国产非加固CMOS电路低剂量率辐射效应的研究

在不同剂量率下进行辐照试验,半导体器件的失效剂量和失效机理可能不同。文章对国产非加固 CMOS 电路 CC4007分别在低剂量率和高剂量率下进行辐照试验,并将试验结果进行比较。辐照剂量率为0.0001、0.001、1Gy(Si)/s。对高剂量率辐照的器件进行了100℃168h 退火试验。试验结果表明,在低剂量率下辐照器件电参数退化相对小些,但失效模式同高剂量率下的一样,失效是由于静态漏电大。试验还表明对国产非加固 CMOS 电路用高剂量率辐照试验进行评估是不准确的。     

商用微电子技术在卫星辐射环境中的应用

汇总了商用器件的辐射效应,讨论了这些器件的辐射敏感度,讨论了对其危害的评估方法和必要时的回避技术,以帮助设计师和项目管理人员在空间辐射环境中用好这些商用器件。     

用半实物仿真评估成像制导对抗效果的方法

提出了一种用半实物仿真手段对红外成像对抗效果进行评估的方法,对其组成、工作原理以及实验方法做了详细介绍。作为一个通用评估平台,此方案可以较为全面地评估光电对抗武器的干扰性能。     

空间粒子环境对单粒子效应影响的比较

空间的高能重离子和高能质子都能引起单粒子效应。几种典型环境中的重离子和质子对不同器件单粒子效应的影响的比较表明，在地磁捕获质子强度较大的区域，捕获质子对单粒子效应的作用必须考虑；而在该区域以外，对单粒子效应的发生有显著影响的是宇宙射线的重离子而不是占绝大多数的质子。     

目标与背景的对比度分析及其应用

较深入地分析了目标与背景的对比度及其时间、空间和光谱特性,介绍了基于目标与背景的对比度的红外对抗和反对抗措施,如变频技术、变向技术、假目标等红外对抗措施以及太赫兹波探测、时间鉴别法和光谱鉴别法等红外反对抗措施.     

铝栅CMOS器件的总剂量辐射效应及其与剂量率的关系

采用非加固铝栅CMOS电路(CC4007、C072B)进行了不同剂量率的总剂量辐照实验,将辐照后的器件置于不同的温度下进行退火;根据实验结果,运用辐射产生氧化层俘获电荷和界面态的机理模型,分析了器件的剂量率效应,评估了器件在不同剂量率下的总剂量辐射效应;根据器件迁移率的变化定性地分析了氧化层俘获电荷和界面态的生长变化与辐射剂量率、辐照剂量及时间的关系;研究了退火温度对器件退火的影响,对加速实验模拟方法作了初步的探讨。     

采用串列静电加速器进行单粒子效应模拟试验研究

本文描述了采用ＨＩ－１３串列静电加速器进行单粒子效应模拟试验的试验系数、试验方法和试验条件，给出了８０Ｃ３１单片机单粒子效应模拟试验结果；根据试验结果，采用ＣＲＥＭＥ程序对８０Ｃ３１单片机在三类不同轨道卫星上的单粒子翻转率进行了预计。     

半导体器件单粒子效应的机理,试验和预计

介绍了空间高能粒子环境及单粒子效应的机理、模拟试验方法和错误率计算方法。空间高能粒子环境由银河宇宙射线、太阳宇宙射线及地磁捕获粒子组成。单个高能粒子可在半导体中通过库仑作用或核反应电离出大量电子—空穴对,从而引起半导体器件逻辑紊乱或失效。用加速器产生的高能粒子进行模拟试验可获得器件对单粒子效应的敏感参数;由E.L.Peterson 等人的经验公式或CREME 程序预计器件在特定环境下的出错率。     

地面目标的热红外伪装技术研究

目标与背景红外辐射的差异是红外探测系统探测目标的基础。因此,研究目标与背景红外辐射的差异对红外伪装有着重要的意义。介绍了热红外伪装的原理。从目标与背景的辐射对比度出发,分析了辐射对比度与目标表面发射率以及目标与背景温差的关系,发现对于一定温差的目标与背景,伪装材料的发射率在一定范围内,都可以达到很好的伪装效果,温差越大...     

空间辐射粒子引起单粒子翻转率预计

空间辐射粒子引起单粒子翻转（ＳＥＵ）率预计的基础是地面粒子加速器模拟试验数据、卫星轨道的粒子辐射环境模型和高能粒子与器件相互作用模型。引起ＳＥＵ的空间辐射粒子包括银河宇宙射线、太阳宇宙射线和地磁俘获粒子。高能粒子通过电离产生多余电子－空穴对引起ＳＥＵ。介绍了计算轨道中ＳＥＵ率的程序ＣＲＥＭＥ。以８０Ｃ３１微控制器为例,根据串列静电加速器地面模拟试验结果,进行了在轨ＳＥＵ率预计。