新千年的相控阵

这篇综述文章概述了针对地面、舰船、飞机和空间应用的无源、有源双极型和单片式微波集成电路（MMIC）相控阵近期的发展和未来的趋势。文章论及THAAD（以前是GBR）、欧洲COBRA和以色列的BMD雷达天线；荷兰舰载APAR；机载的有美国F-22、欧洲AMSAR、瑞典AESA、日本FSX和以色列Phalcon；Iridium(轨道上66颗卫星共198个天线)和Globalstar MMIC星载天线；Thomson-CSF晶片集成94GHz导引头天线；数字波束形成；行和列铁氧体电扫描；通讯和雷达的光电扫描；通信、雷达、电子对抗（ESM）和ESM的MMIC C波段至Ku波段的高级共享孔径计划（ASAP）天线系统；以及连续横向短线（CTS）可变电压介质（VVD）天线。     

一种高速卷积编解码器的FPGA实现

在现场可编程逻辑器件(FPGA)的基础上，采用模块化设计，将超高速集成电路硬件描述语言(VHDL)和原理图混合输入，设计了一种可实现数据高速传输的卷积编码器和维特比译码器。在编码器和译码器中采用(7，3／4)增信删余方式以提高编译码效率。设计的维特比译码器速率可达100Mb／s。     

电子封装金属基复合材料的研究现状

本文介绍了电子封装用金属基复合材料的研究现状，分别从基体、增强体、制备工艺几方面讨论了其对得合材料性能的影响，着重介绍了作为电子封装材料应用前景较好的高比例SiC颗粒增强铝基复合主其已部分实现规模工业化生产的铸造法，并进一步提出了尚待解决的问题。     

国内外混合集成电路生产与选用要求对比分析

分析了欧洲标准,美军标及我国军用标准对混合集成电路内部元器件的检验和评价要求。对NASA,欧洲等国外宇航机构对混合集成电路的要求进行了对比分析,提出了我国宇航用混合集成电路要求的建议,对建设我国宇航用元器件标准体系提供借鉴。     

一种超低压超低耗NMOS衬底偏置混频器

使用两对NMOS管和衬底偏置技术,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,为卫星导航双系统兼容接收机的射频集成电路芯片设计了一种超低压、超低耗NMOS衬底偏置混频器(NBBM,NMOS Bulk-Biased Mixer).以其中的GPS系统为例:射频信号、本振信号和中频信号分别为1575.42MHz,1570MHz和5.42MHz.测试表明:在1V电源电压下,驱动差分负载阻抗1000Ω时,混频器消耗电流约为1.37mA,变频增益( G_C )超过2.11dB,输入1dB压缩点( P _in-1dB)约为-13dBm;若加入运放驱动,变频增益可超过14dB,但会带来线性度的降低、功耗以及面积的增加.     

面向星载应用的图像压缩专用芯片研制

以高数据吞吐量和低系统结构复杂性为优化目标,根据图像传感器输出特点,综合应用双缓存、数据流驱动、并行处理与流水线设计、同步电路设计等多项关键技术,设计了具有数据处理速度和超大规模集成电路VLSI(Very Large Scale Integrated)结构复杂性最佳匹配的空间域重采样压缩算法VLSI结构,该结构的压缩性能仅与图像宽度相关,与图像传感器输出时序无关,既可以采用外部时钟,又可使用与图像传感器相同的时钟源,在这2种情况下,都能够保证在无限长时间内,在连续工作状态下,每个时钟周期实时处理一个图像数据.实践证明,基于该VLSI结构的压缩专用芯片,处理速度快,功耗低,满足星载应用高速实时与低功耗要求.      

遥感卫星应用系统中同步复接技术的应用与研究

主要论述了同步复接技术在高速传输型对地观测卫星地面应用系统中的应用(Quick Look System),井就影响帧同步性能的关键单元做了论述;同时提出了几种不同的实现方案,并就各自的优缺点进行了探讨及理论分析。     

航空航天用CQFP封装复杂集成电路振动夹具优化设计

针对航空航天对复杂集成电路振动试验的严酷条件以及芯片封装的复杂特性,文章以某航空航天用CQFP228封装复杂集成电路振动夹具设计为实例,采用基于ANSYS Workbench软件的拓扑优化和多目标遗传算法（MOGA）对振动夹具进行结构设计优化,并对夹具结构进行扫频振动及随机振动响应仿真分析,最后通过试验证明了夹具设计的有效性及合理性,有效解决了集成电路夹具设计中容易出现的试验共振、动态响应差和夹具质量过大等问题。     

PROM HS—6664RH与27C64兼容性探讨

ＰＲＯＭＨＳ┐６６６４ＲＨ与２７Ｃ６４兼容性探讨杨桦王守强吴鑫涛胡英何键（北京控制工程研究所,北京１０００８０）（１）前言ＨＳ－６６６４ＲＨ（即ＲａｄｉａｔｉｏｎＨａｒｄｅｎｅｄ８Ｋ×８ＣＭＯＳＰＲＯＭ）是Ｈａｒｒｉｓ公司生产的抗辐射加固芯片,自１９...     

基于HEMT的单片微波集成放大器设计

 介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法,电路核心为高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT).针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑,在HEMT的输入端并联一个200Ω电阻,用HP-EESOF公司的Libra2.1软件进行了小信号电路仿真与设计.仿真结果表明设计的放大器是绝对稳定的,在2~3GHz频带内增益为14.2dB,纹波小于0.4dB,噪声系数约2.7dB,满足实用要求.