光学薄膜的特性

本文研究介质薄膜的各种特性:折射率和吸收系数、光散射、结构、显微结构、密度、气体吸收、化学成分、均匀度、附着力、硬度和机械应力、环境影响。Ⅰ、前言适当地选择折射率、薄膜厚度和膜层数目,可以设计出各种通常是很复杂的光学薄膜,这种薄膜设计,要在工业上得以实现,是需要足够数量的高质量镀膜材料,经过处理之后,使薄膜有适当的复现特性。尽管在过去几年中材料科学和镀膜技术有显著的进展,但遗憾的是适合的材料数目仍然有限。单层薄膜的主要介质材料的基本光学性质的研究是 Hass     

离子镀工艺和应用简介

离子镀是在真空蒸镀和溅射镀膜基础上发展起来的一项新技术,它的基本原理是:在真空室内,在欲镀材料的加热热源和工件之间形成一个高压电场,并发生辉光放电,低压惰性气体(如氩气)在放电区离化,高速轰击工件     

射频自体辉光放电辅助电子束沉积的放电特性与离子分布研究

为了克服电子束蒸镀技术的不足,提高蒸镀薄膜与基体的膜基结合力,通过增加射频线圈的方法,在电子束蒸镀沉积过程中实现了射频自体辉光放电。研究了放电参数对射频辉光放电反射功率的影响规律,结果表明采用3匝直径82mm的射频线圈条件下,最佳放电距离为100cm。电子束流在160mA以上时,起辉较容易,但是电子束流大于200mA后,蒸镀的膜层容易脱落。通过静电探针分析发现,放电产生的等离子体中离子密度高于1.0×1010atom/cm3,射频功率的增大提高了真空室中各个位置处的离子密度,尤其是线圈中心位置,导致了真空室中离子密度径向位置的不均匀性。当射频功率为170W时,各位置的离子密度急剧增加。     

等离子喷涂隔热涂层

氧化、热腐蚀和热疲劳是航空发动机的燃烧室与涡轮部件失效的主要原因。为了延长部件的使用寿命,通常采用涂层的方法来提高材料的高温性能。涂层用于高温合金已有三十多年的历史,开始主要为扩散型涂层(例如包渗法、真空包渗法、料浆包渗法以及镀铬随后热浸涂所制备的涂层),近年来,随着等离子喷涂、爆炸喷涂及蒸镀薄膜技术的发展,高温涂层的制备方法,已由扩散法向覆盖法转移。使涂层的高温特性不断提高,从而使涡轮的进口温度     

沉积参数对磁控溅射镀金膜膜层残余应力与微观形貌的影响

残余应力直接影响镀膜膜层的稳定性与可靠性。为减小薄膜的残余应力,提高镀膜膜层的可靠性,在不同溅射气压、不同镀膜温度条件下,在熔融石英基底上进行了直流磁控溅射镀金膜试验。通过基片曲率法得到薄膜的残余应力,采用激光平面干涉仪对基片的形变进行测试,对不同工艺参数下膜层的残余应力进行分析,并采用扫描电镜对膜层的表面形貌进行测试。通过试验可知,磁控溅射镀膜膜层的残余应力随镀膜温度的升高而升高,在一定工作气压范围内（0.2Pa~0.6Pa)随溅射气压的增加而降低。电镜测试结果表明,常温镀膜晶粒的尺寸约为30nm,180℃镀膜晶粒的尺寸增长至近100nm。镀膜温度越高,薄膜的微观结构越致密。     

TiO_2薄膜的制备及其光催化性能的研究

采用溶胶-凝胶法制备了TiO2薄膜,以10mg/L甲基橙为目标降解物,研究了焙烧温度、镀膜层数、紫外线光照时间对TiO2薄膜光催化性能的影响.实验结果表明,焙烧温度为500℃,镀膜层数为三层所制得TiO2薄膜光催化活性最好,并且具有稳定、持续的降解效果.     

