CMOS相机在微小卫星上的应用

文章主要介绍了CMOS探测器件相对于CCD器件的优点 ,讨论了CMOS焦平面的的设计方案 ,最后给出了CMOS相机的实验室成像结果和外景成像结果。     

CMOS相机在微小卫星上的应用

文章主要介绍了CMOS探测器件相对于CCD器件的优点，讨论了CMOS焦平面的的设计方案，最后给出了CMOS相机的实验室成像结果和外景成像结果。     

使用CMOS集成电路器件如何保持其高可靠性

前言 本文是对CMOS集成电路器件的使用者(电子线路设计者、实验员、工艺人员)提出如何保证器件的工作高可靠性,从理论和实践上提出了一些基本要点,从而可以避免工作中的缺陷,剔除隐患使最大限度地降低整机的失效率,达到高可靠性。 什么叫可靠性?为什么要高可靠性。 可靠性:是指     

SRAM HM—65642的单粒子闩锁特性

由空间高能带电粒子引起的CMOS器件单粒子闩锁效就(SEL),在卫星工程中已日益受到重视。本文对试验获得的SRAM HM—65642的各种SEL特性进行了详细分析,希望对卫星电子系统设计师们在进行CMOS器件的防闩锁设计中能有所帮助。     

大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究

针对宇航用大容量SRAM器件抗单粒子效应性能的试验评估需要,利用重离子加速器对抗辐射加固32 M Bulk CMOS工艺SRAM和16 M SOI CMOS工艺SRAM进行了单粒子效应模拟试验研究,获得SRAM器件单粒子效应特性并进行在轨翻转率预估;对单粒子翻转试验中重离子射程的影响,不同SEU类型的翻转截面差异,在轨翻转率预估的有关因素等进行了分析讨论。结果表明,这2款抗辐射加固SRAM器件都达到了较高的抗单粒子效应性能指标。试验结果可以为SRAM器件的单粒子效应试验评估提供参考。     

国产非加固CMOS电路低剂量率辐射效应的研究

在不同剂量率下进行辐照试验,半导体器件的失效剂量和失效机理可能不同。文章对国产非加固 CMOS 电路 CC4007分别在低剂量率和高剂量率下进行辐照试验,并将试验结果进行比较。辐照剂量率为0.0001、0.001、1Gy(Si)/s。对高剂量率辐照的器件进行了100℃168h 退火试验。试验结果表明,在低剂量率下辐照器件电参数退化相对小些,但失效模式同高剂量率下的一样,失效是由于静态漏电大。试验还表明对国产非加固 CMOS 电路用高剂量率辐照试验进行评估是不准确的。     

铝栅CMOS器件的总剂量辐射效应及其与剂量率的关系

采用非加固铝栅CMOS电路(CC4007、C072B)进行了不同剂量率的总剂量辐照实验,将辐照后的器件置于不同的温度下进行退火;根据实验结果,运用辐射产生氧化层俘获电荷和界面态的机理模型,分析了器件的剂量率效应,评估了器件在不同剂量率下的总剂量辐射效应;根据器件迁移率的变化定性地分析了氧化层俘获电荷和界面态的生长变化与辐射剂量率、辐照剂量及时间的关系;研究了退火温度对器件退火的影响,对加速实验模拟方法作了初步的探讨。     

典型CMOS存储器电离辐照效应

对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在^60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过程中,CMOS存储器的集成度、辐照偏置、退火时间和温度与电离辐照效应的关系。结果发现：不加电（冷备份）状态的^60Coγ射线辐照过程中,存储器的逻辑状态翻转出现较正常工作状态推迟1个量级以上;随着集成度的提高,SRAM,EEPROM存储器的辐照敏感度降低;试验器件经不同剂量的^60Coγ射线辐照后在不同温度下退火,所有试验器件均出现了逻辑状态翻转。     

一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析

对MOS器件总剂量辐照机理的研究，多从γ射线在SiO2中产生电子 空穴对，以及γ射线作用在SiO2 Si界面上产生新生界面态方面出发，分析γ射线对MOS器件的阈值影响，但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析；重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明：低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电；高压PMOS器件版图设计不当时，长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。     

CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究

利用脉冲激光定位成像系统,对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应（SEL）敏感区定位的试验研究。试验结果表明：该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布,而对于单一的SEL敏感区,其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论了SEL敏感区的分布对测试方法和空间SEL发生频次计算的影响。     

标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计

文章针对130纳米CMOS工艺标准单粒子闩锁效应问题，开展了Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS）器件单粒子闩锁效应产生的物理机理分析, 提出了一套适合于不同类型标准单元版图加固方法；基于SMIC0.13μm工艺进行了物理建模仿真和电路实现。仿真结果显示，在遭受LET值为120MeV/mg/cm2的重离子辐射时，所设计的电路未发生闩锁效应。     

高温环境下SRAM器件单粒子锁定效应试验研究

深空探测任务面临辐射与温度变化综合作用的恶劣环境,易导致作为航天器电子系统主要组成的CMOS集成电路发生单粒子锁定效应。着眼于在轨应用需求,针对体硅工艺SRAM器件进行了高温环境单粒子锁定试验研究,在不同电压和温度条件下开展重离子辐照试验,结果表明,随着器件工作电压的升高,单粒子锁定敏感性增加;随着温度升高,单粒子锁定截面增加,从常温到125℃的增幅约为1个数量级:即高温高电压下更易触发器件单粒子锁定效应。     

