一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析 |
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作者姓名: | 高炜祺 刘虹宏 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆,400060;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆,400060 |
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摘 要: | 对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO2中产生电子 空穴对,以及γ射线作用在SiO2 Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。
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关 键 词: | 高压PMOS器件 低剂量辐照 PMOS版图 漏源击穿电压 |
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