SiO2溶胶在电沉积法制备CuInS2薄膜中的作用

 针对目前电沉积法制备的CuInS2(CIS)薄膜存在S元素含量不足以及微观形貌差的问题,通过在普通镀液中加入SiO2溶胶,采用一步电沉积技术在ITO导电玻璃上制备Cu In S预制薄膜,镀液的主要组成为金属盐、硫代硫酸钠和不同浓度SiO2溶胶。在空气气氛中对Cu In S预制薄膜进行退火处理以获得多晶的CIS薄膜,并通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、能量色散谱仪（EDS）及开路电位对CIS薄膜的结构、形貌、成分组成及光响应性能进行研究。结果表明：SiO2溶胶浓度为4 mL/L时,得到的CIS薄膜的结晶度提高,同时,SiO2溶胶作用下得到的CIS薄膜的表面形貌、成分组成和光响应性能都得到改善。因此,镀液中加入SiO2溶胶有利于提高CIS薄膜的性能,尤其是浓度为4 mL/L时,性能提高得最为明显。     

溅射工艺对有机基底氧化钛薄膜应力的影响

采用常温下靶面进气的直流反应磁控溅射方法在柔性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基片上制备氧化钛薄膜,通过正交试验设计沉积工艺条件(溅射功率、Ar:O2、溅射气压和镀膜时间),分析各因素对薄膜应力水平的影响.研究表明,在试验范围内,溅射功率和镀膜时间对薄膜应力值的影响较为显著,而Ar:O2和溅射气压的影响相对较小.     

SiO_2溶胶在电沉积法制备CuInS_2薄膜中的作用

针对目前电沉积法制备的CuInS_2(CIS)薄膜存在S元素含量不足以及微观形貌差的问题,通过在普通镀液中加入SiO_2溶胶,采用一步电沉积技术在ITO导电玻璃上制备Cu-In-S预制薄膜,镀液的主要组成为金属盐、硫代硫酸钠和不同浓度SiO_2溶胶.在空气气氛中对Cu-In-S预制薄膜进行退火处理以获得多晶的CIS薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)及开路电位对CIS薄膜的结构、形貌、成分组成及光响应性能进行研究.结果表明:SiO_2溶胶浓度为4 mL/L时,得到的CIS薄膜的结晶度提高,同时,SiO_2溶胶作用下得到的CIS薄膜的表面形貌、成分组成和光响应性能都得到改善.因此,镀液中加入SiO_2溶胶有利于提高CIS薄膜的性能,尤其是浓度为4 mL/L时,性能提高得最为明显.     

真空蒸镀扩散渗铝工艺

为了克服固体渗铝粉尘多、劳动强度大、污染空气和腐蚀设备等缺点,我们对燃烧室衬套用其空蒸镀扩散渗铝工艺代替原固体渗铝工艺,进行了试生产。一、设备真空蒸镀扩散渗铝工艺是由真空蒸镀和扩散两步完成的。真空蒸镀在我厂自制的镀膜机中完成,使铝加热蒸发沉积在工件表面上,以获得一定厚度的铝膜。扩散是在密闭坩埚中通入氩气保护于炉中完成的,使蒸镀得到的纯铝层转变为渗铝层。 1.真空镀膜机我们使用的真空镀膜机是根据兄弟厂的经验自己制造的。从目前使用情况看,基本上可以满足现行工艺的要求。其真空室结构见图1。     

离子镀膜扩散渗铝工艺

前言离子镀膜作为一种镀膜新工艺在国外得到了广泛的运用。它已被用于耐腐、耐热、耐磨装饰等方面,以及机械、光学和电子工业中。利用离子镀可以镀多种金属、氧化物、硫化物、塑料、玻璃、陶瓷等材料。离子镀膜为渗金属开辟了一条新路。目前     

TiO2-SiO2复合薄膜亲水性能研究

采用溶胶一凝胶法,钛酸丁酯和正硅酸乙酯为前驱体,在玻璃载体上制备了具有光致亲水性能的复合型TiO2-S iO2薄膜。研究了试剂配比、试剂加入方式、凝胶时间、镀膜速度、焙烧升温速度等对薄膜性能的影响。通过对试剂配比和工艺参数的优化,提高了复合薄膜的亲水性能。     

基于网格状ITO薄膜的航天器太阳电池阵静电放电防护

表面蒸镀ITO薄膜是解决航天器太阳电池阵充放电问题的有效途径。薄膜会降低可见光透射率并增加航天器载荷,为此,提出一种网格状ITO薄膜解决方案。通过光学性能测试和电子辐照材料表面起电实验研究,分别给出了可见光平均透射率与薄膜覆盖率、表面电位与薄膜覆盖率的关系表达式,总结了平均透射率和表面电位随薄膜覆盖率的变化规律。结果表明,在380~780nm可见光范围内,薄膜覆盖率每增加10%,平均透射率下降约0.7%;薄膜覆盖率为10%的样品表面电位比无薄膜覆盖降低54%;在薄膜覆盖率为10%~100%范围内,表面电位随覆盖率增大近似呈线性下降,薄膜覆盖率每增加10%,表面电位降低约9%。该研究结论可为航天器太阳电池阵静电防护研究提供有益参考。     

