衬底温度对共溅射法制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响

研究了衬底温度对采用Cu2ZnSnS4靶和Cu靶共溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响。采用拉曼光谱、X射线能量色散谱仪、扫描电子显微镜和紫外 可见 近红外分光光度计对在不同衬底温度条件下制备的Cu2ZnSnS4薄膜 的元素比例、形貌以及光学带隙进行了表征与分析。结果表明制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长遵循不同规律。室温衬底条件下制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长遵循两步法,导致颗粒尺寸和元素分布不均;而在120~200 ℃衬底温度条件下制备的Cu-Zn-Sn-S预置层在溅射过程中已有Cu2ZnSnS4晶粒形成,这些晶粒在后续硫化生长过程中起到形核点的作用, 促进了Cu2ZnSnS4晶粒的长大与元素的均匀分布。随着衬底温度的升高,Cu-Zn-Sn-S预置层及由此制备出的Cu2ZnSnS4薄膜的结晶性变好,Cu2ZnSnS4薄膜的带隙先升高后减小至1.55 eV。     

热退火对溅射法Al-Sn共掺ZnO薄膜光电性能的影响

利用射频磁控溅射方法,采用AZO靶和Sn靶共溅射的方法在钠钙玻璃衬底上制备了Al与Sn共掺杂的ZnO (ATZO) 薄膜样品,再对样品进行300,350,370,400,500 ℃ 5种不同温度和1,2,4 h 3种不同时间的退火处理。采用X射线衍射仪(X-ray diffraction, XRD)和扫描电子显微镜(Scanning electron microscope, SEM)对其相结构及形貌进行了表征和分析。结果表明,所制备的ATZO薄膜都是六角纤锌矿结构,在（002）方向上表现出择优生长且表面都较为均匀。采用UV vis分光光度计测试薄膜样品的透过率,结果显 示370 ℃退火2 h的样品在400~760 nm处有87.09%的最高平均透过率,对应的光学带隙为3.40 eV;同时,此样品具有最低的电阻率为4.22×10-2 Ω·cm和最高的载流子浓度和迁移率,分别为6.44×1020 cm-3和4.30 cm2/(V·s)。     

H2对SrBi2Ta2O9薄膜表面形貌和铁电性能的影响

在Pt／TiO2／SiO2／Si衬底上，用金属有机物分解(MOD)法制备了SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜。通过对SBT薄膜表面形貌变化的结果表明，SBT薄膜经过氮氢混合气氛(forming gas，95％N2 5％H2)退火后，由于氢的还原作用造成了Bi的缺失，从而导致了薄膜铁电性能的退化，SEM结果表明还原出来的Bi在薄膜表面形成柱状结构。而SBT薄膜经过1h 750℃的氧气氛退火处理后．由于Bi被重新氧化，SBT薄膜的铁电性能可以得到恢复。     

ZnO透明导电薄膜制备及紫外辐照处理特性研究

ZnO作为一种典型的透明导电氧化物（Transparent conductive oxide,TCO）材料,具有同氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)相比拟的光电性能,其原料丰富、绿色环保、易于制备、生成成本低等优点使ZnO成为最有希望替代ITO的材料。本文以玻璃为衬底,利用量子点种子层作为缓冲层,采用传统水热方法制备了低成本ZnO透明导电薄膜,采用特殊的紫外光辐照工艺对薄膜进行后处理,探索薄膜生长参数和紫外光辐照处理工艺对其透光率和导电性的影响。结果表明,紫外辐照处理不影响薄膜的透光性能,而使材料的方块电阻降低3个数量级,数值从没处理时的1.5×105 Ω/□降低到 150 Ω/□,极大地提高了薄膜的电导率,为ZnO薄膜材料电导率的提高提供了一个简单高效的途径。     

球状ZnSe纳晶的微波辅助元素溶剂热合成与表征

采用微波辅助的元素溶剂热法,以Zn,Se等单质为Zn源和Se源,en(en=乙二胺)为螯合剂,N2H4·H2O为还原性助剂,在160℃下反应4小时,合成了直径为50-100nm、分散性较好、高度结晶的球形ZnSe纳晶;采用XRD,SEM等手段对所合成的产物进行了表征,结果发现,反应温度和反应时间等反应条件共同控制着ZnSe纳晶的形貌。通过对其反应过程及机理的分析,结果表明,获得平均直径为60nm、高度结晶的球形ZnSe纳晶的优化反应条件是用en做螯合剂,N2H4·H2O为还原性助剂,反应温度为160℃,时间为4小时;并且球状ZnSe纳晶是在N2微泡上集聚而成的。     

栅极偏压对纳米金刚石薄膜沉积过程的影响

在HFCVD系统中施加栅极偏压和衬底偏压,采用双偏压成核和栅极偏压生长的方法成功制备了高质量的纳米金刚石薄膜.采用显微Raman高分辨率SEM和AFM等现代理化分析手段分析纳米金刚石膜的微结构,结果表明双偏压显著促进了金刚石的成核密度,平均晶粒尺寸在20 nm以内.试验观察和理论分析表明栅极偏压促进了热丝附近的等离子体浓度,提高了衬底附近的碳氢基团和氢原子浓度,提高了金刚石的成核密度、在保持晶粒的纳米尺寸的同时保持了较高的成膜质量和较低的生长缺陷.     