使用CMOS集成电路器件如何保持其高可靠性(续完)

四、注意栅输入端讯号电平防止仃留在不稳定区栅端输入讯号停留在不稳定区会引起功耗上升后级逻辑混乱。CMOS的逻辑电平“O”为 0～30%VDD电平,“1”为70～100%VDD电平。高低电平的界限很宽见图5,所以它比其他非CMOS器件具有较强的抗噪声能力。而在30～70%VDD之间的区域则为不稳定区。如果栅端输入讯号电平停留或波动在不稳定区则使倒相器的P沟道n沟道都处于半导通失稳伏态,此时VDD与Vss之间阻值最小约仅在千欧级,凡处在此种状态的器件电流急速上升,内耗猛增。对后级的计数器等器件产生逻辑混乱,对时序选通的多路传输门组合产生几…     

弹上测量仪器用的编码器

本文介绍的PCM—480编码器是高可靠的器件,平均无故障时间达48000小时。它包含串行和并行计算机接口,主/从能力,频率计数器、数据块,两个帧格式、两种码速率,加速度计信号调节单元等。文中讨论了系统结构、计算机接口、相位锁决环、信号调节器等部件。由于使用了CMOS电路的新技术,电源的功耗己减至最低限度。其结构紧凑,能更有效地利用空间。     

星上FPGA抗闩锁设计

根据星载电子设备CMOS电路中现场可编程逻辑阵列（FPGA）闩锁的发生机理，提出了输入／输出回路的抗锁定、二次屏蔽防止单粒子触发锁定等遏制闩锁触发条件，以及工作电源限流、闩锁检测与解除等遏制闩锁维持条件的设计，并给出了应用检测电路、板级锁定检测与解除、电流敏感器件检测电流和FPGA闩锁监测等应用实例。     

漏电流对CMOS探测器成像品质的影响分析

CMOS探测器近年来在工业、民用、航天等领域得到了广泛的应用,而漏电流对CMOS探测器成像品质影响的研究却较少。文章针对CMOS探测器在低读出速率时造成图像噪声过大的原因进行了分析,发现CMOS探测器的漏电流是产生该种图像噪声主要成因,并对不同读出速率下的像质进行了试验分析。理论和试验结果表明:在较低的读出速率时,CMOS探测器的漏电流产生的噪声过大,导致图像噪声的增大,影响了像质。因此,设计CMOS相机时应重点考虑低读出速率时,CMOS探测器漏电流对像质的影响,必要时要增加缓存,以便获得更好的像质。文章将为CMOS探测器在低速读出应用、设计提供一定的参考。     

高温SiC器件及其集成电路在空间电子领域应用展望

金星、火星等行星空间探索对航天器电子学系统耐高温、抗辐照、抗腐蚀性等提出了严峻挑战。极低温电子学和高温电子学是近年来深空探索中的强烈需求。文章主要阐述高温SiC集成电路的起源,数字、模拟和功率IC的发展历程和研究现状。重点综述分析了高温SiC集成电路设计方法和流片验证的两条技术途径：首先,基于多层外延制造工艺的BJT器件单元及其双极集成电路;其次,基于离子注入掺杂工艺的互补单元及其CMOS集成电路。在此基础上还进一步介绍了高温SiC传感芯片、BCD功率IC及功率模块的应用可靠性验证。目前国际研究现状展示了SiC BJT和CMOS IC研制中大学学术界和半导体企业界的协同创新格局。最后展望了其在深空探索中的潜在应用及其面临的挑战性。本综述对国内研制空间环境用宽禁带半导体SiC高温集成电路及其电子学系统具有借鉴价值。     

基于FPGA的CMOS图像传感器LUPA-4000时序设计

文章在分析CYPRESS公司CMOS图像传感器LUPA-4000驱动时序的基础上,采用现场可编程逻辑阵列(FPGA)作为其硬件实现平台,使用Verilog作为该时序设计的编程语言,设计了在其极限频率66MHz下,包含系统校时功能、积分时间可调功能、并行操作功能、多斜率积分功能和NDR(Non-destructive readout)功能的驱动时序。该设计不仅能产生正确的时序以驱动芯片正常工作,而且充分开发了该器件的辅助扩展功能,大大增加了器件使用的灵活性,有效提高了该传感器的成像品质。经软件仿真和结合硬件平台的测试证明:该设计的正确性和稳定性均满足要求。此时序设计驱动下的探测器芯片动态范围更大、工作更灵活,适合于空间探测,尤其适用于空间暗目标的动态跟踪。     

用于空间太阳能电站的新型高效半导体功率器件可靠性研究

文章重点围绕GaN基HEMT器件的辐照效应和高场退化效应进行论述,立足于空间用GaN基HEMT器件技术发展需求,着眼于空间用GaN基HEMT器件的可靠性研究进展,从理论上分析材料和器件参数变化的原因,提出星载GaN基HEMT器件的高可靠性、长寿命控制手段。     

星载抗辐射加固接收DBF ASIC设计与实现

空间环境中存在的大量粒子,其辐射效应,特别是单粒子效应,严重威胁着空间CMOS器件的可靠性。文章首先分析了几种典型的数字单粒子瞬态加固技术,并提出了一种适合接收数字波束形成ASIC的抗辐射加固电路结构。通过对标准ASIC设计流程进行改进,给出了抗辐射加固ASIC设计流程。基于该改进的ASIC设计流程,实现了接收DBF ASIC的研制。