大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究 |
| |
引用本文: | 余永涛,陈毓彬,水春生,王小强,冯发明,费武雄.大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究[J].航天器环境工程,2018(5). |
| |
作者姓名: | 余永涛 陈毓彬 水春生 王小强 冯发明 费武雄 |
| |
作者单位: | 工业和信息化部电子第五研究所;华南理工大学电子与信息学院 |
| |
摘 要: | 针对宇航用大容量SRAM器件抗单粒子效应性能的试验评估需要,利用重离子加速器对抗辐射加固32 M Bulk CMOS工艺SRAM和16 M SOI CMOS工艺SRAM进行了单粒子效应模拟试验研究,获得SRAM器件单粒子效应特性并进行在轨翻转率预估;对单粒子翻转试验中重离子射程的影响,不同SEU类型的翻转截面差异,在轨翻转率预估的有关因素等进行了分析讨论。结果表明,这2款抗辐射加固SRAM器件都达到了较高的抗单粒子效应性能指标。试验结果可以为SRAM器件的单粒子效应试验评估提供参考。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
| 点击此处可从《航天器环境工程》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《航天器环境工程》下载免费的PDF全文 |
|