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具有纳米结构的 VO_2 相变薄膜
引用本文:许念坎,尹大川,张晶宇,郑修麟.具有纳米结构的 VO_2 相变薄膜[J].航空学报,1997(5).
作者姓名:许念坎  尹大川  张晶宇  郑修麟
作者单位:西北工业大学材料科学与工程学院
摘    要:采用无机溶胶-凝胶法制备VO2相变薄膜,该薄膜相变时的电阻(率)突变可达4~5个数量级。并用XRD,DSC和TGA法研究了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构。通过适当的非晶晶化过程及随后V2O5→VO2转变的真空热处理,可获得带有空洞(void)结构的低密度纳米薄膜,从而使电阻(率)突变特性异常优异

关 键 词:VO_2  相变薄膜  纳米结构  无机溶胶-凝胶法

VO 2 THIN FILMS WITH NANOSTRUCTURE
Xu Niankan,Yin Dachuan,Zhang Jingyu,Zheng Xiulin.VO 2 THIN FILMS WITH NANOSTRUCTURE[J].Acta Aeronautica et Astronautica Sinica,1997(5).
Authors:Xu Niankan  Yin Dachuan  Zhang Jingyu  Zheng Xiulin
Abstract:
Keywords:VO  2 thin films  nanostructure  inorganic sol  gel method
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