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用于AgGaS2晶体生长的石英安瓿镀碳工艺研究
引用本文:张建军,王高潮,江洪流.用于AgGaS2晶体生长的石英安瓿镀碳工艺研究[J].南昌航空工业学院学报,2007,21(2):72-75.
作者姓名:张建军  王高潮  江洪流
作者单位:南昌航空大学材料科学与工程学院 江西南昌330063
摘    要:采用金相显微镜、推力分析仪等测试手段研究了石英安瓿内壁镀碳工艺对所镀碳膜的表面形貌、碳膜和石英安瓿结合力的影响。获得了一个较佳的镀碳工艺,即在气体流量为600 ml/min,镀碳温度在1060℃~1100℃之间,镀碳时间为30 min,冷却时间为11 h的条件下可获得均匀、致密而且与石英安瓿内壁结合牢固的碳膜层。采用该工艺镀膜的石英安瓿生长的AgGaS2晶体完整,表面光洁透明,位错密度低,约为6×104cm-2。

关 键 词:AgGaS2晶体  镀碳  工艺  镀碳膜分析
文章编号:1001-4926(2007)02-0072-04
收稿时间:2007-03-21
修稿时间:2007年3月21日

Study of the carbon coating on quartz ampoules for AgGaS2 crystal growth
ZHANG Jian-jun,WANG Gao-chao,JIANG Hong-liu.Study of the carbon coating on quartz ampoules for AgGaS2 crystal growth[J].Journal of Nanchang Institute of Aeronautical Technology(Natural Science Edition),2007,21(2):72-75.
Authors:ZHANG Jian-jun  WANG Gao-chao  JIANG Hong-liu
Abstract:
Keywords:AgGaS2 crystal  carbon coating  technology  carbon films coating analysis
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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