具有纳米结构的 VO_2 相变薄膜

采用无机溶胶－凝胶法制备ＶＯ２相变薄膜，该薄膜相变时的电阻（率）突变可达４～５个数量级。并用ＸＲＤ，ＤＳＣ和ＴＧＡ法研究了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构。通过适当的非晶晶化过程及随后Ｖ２Ｏ５→ＶＯ２转变的真空热处理，可获得带有空洞（ｖｏｉｄ）结构的低密度纳米薄膜，从而使电阻（率）突变特性异常优异     

具有纳米结构的 VO₂ 相变薄膜

 采用无机溶胶-凝胶法制备VO₂相变薄膜，该薄膜相变时的电阻（率）突变可达4～5个数量级。并用XRD,DSC和TGA法研究了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构。通过适当的非晶晶化过程及随后V₂O₅→VO₂转变的真空热处理，可获得带有空洞（void）结构的低密度纳米薄膜，从而使电阻（率）突变特性异常优异。