| 衬底温度对共溅射法制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响 |
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| 引用本文： | 李金泽,沈鸿烈,姚函妤,杨楠楠李玉芳,吴斯泰.衬底温度对共溅射法制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响[J].南京航空航天大学学报,2016,48(1):42-47. |
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| 作者姓名： | 李金泽 沈鸿烈 姚函妤 杨楠楠李玉芳 吴斯泰 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学材料科学与技术学院，南京，211106 |
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| 摘 要： | 研究了衬底温度对采用Cu2ZnSnS4靶和Cu靶共溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响。采用拉曼光谱、X射线能量色散谱仪、扫描电子显微镜和紫外 可见 近红外分光光度计对在不同衬底温度条件下制备的Cu2ZnSnS4薄膜
的元素比例、形貌以及光学带隙进行了表征与分析。结果表明制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长遵循不同规律。室温衬底条件下制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长遵循两步法，导致颗粒尺寸和元素分布不均；而在120~200 ℃衬底温度条件下制备的Cu-Zn-Sn-S预置层在溅射过程中已有Cu2ZnSnS4晶粒形成，这些晶粒在后续硫化生长过程中起到形核点的作用，
促进了Cu2ZnSnS4晶粒的长大与元素的均匀分布。随着衬底温度的升高，Cu-Zn-Sn-S预置层及由此制备出的Cu2ZnSnS4薄膜的结晶性变好，Cu2ZnSnS4薄膜的带隙先升高后减小至1.55 eV。
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| 关 键 词： | Cu2ZnSnS4薄膜 共溅射 衬底温度 晶粒生长 |
Effect of Substrate Temperature on Grain Growth of
Cu2ZnSnS4 Thin Film Prepared by Co-sputtering Method |
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| Li Jinze,Shen Honglie,Yao Hanyu,Yang Nannan,Li Yufang,Wu Sitai.Effect of Substrate Temperature on Grain Growth of
Cu2ZnSnS4 Thin Film Prepared by Co-sputtering Method[J].Journal of Nanjing University of Aeronautics & Astronautics,2016,48(1):42-47. |
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| Authors: | Li Jinze Shen Honglie Yao Hanyu Yang Nannan Li Yufang Wu Sitai |
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| Institution: | College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, Nanjing, 211106, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cu2ZnSnS4 thin film co-sputtering substrate temperature grain growth |
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