SiO2溶胶在电沉积法制备CuInS2薄膜中的作用 |
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引用本文: | 朱立群,陈海宁,李卫平.SiO2溶胶在电沉积法制备CuInS2薄膜中的作用[J].航空学报,2009,30(11):2229-2233. |
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作者姓名: | 朱立群 陈海宁 李卫平 |
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作者单位: | 北京航空航天大学 空天材料与服役教育部重点实验室 |
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摘 要: | 针对目前电沉积法制备的CuInS2(CIS)薄膜存在S元素含量不足以及微观形貌差的问题,通过在普通镀液中加入SiO2溶胶,采用一步电沉积技术在ITO导电玻璃上制备Cu In S预制薄膜,镀液的主要组成为金属盐、硫代硫酸钠和不同浓度SiO2溶胶。在空气气氛中对Cu In S预制薄膜进行退火处理以获得多晶的CIS薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)及开路电位对CIS薄膜的结构、形貌、成分组成及光响应性能进行研究。结果表明:SiO2溶胶浓度为4 mL/L时,得到的CIS薄膜的结晶度提高,同时,SiO2溶胶作用下得到的CIS薄膜的表面形貌、成分组成和光响应性能都得到改善。因此,镀液中加入SiO2溶胶有利于提高CIS薄膜的性能,尤其是浓度为4 mL/L时,性能提高得最为明显。
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关 键 词: | 薄膜 CuInS2 SiO2溶胶 电沉积 光响应性能 |
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