热激励谐振式硅微结构压力传感器温度场研究

针对一种以方形硅膜片为一次敏感元件、硅梁谐振子为二次敏感元件 ;采用电阻热激励、压敏电阻拾振的压力微传感器 ,分析了其工作机理 ;依幅值、相位条件讨论了该谐振式微传感器的闭环自激系统 ;建立了微传感器的温度场模型和热应力模型 ,并进行了仿真计算与分析     

碳纤维增强SiBCN 陶瓷基复合材料的制备及性能

以自制的聚硼硅氮烷(P-SiBCN)为基体聚合物利用前驱体浸渍裂解技术(PIP)制备了二维碳纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料,并对其力学性能进行了初步研究.经8次浸渍-裂解,所得复合材料室温弯曲强度为334 MPa,800℃/氩气条件下弯曲强度367 MPa.该复合材料未经抗氧化防护处理情况下,800℃静态空气中氧化3h后,强度保留率约为60％.     

硅灰在塞浦路斯的应用实例

硅灰是硅金属生产中的一种付产品，具有能提高砼强度，减少砼的碱－硅反应（ＡＳＲ）等性能，可掺入高强砼中用于相应的建筑工程中，同时具有提高硅的抗硫酸盐的性能，由于塞浦路斯海岸线的土层中硫酸盐的含量高，因而硅灰在塞浦路斯获得广泛的应用，该文着重介绍了硅灰在塞浦路斯的应用实例。     

硅光电倍增探测器温度特性分析与实验

SiPM(Silicon Photo-multiplier,硅光电倍增探测器)是近年来逐渐兴起的一种用于光探测领域的光电探测器件。与传统的PMT(Photo-multiplier tube,光电倍增管)相比,它有着尺寸小、工作电压低、几乎不受磁场影响等优点,但其缺点是对环境温度变化较敏感。为了掌握SiPM性能指标随环境温度的变化规律,搭建了SiPM温度特性实验系统,通过改变环境温度来实时测量记录SiPM的雪崩临界电压和增益,从而定量得出SiPM的温度特性,并通过理论计算对实验数据进行分析。结果表明,当环境温度降低时,SiPM的雪崩临界电压随之线性下降,增益随之线性增大。     

空间用硅太阳电池带通滤波器的研究

为改善硅太阳电池在轨工作期间的性能,通过对空间用太阳电池带通滤波器结构设计和制备工艺的研究,研制出一种空间用硅太阳电池的带通滤波器并对其性能进行了测试,结果表明,采用该带通滤波器可使硅太阳电池在轨工作温度降低6°C～12°C,输出功率增加1.8%～4.1%.带通滤波器的研制对于促进高效硅太阳电池的空间应用具有积极意义.     

利用电化学方法制备有序多孔硅阵列

采用电化学刻蚀的方法，在自制的电解槽中制备n型〈100〉晶向多孔硅条状阵列。通过扫描电子显微镜对生成的多孔硅进行形貌观察，并对多孔硅条状阵列的生长速率与形貌进行了初步的理论分析和实验研究。实验结果表明，多孔硅的生长速率主要由临界电流密度决定，多孔硅生成初始阶段产生锥形刻痕的原因是初始电流密度比较小，加大电流密度可以消除刻痕。多孔硅分又是由孔间距远远大于自由电荷区而产生的，而深槽中出现分立小孔的原因是反应产生的氢气阻碍了阳极氧化的进行。本实验结果对开展多孔硅进一步的研究工作具有指导意义。     

谈谈硅整流桥电路的学习与应用

硅整流桥电路是由四个硅二极管组成四个桥臂的一种电桥电路,在模拟电路中应用非常广泛。主要应用在直流电源、测量、极性选择等实际电路中。 本文结合硅整流桥的实际应用电路及教学实践,简要分析硅流桥电路的结构、原理及应用举例;使学生充分认识到该电路的重要性及普遍性,并掌握有关知识。     

喷射砼中的硅灰

喷射砼中掺入硅灰可大大提高干拌和湿拌喷射砼的性能。硅灰有三种类型；非压实的硅灰（ＵＳＦ）、压实的低密度硅灰（ＣＬＤＳＦ）、压实的高密度硅灰（ＣＨＤＳＦ）。用这三种不同的硅灰制成的喷射砼其性能差别很小。     

PBO合成、纺丝和性能的研究

以间苯二酚为原料，合成了单体4，6-二氨基间苯二酚二盐酸盐，在多聚磷酸介质中经溶液缩聚，制得高分子量的聚亚苯基苯并二噁唑（PBO），再由干喷湿纺工艺制备了PBO纤维，并对纤维成型工艺以及热处理条件进行了研究。结果表明，PBO纤维的拉伸强度为4．31GPa、拉伸模量为117．24GPa，它是一种高性能的刚性溶致性液晶高分子材料。     

掺杂硅再结晶石墨微观结构及其性能的研究

用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、硅粉作添加剂 ,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂硅再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加硅对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化。结果表明 :与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较 ,掺杂硅再结晶石墨的导热导电性能均有较明显的提高 ,而力学性能却有所降低。与纯石墨材料相比较 ,当硅掺杂量为 4wt%时 ,再结晶石墨电阻率可降低 2 5 % ;而当硅掺杂量超过 4wt%时 ,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下 ,RG-Si-6再结晶石墨的层面方向热导率可达 3 2 5 W/ (m·K)。微观结构分析表明 ,随着硅掺杂量的增加 ,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸均增大 ,晶面层间距 d0 0 2 降低。原料中掺杂硅量为 6wt%时 ,再结晶石墨的石墨化度为 94.3 % ,微晶参数 La/为 1 94nm。 XRD分析表明 ,硅元素在再结晶石墨中以 α-Si C的形式存在。硅对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用碳化物分解机理来解释