2024铝合金浸镍层的制备及生长过程

利用磷酸的全面腐蚀特性和氯离子的活化作用，设计了磷酸-氯化镍浸镍反应体系，通过表面电位监测及微观形貌表征对不同磷酸浓度与反应温度下的浸镍过程进行分析。结果表明:磷酸浓度是影响浸镍层表面电位及微观形貌的关键因素，当磷酸浓度为25%，反应温度为30℃时，可制得化学性质稳定、包覆性良好且晶粒尺寸均匀的浸镍层。在此反应体系下，浸镍层在形核后通过球状方式叠层生长，在反应进行600 s后得到厚度约1 μm的浸镍层，其表面电位可达到-0.51 V左右。      

SiO2溶胶作用下电沉积锌电极性能研究

 在碱性镀锌液中加入SiO₂溶胶,采用电沉积技术制备电沉积式锌电极,考察镀液中加入SiO₂溶胶对锌电极的电沉积速度、微观形貌及电化学性能的影响规律。研究结果表明：随着镀液中SiO₂溶胶浓度（0～200 mL/L）的增加,锌的电沉积速度逐渐下降;溶胶作用下得到的锌电极的微观表面较平整致密,没有出现较大孔洞,且耐腐蚀性和循环可逆性得到改善;尤其是溶胶浓度为150 mL/L时,锌电极具有最小的腐蚀电流密度,且阴、阳极峰值电位差较小,锌电极的电化学性能最好。     

SiO2溶胶在电沉积法制备CuInS2薄膜中的作用

 针对目前电沉积法制备的CuInS2(CIS)薄膜存在S元素含量不足以及微观形貌差的问题,通过在普通镀液中加入SiO2溶胶,采用一步电沉积技术在ITO导电玻璃上制备Cu In S预制薄膜,镀液的主要组成为金属盐、硫代硫酸钠和不同浓度SiO2溶胶。在空气气氛中对Cu In S预制薄膜进行退火处理以获得多晶的CIS薄膜,并通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、能量色散谱仪（EDS）及开路电位对CIS薄膜的结构、形貌、成分组成及光响应性能进行研究。结果表明：SiO2溶胶浓度为4 mL/L时,得到的CIS薄膜的结晶度提高,同时,SiO2溶胶作用下得到的CIS薄膜的表面形貌、成分组成和光响应性能都得到改善。因此,镀液中加入SiO2溶胶有利于提高CIS薄膜的性能,尤其是浓度为4 mL/L时,性能提高得最为明显。     

SiO_2溶胶在电沉积法制备CuInS_2薄膜中的作用

针对目前电沉积法制备的CuInS_2(CIS)薄膜存在S元素含量不足以及微观形貌差的问题,通过在普通镀液中加入SiO_2溶胶,采用一步电沉积技术在ITO导电玻璃上制备Cu-In-S预制薄膜,镀液的主要组成为金属盐、硫代硫酸钠和不同浓度SiO_2溶胶.在空气气氛中对Cu-In-S预制薄膜进行退火处理以获得多晶的CIS薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)及开路电位对CIS薄膜的结构、形貌、成分组成及光响应性能进行研究.结果表明:SiO_2溶胶浓度为4 mL/L时,得到的CIS薄膜的结晶度提高,同时,SiO_2溶胶作用下得到的CIS薄膜的表面形貌、成分组成和光响应性能都得到改善.因此,镀液中加入SiO_2溶胶有利于提高CIS薄膜的性能,尤其是浓度为4 mL/L时,性能提高得最为明显.