新型热管冷板传热性能的试验研究

为了有效解决阵列行波管的多热源、高热流散热问题．研制了基于其安装空间尺寸的热管冷板散热装置。热管由8根竖直圆管、冷凝段连通管和蒸发段连通孔组成，其蒸发段嵌入冷板内部，冷凝段伸入冷却水套。试验研究时，在冷板的两个大表面(正反面)各贴上8个电加热片模拟阵列行波管生热，冷板导出的热量由冷却水带走。试验结果表明，所提出的热管冷板传热性能和壁面均温性能良好，满足设计要求。     

飞机电源系统的现状与发展

恒频交流电源有恒速恒频和变速恒频两类.前者由差动机械液压恒速传动装置和恒速交流发电机构成发电系统,在波音和空客系列飞机上应用了几十年,是目前民用飞机电源系统的主流;后者由变速发电机和功率变换器构成发电系统.两者均输出115/200伏、400赫交流电,由于能量经过两次变换,发电效率较低,前者约72%,后者约80%.     

国产非加固CMOS电路低剂量率辐射效应的研究

在不同剂量率下进行辐照试验,半导体器件的失效剂量和失效机理可能不同。文章对国产非加固 CMOS 电路 CC4007分别在低剂量率和高剂量率下进行辐照试验,并将试验结果进行比较。辐照剂量率为0.0001、0.001、1Gy(Si)/s。对高剂量率辐照的器件进行了100℃168h 退火试验。试验结果表明,在低剂量率下辐照器件电参数退化相对小些,但失效模式同高剂量率下的一样,失效是由于静态漏电大。试验还表明对国产非加固 CMOS 电路用高剂量率辐照试验进行评估是不准确的。     

卫星用半导体器件失效模式和机理分布

以中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心1987～1990四个年度数百份失效分析报告为依据,得到卫星用半导体器件解剖前失效模式分布:逻辑失控占36.3%,开路占22.2%等;失效机理分布:铝腐蚀占1 6.3%,使用不当占14.6%等。该项研究以第一手数据首次全面、系统指出卫星用器件失效模式和机理。为卫星可靠性设计、优选器件厂及器件厂采取措施提供重要依据。     

新型宽带SiC功率器件在电力电子中的应用

新型宽带SiC功率器件由于其突出的性能优势在电力电子领域得到了广泛应用。首先介绍了SiC功率器件的发展现状,其次阐述了其性能特点,最后给出了SiC功率器件目前在新能源、民用输配电、航空航天等场合的应用情况,指出了SiC器件在电力电子领域的应用前景。     

浅谈如何选用变频器

变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。我们现在使用的变频器主要采用交一直一交方式（VVVF变频或矢量控制变频）,先把工频交流电源通过整流器转换成直流电源,然后再把直流电源转换成频率、电压均可控制的交流电源以供给电动机。变频器的电路一般由整流、中间直流环节、逆变和控制4个部分组成。整流部分为三相桥式不可控整流器,逆变部分为IGBT三相桥式逆变器,且输出为PWM波形,中间直流环节为滤波、直流储能和缓冲无功功率。     

空间质子直接和非直接电离引发单粒子效应的地面等效评估试验方法

以40 nm和65 nm CMOS工艺SRAM为样品,进行质子辐照单粒子效应试验研究,以建立空间质子引起单粒子效应的地面等效评估试验方法。分别进行低能质子直接电离、高能质子核反应和重离子直接电离引起的单粒子翻转试验;根据获得的试验数据,分析讨论给出空间质子引起半导体器件单粒子效应的地面等效评估试验方法:对低能质子直接电离引起的单粒子效应,基于LET等效采用重离子进行试验;对高能质子非直接电离引起的单粒子效应,采用高能质子进行试验;根据地面质子和重离子辐照试验数据,结合空间辐射环境模型,预计由空间质子辐射引起的器件在轨单粒子翻转率。     

半导体器件的过应力损伤

半导体器件的过应力损伤问题是危害电子产品可靠性的首要问题。过应力损伤包括电过应力损伤、机械过应力损伤和过高温度损伤。为减少半导体器件在使用现场发生失效，提高经济效益，详细地介绍了半导体器件在使用过程中易发生的过应力损伤。