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液体压力激波加工技术研究 总被引：3，自引：1，他引：3
机械产品的零部件，通常需要通过成形与改性才具有所需形状及实用功能，本文提出了一种新型材料成形与改性加工的方法——液体压力激波加工。采用脉冲超声波聚焦技术，通过压电陶瓷激波发生器在液体介质中产生高能瞬时压力激波，对材料进行冲击，产生变形或表面改性。经过理论研究和试验验证，初步掌握了液体压力激波的产生、激波能量的控制和激波加工的动力学机制。这种加工方法具有能量可控性好、成本低廉和安全高效等优点，非常适合具有复杂结构和型面的中小零件加工，是一种颇具竞争力的先进制造技术手段。 相似文献
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针时线切割行业的特点，给出了一种切实可行的基于网络的线切割CAD／CAM系统开发方案，该系统分为可重构的客户端软件和可伸缩的服务器端软件两部分。文中对系统的体系结构、客户端软件的重构、工艺数据库以及服务器载荷的平衡、网络流量的控制等相关技术进行了研究和探讨，并对相关技术进行了验证，结果表明开发方案和其中采用的技术是可行的和有效的。 相似文献
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民航业毕竟是一个高科技行业,技术与利益相关,不掌握高技术就难以获取高收益.解决PMA件的推广使用问题,核心还是寻求技术依托. 相似文献
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通过Ansys对单脉冲放电过程进行温度分布仿真时发现,当脉宽很小时,汽化体积所占比例很高,即材料利用率较高,但是产率较低;而加大脉宽时,产率较高,但是汽化比例较低。为综合两者的优势,利用大脉宽加工,使放电通道移动。仿真结果表明,相对于放电通道静止,其在材料利用率和产率上都有了大幅度提高。当在加工中引入高速冲液时,实验表明其能促使放电通道发生漂移,收集产物后称量、计算,其产率达到了1g/h。 相似文献
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为了研究单晶硅电火花线切割(WEDM)表面损伤层的损伤形式和形成机理,以电火花线切割加工后的单晶硅表面为研究对象,采用表面形貌观察分析及择优腐蚀方法研究了单晶硅经过电火花线切割后的加工表面.研究结果表明单晶硅经电火花放电加工后表面损伤形式分为4种:热损伤、应力损伤、热与应力综合作用损伤及电解/电化学腐蚀损伤.热损伤使得硅表面形成多晶或非晶硅;应力损伤使硅表面产生裂纹;热与应力综合作用会产生小孔效应,且随着放电功率密度的增加,小孔会明显增多;电解/电化学作用会加快损伤区域及杂质元素富集区域的腐蚀. 相似文献
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单晶硅高速走丝电火花线切割试验研究 总被引：4，自引：1，他引：3
研究了基于复合工作液的高速走丝电火花线切割(W EDM-HS)对单晶硅切割的形貌特征及工艺规律。试验表明W EDM-HS对低电阻率单晶硅切割具有效率高、切缝窄、厚度薄且无明显表面微裂纹等特性,在硅表面放电凹坑内由于高温电解作用会形成密集、壁面光滑且高深径比的微孔洞结构。该工艺将在宏观方面为单晶硅大尺寸超薄高效切割,在微观方面为在单晶硅上加工出具有高深径比微孔洞结构提供研究思路。 相似文献
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基于曲线合成插补理论的慢走丝线切割反向回退功能设计 总被引：1，自引：0，他引：1
从理论上和实践上论述了具有丝半径补偿功能的曲线合成插补理论。该理论直接利用轮廓曲线和丝圆的信息，不需计算等距曲线．间接实现任意直线和二次曲线的等距曲线的插补，有效地避免了传统计算等距曲线产生的计算误差，简化了数控机床控制程序设计，提高了机床的控制精度。并研究了基于曲线合成插补理论的慢走丝线切割机床反向回退指令的形成、控制程序设计，并在慢走丝线切割机床数控系统设计中得到了应用。 相似文献
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根据半导体的特殊电性能建立了抽象的放电加工模型,该模型分别用二极管、可变电阻、稳压管、电阻等器件模型近似代表半导体与金属进电端的接触势垒、半导体的体电阻、极间放电的维持电压以及工作液电阻;根据所建立的模型分析发现,半导体电火花线切割具有单向导通性、击穿电压高等特点,并且加工过程中进电端会出现钝化现象.为此,研制了针对P型太阳能级硅切割的专用夹具,并对电阻率为2.1Ω·cm的P型太阳能级硅锭进行了电火花线切割,切割效率大于100 mm2/min. 相似文献
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介绍了零电压开关下的IGBT的工作原理，通过对电路的计算机仿真和样机实验，证实了该项技术的优越性． 相似文献