脉动压力传感器研制

测量脉动压力用压阻式压力传感器，通过有限元应力分析求得灵敏度高，线性又好的双岛硅膜片结构；采用双面对准光刻工艺，各向异性腐蚀微机械加工制硅膜片等新技术。最后给出了脉动压力传感器的动、静态性能指标。     

微谐振式压力传感器的差动输出设计与建模

提出一种应用于微谐振式压力传感器的敏感结构,其一次敏感元件为矩形硅膜片,膜片的上表面架设有三个两端固支的硅谐振梁,间接感受压力作用,根据膜片上不同位置设置的硅谐振梁的固有频率对于压力变化有不同的变化规律的特点,实现对被测压力的差动输出检测。针对这种结构,建立被测压力与谐振梁固有频率的数学模型。设计实际尺寸参数进行计算分析,得出谐振梁的分布位置和几何参数对其振动特性的影响规律,给出了由差动输出解算压力的公式,验证了所提出的结构的设计思想和优化参数的可行性。     

热激励谐振式硅微结构压力传感器

对一种以方形硅膜片作为一次敏感元件,硅梁作为二次敏感元件的热激励硅谐振式压力微传感器进行了较系统的研究 :建立了微传感器敏感结构的工程用数学模型;以所建立的模型实际设计了敏感结构参数 :方形膜边长 4 mm,膜厚 0.1 mm,梁谐振子长 1.3mm,宽 0.0 8mm,厚 0.0 0 7mm;采用微机械加工工艺加工出了原理样件;采用电热激励、压阻拾振方式对其进行了开环测试     

硅谐振梁式压力微传感器边界结构参数优化

对一种硅谐振式压力微传感器敏感结构的边界结构参数进行了优化设计。所讨论的敏感结构以方形硅膜片作为一次敏感元件,直接感受被测压力。在膜片的上表面制作浅槽和硅梁,以硅梁作为二次敏感元件,间接感受被测压力。为减少敏感结构内外能量耦合,提高振子的Ｑ值,采用有限元仿真分析的方法,优化敏感边界结构参数。     

提高膜片式F-P腔光纤压力传感器灵敏度的试验研究

膜片式F-P腔光纤压力传感器是基于法布里-珀罗干涉原理,采用微电子机械系统(MEMS)技术加工而成。在实际应用中,不同的测试环境对传感器灵敏度的要求各不相同,如果针对不同灵敏度,分别采用MEMS工艺批量化生产,则会造成生产成本过高,经济化效益降低。本文利用湿法腐蚀的方法对传感器进行膜片减薄试验,在一定范围内提高了传感器的压力灵敏度,从而满足了不同的测试需求。膜片减薄后,传感器的灵敏度可达34.2 nm/kPa,压力标定曲线的线性度为0.9997,传感器的非线性误差为0.05%,能够实现0~120 kPa(绝压)范围内压力的准确测量。     

微压压力传感器的结构改进

硅压力传感器具有小型和高灵敏等的优点，近年来小型高灵敏度的压力传感器的量程已低到１ｋＰａ。在这一发展过程中硅弹性体结构的改进起了很大的作用，本文介绍了作者首先提出了适用于微压压力传感器的梁膜（岛）结构以及以后几年来出现的相近的结构，用这些结构都已制成量程为１ｋＰａ的压力传感器 。     

CGW—1单晶硅微压传感器简介

一、结构与工作原理 CGW-1单晶硅微压传感器是利用硅的压阻效应,以硅平面工艺为基础制成的一种新型压力传感器,也称压阻传感器。其结构如图。硅膜片组件是传感器的核心,在N型(111)硅膜片(图右部)的<110>晶向上,在等效应区扩散12个P型电阻,选择一组最佳电阻组成电桥,以直径为50微米的金丝热压焊在扩散电阻的铝电极上,并将另一端以锡焊联到绝缘子的柯伐丝上,组成四臂全差动惠斯登电桥。膜片与硅环用金硅共熔法形成刚性连接。硅膜片组件装于壳体与隔环中间,用螺纹压盖通过O型密封圈将其轴向压紧,构成密封压力腔,并     

石英谐振加速度传感器芯片设计与仿真

分体式石英谐振加速度传感器在性能提升上受到装配误差等因素的影响较大，故提出一种全石英谐振加速度计芯片结构，包括下层的硅结构和上层的石英结构。下层的硅基底仅作为支撑结构进行加工制作，敏感单元为全石英材料，硅结构与石英结构键合到一起，结构加工完成后去除硅材料，以释放石英敏感单元。整体结构为中心对称，包括质量块、音叉结构、微杠杆结构和应力分配梁，芯片通过微杠杆结构来增大传感器的灵敏度，并通过应力分配梁使石英音叉两根振梁上的内应力均匀一致。通过仿真验证了设计的有效性，仿真的差动灵敏度为35Hz/g。     

低量程高精度应变式压力传感器研制

为了提高低量程应变式压力传感器的精度,将测力轮毂应变梁与带中央硬芯的测压膜片相结合,构成了新颖的梁膜一体的弹性元件。通过有限元方法对弹性元件的结构参数进行匹配,找到了最佳参数值,并制作实物加以验证,表明所选参数是适当的,使传感器的精度得到了大幅度提高,满足了低量程压力范围内高精度测量的要求。同时该传感器具有结构简单、易于加工装配、成本低廉的特点,符合传感器技术发展的需要。     

