Ag复合薄膜的摩擦性能

采用ZDH-100型号离子束复合沉积设备沉积WS_2-Ti-Ag复合薄膜,基材为轴承钢和单晶硅(100).采用场发射扫描电子显微镜、XRD衍射仪,检测复合薄膜的表面形貌、微观结构.采用球-盘式摩擦磨损试验机,对复合薄膜在大气环境中的摩擦性能进行了研究.结果表明:采用离子束辅助沉积技术制备的WS_2-Ti-Ag复合薄膜是非晶态薄膜;并且随法向载荷的增加,复合薄膜的摩擦因数减小,摩擦状态越稳定,耐磨寿命越短.     

工艺条件的改变对用大气开放式MOCVD方法制备TiO2薄膜的影响

采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,改变反应物气化温度、沉积温度、基片与喷嘴的距离、载气流速4种工艺条件在玻璃基片上制备TiO2薄膜.实验结果表明沉积温度主要影响薄膜的物相结构,当沉积温度在300 ℃时沉积物是无定形的;沉积温度为350℃和400℃时,薄膜由单一的锐钛矿相构成;沉积温度在450℃时出现了少量金红石;继续升高沉积温度金红石的量逐渐增加.气化温度、基片与喷嘴的距离、载气流速这3个工艺条件主要影响薄膜的形貌和沉积难易程度.基片类型对薄膜沉积没有影响.     

纳米SiO_2复合处理对7A52铝合金微弧氧化陶瓷层孔隙率及性能的影响

通过向电解液中添加纳米二氧化硅颗粒（n—SiO2）,经微弧氧化,在7A52铝合金表面制备n—SiO2复合陶瓷层,研究n—SiO2复合处理对陶瓷层孔隙率及性能的影响。结果表明,经n-SiO2复合处理后,陶瓷层孔隙尺寸减小,孔隙率降低,致密性提高,因而陶瓷层显微硬度和抗盐雾腐蚀性能显著提高。n—SiO2在放电通道处沉积是陶瓷层致密性提高的主要原因。     

多弧离子镀Cr/Cr2O3薄膜红外及可见光谱特性

采用多弧离子镀制备了具有不同色彩的Cr/Cr2O3薄膜,利用紫外-可见光分光光度计研究了薄膜在可见和红外波段的光谱特性,利用SEM进行薄膜表面结构和形貌的分析,利用四探针测阻仪测试了样品的方块电阻,利用红外发射率测量仪测试了样品的红外发射率。结果表明:Cr/Cr2O3薄膜具有丰富的色彩,在可见光区有明显的反射峰,可见光区光谱特性主要受膜厚的影响,方块电阻随膜厚增加而有变大,样品的红外发射率主要取决于金属层,平均红外发射率最小降至0.371。     

SiO_2-C复合气凝胶的制备及其结构

以间苯二酚(R)和甲醛(F)为碳源,以3-胺丙基三乙氧基硅烷(APTES)为硅源,一步溶胶一凝胶法简单快捷地合成了SiO_2-RF复合气凝胶,高温碳化后得到SiO_2-C复合气凝胶,并用扫描电镜、比表面分析仪对所得样品的结构进行了研究,并讨论了不同投料比对气凝胶结构的影响.结果表明碳化前,投料比APTES/R=1时,所得气凝胶具有最大的比表面积(S_(BET)=606.1 m~2/g),碳化后,由于体积收缩和酚醛热解产生新孔隙双重因素的影响,投料比AFTES/R=1/2时样品的比表面积达到最大(S_(BET)=704.2 m~2/g).     

具有纳米结构的 VO₂ 相变薄膜

 采用无机溶胶-凝胶法制备VO₂相变薄膜，该薄膜相变时的电阻（率）突变可达4～5个数量级。并用XRD,DSC和TGA法研究了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构。通过适当的非晶晶化过程及随后V₂O₅→VO₂转变的真空热处理，可获得带有空洞（void）结构的低密度纳米薄膜，从而使电阻（率）突变特性异常优异。     

纳米SiO2填充杂萘联苯聚醚酮复合材料的性能研究

采用悬浮液共混法制备了纳米SiO2填充新型含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮(PPEK)复合材料,并对其力学性能、摩擦性能和热学性能进行了研究。结果表明：当纳米SiO2含量为1％时,复合材料的综合力学性能最佳;纳米SiO2的加入,使得复合材料的摩擦性能比纯树脂有了明显提高,当纳米SiO2含量达到7％时,摩擦磨损综合性能最好,且在大载荷下纳米SiO2更能有效改善复合材料的摩擦磨损性能。DSC测试表明,7％纳米SiO2填充PPEK的玻璃化转变温度与纯PPEK相当。     

纳米薄膜脉冲激光沉积技术

简要介绍了脉丫激光薄膜沉积（PLD）技术的物理原理、独具的特点，介绍了在PLD基础上结合分子束外延（MBE）特点发展起来的激光分子束外延（L－MBE），以及采用L－MBE技术制备硅基纳米PtSi薄膜的结果。     

酒石酸钠体系中TC18钛合金阳极氧化膜的制备、表征与疲劳性能

在以酒石酸钠为成膜剂的新型无氟环保电解液体系中对TC18钛合金进行阳极氧化,制备出一种钛合金阳极氧化膜。通过扫描电子显微镜和拉曼光谱仪分析了阳极氧化膜的形貌和相结构。采用电化学方法研究了阳极氧化后TC18钛合金的耐腐蚀性能。采用万能高频疲劳试验机进行高频疲劳试验。结果表明：膜层具有沟壑与鼓包的表面形貌。膜层具有非晶态、锐钛矿型及金红石型TiO₂结构,可能有板钛矿TiO₂结构。阳极氧化后TC18钛合金的耐蚀性有显著的提高。阳极氧化后TC18钛合金的拉伸性能与疲劳性能基本不降低,相比于传统硫酸-磷酸型阳极氧化,拉伸性能和疲劳性能得到了一定的改善。     

IBAD法沉积TiN薄膜的机械和耐腐性

用离子束辅助沉积(IBAD)方法在医用不锈钢317L基底上沉积TiN陶瓷薄膜。通过X射线衍射(XRD)和俄歇电子能谱(AES)分析研究了薄膜的微结构；测试了薄膜的耐磨性及薄膜与基底的附着力：运用电化学腐蚀的方法检测了薄膜在Hank’s模拟体液中的耐腐蚀性能。研究结果表明：用高、低能氮离子束兼用的IBAD方法沉积TiN多晶薄膜后，材料表面结构和性能发生明显改变。表面硬度和耐磨性有明显提高，在Hank’s模拟体液中显示出更强的抗腐蚀能力。