磁控溅射沉积工艺条件对薄膜厚度均匀性的影响

薄膜厚度均匀性是衡量薄膜质量和镀膜装置性能的一项重要指标.在自行设计的磁控溅射沉积设备上,对薄膜沉积工艺中靶基间距、溅射功率、工作气压对膜厚均匀性的影响进行了研究,由连续光谱椭圆偏光仪SE800测量薄膜厚度.结果表明:靶基间距较大的情况下,薄膜均匀性明显改善;溅射功率和工作气压对薄膜均匀性也有较大的影响.     

金刚石薄膜图形化技术的研究

从金刚石薄膜半导体器件的实用要求出发,比较了金刚石薄膜的各种图形化技术,研究了它们各自的特点和适用性,如播种法选择性生长、掩膜法选择性生长、离子束刻蚀和反应离子刻蚀技术等.     

电镀漂洗水无排放技术

本成果成功地创立和运用了电镀生产漂水无排放理论和技术 ,使被镀件从镀槽中带出的镀液基本上全部循环回用到镀槽中 ,大量节约电镀生产用水 ,只有自然挥发的消耗 ,不需电镀废水处理设备 ,解决了如下关键技术 :(1 )通用而精确的镀件各种水洗方法的镀液含量的计算式 ;(2 )一套电镀无废水排放理论 ,即各种镀件水洗方法的规律 ;(3)一套电镀漂洗水无排放的设计方法 ;(4 )一套电镀漂洗水无排放操作规程。本成果曾获国家发明专利 ,并获全军科技进步一等奖 ,属国际先进水平 ,并已成功地用于电镀生产线的改造和建设。本成果最适用于那些镀液污染大、…     

国外工艺动态

国外工艺动态耐热复合材料的成形方法化学蒸镀法（ＣＶＩ）是化学气相沉积（ＣＶＤ）的一种方法。ＣＶＤ法主要用于改善材料的表面质量，而ＣＶＩ法用于改善材料空隙间的质量。使用ＣＶＩ法可将１～１０μｍ的空隙减小到接近零，从而大幅度提高材料强度。用已有的ＣＶＩ法...     

大面积石墨烯薄膜转移技术研究进展

化学气相沉积法合成的石墨烯薄膜在实现石墨烯产业化应用过程中,依赖于大面积薄膜转移技术的突破性进展。本文按照中介物过渡转移法、直接干法和湿法转移法、大规模卷对卷转移法分类介绍了现有的30多种石墨烯薄膜转移方法,从微观机理到宏观实现方法对比了三类方法的优缺点和适用范围:中介物过渡转移法主要用于实验室阶段科学探索,转移后的薄膜质量高但尺寸小;直接干法和湿法转移法减少了中介物过渡流程,但仍处于小试阶段;大规模卷对卷转移法借鉴了半导体薄膜工业成熟的卷对卷技术,实现了米级尺寸薄膜的高效和可重复性转移,是目前批量化转移石墨烯薄膜的最有效途径。     

Parylene C薄膜微波电路的应用可行性研究

文摘针对三防材料在微波电路中多余物防控方面的可行性、可靠性问题,提出在产品表面用真空化学气相沉积法镀Parylene C薄膜,结果表明该膜层可有效控制直径d小于1 mm的可动多余物,提高微波产品PIND(颗粒碰撞粒子检测)测试的合格率。同时与焊接、胶粘、互联、清洗等配装工艺有良好的适配性,且满足可靠性要求。该薄膜较高的绝缘强度,对微波电路有优异的绝缘防护作用。说明Parylene C薄膜材料在微波产品中具有应用可行性和潜在价值。     

长光栅镀膜机

长光栅镀膜机是目前国内唯一一台专用长光栅镀膜机。近年来,随着数控、数显技术的发展,长光栅得到了日益广泛的应用。国内外高精度长度计量仪器和自动化加工装备,其基准检测元件大多采用长光栅。长光栅的制造水平(包括精度、均匀性、直流电平漂移,线条质量等)在很大程度上决定了这些设备的质量和先进性。在制造长光栅的复杂工艺过程度中,镀膜机及镀膜工艺是其主要关键之一。过去国内镀制长光栅尺都是在普通真空镀