硫源种类对微波合成CZTS颗粒与薄膜性能的影响

研究不同硫源对微波液相合成的Cu２ＺｎＳｎＳ４（CZTS）纳米颗粒尺寸及形貌的影响。结果表明：当采用硫脲作为硫源时,所制备的CZTS纳米颗粒为平均尺寸500 nm的球状结构纳米颗粒;采用L 半胱氨酸作为硫源所制备的CZTS纳米颗粒为50 nm的空心球状纳米颗粒;而当使用硫代乙酰胺作为硫源制备CZTS纳米颗粒,其平均尺寸仅为3 nm。采用 平均尺寸为500 nm或50 nm的纳米颗粒制备墨水,将墨水旋涂到衬底上时,其致密性很差,明显存在许多孔洞。当采用平均尺寸为3 nm的纳米颗粒制作墨水,并将其制成薄膜时,薄膜致密性与均匀性都比较好。将最佳的预制薄膜进行硫化处理,其结晶性明显提高,并得到转化效率为2.1%的CZTS太阳电池。     

碳/Me(Co,RE)对W-Ni-Fe高密度合金性能和显微组织的影响

采用高能球磨机械合金化、模压成型和真空烧结法制备了添加碳、钴和稀土氧化物粉末的W-Ni-Fe高密度合金。分别用阿基米德排水法、洛氏硬度计、XRD、SEM和EDX等手段研究了几种合金试样的密度、硬度、钨晶粒度和组织形貌。结果表明:采用高能球磨制得纳米晶预合金粉可以降低合金的烧结温度;采用纳米晶预合金粉末烧制的W-Ni-Fe合金的最佳烧结工艺为1350℃×75 min。碳作为添加剂可以提高合金硬度和降低烧结温度;添加钴可以降低烧结温度,钴和稀土氧化物粉共同添加可以提高合金致密度和细化晶粒。     

用于AgGaS2晶体生长的石英安瓿镀碳工艺研究

采用金相显微镜、推力分析仪等测试手段研究了石英安瓿内壁镀碳工艺对所镀碳膜的表面形貌、碳膜和石英安瓿结合力的影响。获得了一个较佳的镀碳工艺,即在气体流量为600 ml/min,镀碳温度在1060℃~1100℃之间,镀碳时间为30 min,冷却时间为11 h的条件下可获得均匀、致密而且与石英安瓿内壁结合牢固的碳膜层。采用该工艺镀膜的石英安瓿生长的AgGaS2晶体完整,表面光洁透明,位错密度低,约为6×104cm-2。     

30CrMnSiNi2A钢不同温度奥氏体化等温淬火组织与强韧性研究

将30CrMnSiNi2A钢试样在不同温度(810°—1200℃)奥氏体化,然后分别进行马氏体或下贝氏体等温淬火,并测定其常规机械性能及断裂韧性,观察热处理后试样的金相组织,对试样断口进行宏观及扫描电镜观察。最后,探索组织与性能的关系。 实验结果表明随着奥氏体化温度的提高,无论马氏体或下贝氏体等温淬火,30CrMnSiNi2A钢的强度缓慢下降,断裂韧性显著提高。奥氏体化温度提高使:(1)奥氏体的成份均匀化好,马氏体等温淬火的位错马氏体相对量提高,贝氏体等温淬火后可看到明显的束状(B_Ⅲ型)下贝氏体;(2)在马氏体或下贝氏体板条间形成适当的残余奥氏体薄膜(约150(?));(3)碳化物或硫化物能较好地溶于奥氏体中;(4)奥氏体晶粒粗大。由于奥氏体晶粒粗大,钢的强度及韧性均要下降。30CrMnSiNi2A钢随奥氏体化温度的提高,断裂韧性也提高,是由于以上(1)、(2)、(3)三项因素起主要作用的结果。     

基于营销策略的企业品牌延伸分析

企业品牌延伸是一把＂双刃剑＂,成功的品牌延伸可以强化品牌效应,提高企业的市场效益;盲目进行品牌延伸会给整个企业带来无法估量的损失。企业实施品牌延伸,应准确确立品牌定位,充分考虑新产品与原产品的关联性,科学选用主副品牌策略和品牌延伸模式,把握品牌延伸的成功时机。     

