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| 铝栅CMOS器件的总剂量辐射效应及其与剂量率的关系 | |
| 引用本文： | 林红,于庆奎,赵大鹏.铝栅CMOS器件的总剂量辐射效应及其与剂量率的关系[J].航天器环境工程,1997(3). |
| 作者姓名： | 林红 于庆奎 赵大鹏 |
| 作者单位： | 北京卫星环境工程研究所，北京卫星环境工程研究所，北京卫星环境工程研究所 |
| 摘 要： | 采用非加固铝栅CMOS电路(CC4007、C072B)进行了不同剂量率的总剂量辐照实验,将辐照后的器件置于不同的温度下进行退火;根据实验结果,运用辐射产生氧化层俘获电荷和界面态的机理模型,分析了器件的剂量率效应,评估了器件在不同剂量率下的总剂量辐射效应;根据器件迁移率的变化定性地分析了氧化层俘获电荷和界面态的生长变化与辐射剂量率、辐照剂量及时间的关系;研究了退火温度对器件退火的影响,对加速实验模拟方法作了初步的探讨。 |
| 关 键 词： | 辐射 辐射电离效应 辐射剂量 退火 剂量率 迁移率 |
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