P型太阳能级硅电火花线切割机理及工艺研究

根据半导体的特殊电性能建立了抽象的放电加工模型,该模型分别用二极管、可变电阻、稳压管、电阻等器件模型近似代表半导体与金属进电端的接触势垒、半导体的体电阻、极间放电的维持电压以及工作液电阻;根据所建立的模型分析发现,半导体电火花线切割具有单向导通性、击穿电压高等特点,并且加工过程中进电端会出现钝化现象.为此,研制了针对P型太阳能级硅切割的专用夹具,并对电阻率为2.1Ω·cm的P型太阳能级硅锭进行了电火花线切割,切割效率大于100 mm2/min.     

红外灯阵热流不均匀度测试原理分析

文章分析了硅光电池用于红外灯阵热流不均匀度测量的原理,建立了硅光电池的简化数学模型,并用非线性最小二乘拟合方法,根据少量测量数据较准确地求得了硅光电池等效参数.另外,文章推导了硅光电池光生电流与达到热流密度的关系,并探讨了红外灯阵热流不均匀度的测试方法.     

微光机电系统制造工艺综述

重点阐述了微光机电系统(MOEMS)的基本制造工艺:硅微机械加工技术和LIGA技术,并介绍了几种典型的工艺应用。最后对其发展进行了展望。     

硅微传感器中微弱信号的相关检测

主要论述全光纤硅谐振微传感器中微弱信号的相关检测技术,研究表明,对于高阻抗信号源,有效信号电流仅为纳安级,信噪比很低,谐振频率高达２００ｋＨｚ的微弱信号,可通过用低漂移－高输入阻抗和宽频带的运放作为前置放大器,并进一步应用相关检测原理,设计出相应的电路,就能极大地提高信噪比,检测出有效信号,实现硅微传感器微弱信号的检测。     

钠盐变质铝硅合金中的共晶硅相

采用高纯铝和硅(＞99.99wt%)配制Al-10%Si二元合金,经三元钠盐变质,研究合金中共晶硅相.结果表明,铝硅合金共晶凝固时,硅相滞后于铝相结晶.进行钠盐变质处理后,共晶凝固时硅相滞后更加明显,并使之由片状转变为纤维状.钠盐变质后的共晶硅中有较多的孪晶,孪晶轴为(111)Si,孪晶方向为(211)Si,共晶两相的位向关系符合[100]Al∥[110]Si.钠盐变质后的共晶硅以孪晶沟槽(TPRE)长大机制进行分枝、细化和弯曲,从而证明孪晶沟槽长大机制是产生变质结构的重要途径.     

高硅氧玻璃纤维布增强聚四氟乙烯(PTFE)复合材料介电性能研究

对高硅氧玻璃纤维布增强聚四氟乙烯（ＰＴＦＥ）复合材料的含胶量、成型压力、烧结温度及环境湿度等多种因素对其介电性能的影响进行了较为系统的实验研究。结果表明,高硅氧玻璃纤维布增强聚;上氟乙烯复合材料在上述因素影响下,其介电常数在２．９０￣３．３０的范围内变化,其中环境湿度是主要的影响因素。     

掺磷纳米硅薄膜电导及压阻效应的研究

 研究了掺磷对纳米硅薄膜微结构和电学特性的影响.指出气相掺杂能使nc-Si:H膜中磷原子浓度达到原子分数5%的水平,掺杂效率可达η≈1.0%.掺磷后能使薄膜暗电导率提高两个数量级,达到σ=10^-1~10¹S·cm^-1,电导激活能ΔE=(1~6)×10^-2eV水平.掺磷能促使nc-Si:H膜更加有序化且晶粒尺寸变小,这有利于使纳米硅薄膜往应用方向发展.     

新型苯基聚硅乙炔树脂的制备及其热性能

介绍一种新型的苯基聚硅乙炔树脂的制备方法及其热性能研究。采用1H-NMR和29Si-NMR对其结构进行表征。通过DSC、TGA、马弗炉、SEM等对其热稳定性及高温抗氧化性进行了初步表征。TGA测试结果表明树脂固化物在1000℃氮气中残重率为86%,在空气中残重率为54%,马弗炉800℃高温处理30min残重率为79%。该树脂具有优良的高温热稳定性及高温抗氧化性,有望用于耐高温基体树脂。     

梯度硅铝管壳回流焊接快速冷却热力仿真研究

针对某航天电子管壳焊接组件冷却过程中的热力耦合影响问题,建立了焊接组件的有限元热分析模型,研究了在快速冷却过程中梯度材料分布对低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramic, LTCC)基板、梯度管壳的残余应力和变形的影响。以不超过基板断裂强度为前提条件,以降低管壳整体的残余应力与变形为优化目标,采用了多因素变换优选法,确定了管壳材料的最优梯度分布方案,即合金管壳自上而下的梯度分布为Al-35Si、Al-42Si、Al-50Si、Al-60Si、Al-70Si。其中,Al-35Si厚度为2.5mm, Al-42Si与Al-60Si的厚度均为1.6mm, Al-50Si厚度为0.8mm, Al-70Si厚度为2mm。在该方案下,LTCC基板冷却至室温时的最大变形量为4.86μm,最大第一主应力为6.761MPa,远小于LTCC材料的断裂强度320MPa;管壳冷却至室温时的最大变形量为18.291μm,最大残余应力值为20.46MPa,远小于管壳材料的屈服强度100MPa。管壳各层之间的应力集中现象不明显,管壳的整体焊接质量得到提升。