以职业能力为核心探讨课程教学设计

根据教学实践，结合高职培养目标，以职业能力为核心，介绍了力学课程的教学设计及教学改革实践。     

飞机水面降落的机身载荷研究

文中研究了飞机水面降落的冲击载荷。利用动网格技术控制飞机以及整个计算区域的运动,VOF方法描述气一液界面的运动变化。分析了不同降落速度、飞行速度和降落仰角下,飞机水面降落时机身压强随时间的变化规律。在三种降落条件下,机身压强值的变化规律基本一致。机身压强在入水的初始阶段达到最大值,随后迅速下降,最后保持稳定。同时,随着降落速度、匕行速度和降落仰角的增大,机身压强的最大值也随之增大。与降落速度和降落仰角相比,飞行速度对机身压强的影响程度较小。     

基于对极几何约束的景象匹配研究

提出了一种图像配准方法来解决实时图与基准图空间不对准问题。它是利用随机采样算法估计基本矩阵，恢复实时图与基准图之间对极几何．然后基于对极几何约束．剔除误匹配点．得到精确匹配控制点，计算出全局仿射变换，从而对实时图进行校正。该方法的特点是精确、稳定和全自动。采用真实图像实验结果表明，该方法是行之有效的。     

基于PE文件的病毒防治技术研究

本文提出了两种防范PE文件病毒的技术:一种是分析PE文件格式和病毒对PE文件的感染方式,通过PE自身文件结构的改进来防范病毒;另一种是基于PE文件自我完整性检查的计算机病毒的免疫方法,采用单向散列函数MD5算法抽取摘要,通过比较两个摘要值来判断是否存在病毒,如果存在病毒启用恢复程序来恢复文件。相对于传统的特征码匹配方法,这些技术不依靠病毒库,可以防范未知病毒。     

多功能游标卡尺的改进及应用

介绍改进后的游标卡尺的结构原理及使用。     

导引控制延时对追踪捕获性能影响的研究

在深入分析国内外有关追踪捕获性能研究成果的基础上，就导引控制延时对捕获能力影响的新内容进行了专门研究。在对理想的、无延时假设下获得的理论成果进行系统分析与仿真研究的基础上，采用仿真计算的方法，从捕获概率和追踪过程两个方面，对导引控制延时与导引捕获性能的关系进行了系统研究与分析，获得了关于控制延时对追踪捕获能力和具体追踪过程影响的研究成果。指出如果控制延迟不大于0．02s．对捕获性能没有明显影响。可为导引内回路设计提供参考。     

基于SFEM的结构元件疲劳可靠性分析

将结构元件的弹性模量、泊松比、几何尺寸定义为随机场,并将随机场离散成随机变量,将抗拉强度定义为随机变量,采用Monte Carlo随机有限元法(MCSFEM),给出了元件危险点应力的随机分布。由危险点应力分布、材料的p-S-N曲线和Miner理论给出了概率名义应力法,计算常幅载荷下元件的寿命分布,并利用剩余寿命模型计算元件的可靠度。给出了两个算例,结果表明:计算结果与试验结果吻合良好。     

基于光流算法的粒子图像测速技术研究

光流测量技术作为一种新的空气动力学实验技术,以其像素级分辨率的矢量场测量优势获得广泛的应用。光流测量技术使用光流约束方程,配合平滑限定条件,可以进行速度场测量,获得高分辨率的全局矢量场。首先通过研究积分最小化光流测速理论和算法,采用C++编写光流速度测量程序,然后通过3种典型人工位移图像对光流计算程序进行验证,并将结果和标准位移分布进行比对分析,以指导如何在实际应用中获得高精度光流速度场,最后进行小型风洞后向台阶实验,利用高速相机拍摄示踪粒子图像,使用光流计算程序获得速度矢量场,同采用互相关算法的粒子图像测速计算结果进行比较,体现出光流计算方法像素级分辨率的矢量场测量优势。     

基于TRIZ直接进化理论的切削技术进展

为进一步开发新型切削技术,探索切削加工的未来发展趋势,必须研究和跟踪切削技术的进化历程。TR IZ(T heory of inven tive prob lem so lv ing)技术进化理论是专门研究技术系统进化预测的重要分支。本文着重对TR IZ直接进化理论进行了评述,根据TR IZ直接进化模式,分析和总结了切削技术的进化路线。提出改进的进化潜能图,基于该进化潜能图,指出增加切削技术的可控性、充分利用系统资源和继续增加切削技术的理想度是未来切削技术可能的开发方向。