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| SRAM HM—65642的单粒子闩锁特性 | |
| 引用本文： | 蔡震波,吴中祥.SRAM HM—65642的单粒子闩锁特性[J].航天器工程,1996,5(3):28-34. |
| 作者姓名： | 蔡震波 吴中祥 |
| 作者单位： | 北京空间飞行器总体设计部，北京空间飞行器总体设计部 |
| 摘 要： | 由空间高能带电粒子引起的CMOS器件单粒子闩锁效就(SEL),在卫星工程中已日益受到重视。本文对试验获得的SRAM HM—65642的各种SEL特性进行了详细分析,希望对卫星电子系统设计师们在进行CMOS器件的防闩锁设计中能有所帮助。 |
| 关 键 词： | 单粒子闩锁 单粒子效应 CMOS器件 可控硅效应 抗辐射 |
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