热退火对溅射法Al-Sn共掺ZnO薄膜光电性能的影响

利用射频磁控溅射方法，采用AZO靶和Sn靶共溅射的方法在钠钙玻璃衬底上制备了Al与Sn共掺杂的ZnO (ATZO) 薄膜样品，再对样品进行300，350，370，400，500 ℃ 5种不同温度和1，2，4 h 3种不同时间的退火处理。采用X射线衍射仪(X-ray diffraction, XRD)和扫描电子显微镜(Scanning electron microscope, SEM)对其相结构及形貌进行了表征和分析。结果表明，所制备的ATZO薄膜都是六角纤锌矿结构，在（002）方向上表现出择优生长且表面都较为均匀。采用UV vis分光光度计测试薄膜样品的透过率，结果显 示370 ℃退火2 h的样品在400~760 nm处有87.09%的最高平均透过率，对应的光学带隙为3.40 eV；同时，此样品具有最低的电阻率为4.22×10-2 Ω·cm和最高的载流子浓度和迁移率，分别为6.44×1020 cm-3和4.30 cm2/(V·s)。

Effects of Thermal Annealing on Optical and Electrical Properties of Al-Sn Co-doped ZnO Films by Sputtering