静电封装技术在硅真空膜盒上的应用

静电封装是继玻璃烧结等新工艺后又一种能实现硅敏感膜片刚性联结的理想工艺方法,并日益在制造硅压阻式各型传感器的硅膜盒组件上显示出其优越性。本文着重介绍静电封装技术在硅真空膜盒上的应用,我们建立了一个小于5×10~(-5)毫米汞柱绝对压力的基准压力参考值。这使研制的压阻式绝对压力传感器具有精度高、稳定性好的突出性能。1.静电封装的提出利用单晶硅材料的压阻效应,用半导体平面制造工艺做一个敏感元件-硅膜片。把硅膜片加工成诸如硅杯形一体化整体结构,使其成为周边固定的薄板膜片,有选择地采用胶粘、     

一种应用于超小型无人机的新型定高传感器

使用美国ICSENSOR公司的压阻硅式绝压传感器，对静压进行测量，并设计出适合超小型无人机使用的新型定高传感器，这种定高传感器具有灵敏度高，重量轻，单电源供电，板式结构。可靠性高，重复性好的特点，填补了应用于超小型无人机的定高传感器产品的空白。     

热激励谐振式硅微结构压力传感器温度场研究

针对一种以方形硅膜片为一次敏感元件、硅梁谐振子为二次敏感元件 ;采用电阻热激励、压敏电阻拾振的压力微传感器 ,分析了其工作机理 ;依幅值、相位条件讨论了该谐振式微传感器的闭环自激系统 ;建立了微传感器的温度场模型和热应力模型 ,并进行了仿真计算与分析     

一种应用于超小型无人机的定高系统设计方案

作者使用PC104计算机和美国ICSENSOR公司的压阻硅式绝压传感器,设计出适合超小型无人机使用的新型定高系统。这种定高系统具有灵敏度高、质量轻、耗电少、一体化板式结构、可靠性高、重复性好的特点,是一种全新的尝试。     

柔性热敏薄膜传感器阵列工艺研究

分析了热敏薄膜传感器测量流场温度和壁面剪应力的原理,选择聚酰亚胺为衬底材料,金属镍为热敏材料,提出了一种电镀引线的柔性热敏薄膜传感器阵列结构及其制作工艺.经热敏性能测试,该柔性热敏薄膜传感器阵列结构简单,可贴附于高曲率复杂表面,实现非破坏动态流场参数测量.     

工艺偏差对压阻式硅微压力传感器性能的影响

工艺实践表明,采用体硅湿法刻蚀工艺加工压阻式微型压力传感器时,敏感膜片会存在厚度偏差,电阻条偏离应力最大区域导致位置偏差,电阻条偏离期望的[110]晶向造成角向偏差.结合工艺实验并借助有限元法分析了上述几种主要工艺偏差对灵敏度、线性度等性能的影响.研究表明,2μm的厚度偏差会使灵敏度下降大约10%,线性度会明显下降;位置偏差会使敏感元件偏离应力最大区域而降低灵敏度:5°的电阻条角向偏差会使灵敏度下降大约3%.相关研究可为最大程度减小工艺偏差的影响提供参考依据.     

航天器用薄膜温度传感器的研制及性能研究

飞行器以高超声速飞行时瞬间温升可达1 600℃以上,为了保证飞行器的可靠和运行安全,准确实时测量热防护系统表面温度显得尤为重要。针对高温环境实时测温的技术难题,结合磁控溅射技术和陶瓷烧结技术,提出了一种引线和传感器基底一体化的微小型高温薄膜温度传感器结构。采用高温检定炉对传感器陶瓷基底的高温绝缘性进行了测试,并使用多种微观形貌表征方法对传感器主要结构材料进行筛选,得到薄膜温度传感器制备所需的最佳材料组合。进行了薄膜温度传感器静态标定和综合性能高温考核试验,结果表明,所研制传感器灵敏度、重复性的变化与标准热电偶基本保持一致,在实际环境温度低于1 500℃时,传感器测量误差不超过4‰,可在1 200℃高温环境中连续准确测温6 h以上,且测温上限高达1 800℃,验证了该传感器在高温环境中进行测温的可行性和实用性,为航天器表面温度测量和热防护系统优化提供科学依据。     

单晶硅纳米加工机理的分子动力学研究

对内部无缺陷的单晶硅的纳米切削过程进行了分子动力学模拟.通过模拟结果,对单晶硅纳米切削中的切屑形成过程和加工表面的形成过程做出了合理的解释.并用第一原理应力计算方法对单晶硅纳米切削过程中的脆塑转变的可行性进行了研究.     

基于电涡流传感器测厚及材质鉴别的研究

电涡流传感器是基于电涡流效应工作的,具有灵敏度高、频响范围宽、可实现非接触式测量及适用性强等特点.此种传感器在金属镀层、板材厚度测量及材质鉴别中应用广泛.电涡流传感器有两种类型:低频透射式和高频反射式.低频透射式适于测量较薄的金属镀层或板材的厚度.高频反射式则适于测量较厚板材的厚度.     

控制电位电解法氯气传感器

研制的控制电位电解法氯气传感器,采用聚四氟乙烯(PTFE)多孔憎水膜和超细微粒金粉经加压复合制备的扩散电极.本文阐述了该传感器的原理,并对结果进行了讨论和分析.