| 纳米薄膜脉冲激光沉积技术 |
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| 引用本文： | 李美成%赵连城%杨建平%陈学康%吴敢.纳米薄膜脉冲激光沉积技术[J].宇航材料工艺,2001,31(4):1-4,48. |
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| 作者姓名： | 李美成%赵连城%杨建平%陈学康%吴敢 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,
2. 兰州物理研究所激光分子束外延技术实验室, |
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| 基金项目： | 国防科技预研跨行业综合技术项目:18.9.2 |
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| 摘 要： | 简要介绍了脉丫激光薄膜沉积（PLD）技术的物理原理、独具的特点，介绍了在PLD基础上结合分子束外延（MBE）特点发展起来的激光分子束外延（L－MBE），以及采用L－MBE技术制备硅基纳米PtSi薄膜的结果。
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| 关 键 词： | 脉冲激光薄膜沉积 PLD 激光分子束外延 L－MBE 硅基纳米 PtSi薄膜 薄膜科学 |
Pulsed Laser Deposition of Nanometer Thin Films |
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| Li Meicheng,Zhao Liancheng.Pulsed Laser Deposition of Nanometer Thin Films[J].Aerospace Materials & Technology,2001,31(4):1-4,48. |
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| Authors: | Li Meicheng Zhao Liancheng |
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| Abstract: | Pulsed laser deposition(PLD) is a new technique for the growth of thin films. In this paper, physical principle and unique characteristics of PLD are introduced briefly. In addition, Laser Molecular Beam Epitaxy (L MBE) combining the characteristics of PLD and MBE is presented. Test results of PtSi nanometer thin film based on silicon prepared by L MBE are given. |
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| Keywords: | Pulsed laser deposition Nanometer thin film Laser molecular beam epitaxy (L MBE) Infrared detector |
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