变势能阱双稳态气动弹性能量收集的性能增强研究

提出一种新型的磁耦合变势能阱双稳态压电颤振能量收集器，设计了外部磁场作用下颤振能量收集系统的双稳态构型，并利用弹性支撑的外部磁铁的运动实现了变势能阱技术，解释了变势能阱双稳态对颤振能量收集系统的性能增强机理。建立了磁力-压电-气动弹性耦合的颤振能量收集系统的动力学分析模型，根据非线性磁偶极模型以及平衡点稳定性理论，讨论了系统出现双稳态构型的参数条件。对磁耦合双稳态颤振能量收集系统的动态特性进行了数值仿真研究，结果显示，双稳态构型能够使无磁力颤振能量收集系统的超临界颤振行为转变为亚临界颤振，发生极限环振动的风速能够降低50%以上，拓宽了能量收集器的有效工作风速范围，并分析了磁铁间距、磁偶极矩对能量收集性能的影响规律。采用弹性支撑的外部磁铁的运动来自适应调节内外部磁铁之间的距离，达到变势能阱的目的，有效地降低了双稳态的势能阱深度，使系统更容易发生双稳态势能阱间的跃迁运动，从而在双稳态的设计基础上，实现了能量收集工作风速范围和输出电功率的同步提升，为低风速下的能量收集提供了一种有效的设计途径。     

机载托架自动校准系统的设计与实现

为了解决机载托架传统校准方法精度低、耗时、费力等问题,设计了一种高精度、高效率并且操作简单的成品托架自动校准系统。该系统运用调平精度较高的"循环多次"最高点不动调平方法,建立高精度机载托架校准的静力学数学模型,运用VC与Matlab的COM接口编程技术开发机载托架自动校准系统,并建立良好的人机交互界面。试验结果表明,利用该方法对机载托架进行校准,无论是校准精度还是校准效率都较传统方法有很大提高。     

基于MFC的内存垃圾自动收集器的设计与实现

通过分析Win32虚拟存储机制和C 对象分配机制，设计并实现了基于MFC的两种类型的内存垃圾收集器类及类模板：一种面向Win32的虚拟内存操作；另一种面向对动态类对象分配的操作，应用此类可有效地防止内存泄漏现象的发生。     

基于MFC和COM的圆柱螺纹量规参数自动化计算与报表

在VC 6.0开发环境下,完成了基于MFC库和COM技术的公制圆柱螺纹量规大径、中径与小径的基本尺寸和极限偏差的自动化计算程序,中径计算过程计入了测量力等影响因素在内的综合修正量.实现了多量规的批量输入与管理,并将结果按需输出为Excel文档,留作测量过程的参考文件.文中详细介绍了软件的功能模块划分,数据的组织方式与功能的具体实现步骤.软件试用结果表明,该工作有效地解决了螺纹量规检定中需频繁查表、计算复杂且出错率高等问题,较大程度地提高了工作效率.     

提高压电式直线电机推力新技术

介绍了蠕动式、脉冲式、行波式及表面波式等几种压电直线电机的改进措施和进展情况，其中微脊式蠕动直线电机和表面波直线电机极有可能成为今后压电直线电机的商品化市场的新产品方向。     

基于OpenGL的地球／地图三维模拟软件设计

OpenGL作为现今开放的三维动画显示设计环境，以其高效快速、稳定可靠在三维仿真领域得到广泛应用。而地球及地图视图的三维模拟又是现今游戏动画设计及GIS系统中重要的组成部分，本文便针对地球运动、地图显示及空对地波柬指向位置及范围，用VC／MFC的文档视类结构，C＋＋类的面向对象技术，以OpenGL作为图形丹发平台，设计了广泛通用的动画演示软件，为游戏及GIS系统设计人员提供了一定参考及指导意义。     

压电驱动自耦合射流流动特性实验

为了研究压电驱动狭缝喷口自耦合射流的流动特性,采用PIV、热线风速仪测试手段,对自耦合射流激发器在不同激励因素下的流场和速度场分布进行了实验和分析.结果显示,自耦合射流在狭缝出口处产生了反向涡对,随着自耦合射流的发展,射流呈现出在喷口短轴方向急剧向两侧扩展、而在喷口长轴方向先收缩后缓慢扩展的流动特征;自耦合射流的速度分布在法线方向呈现先上升后下降的趋势,在z/b=10左右速度达到最大值;在射流展向上,短轴方向速度呈规律的对称分布和速度自模的特征,而长轴方向速度近喷口区域呈现马鞍状分布,随着法向距离增加这种趋势消失.研究中发现,激发器存在两个谐振频率,在谐振频率激发下自耦合射流的速度和涡量比较大.与常规射流相比,自耦合射流显示出了独特的流动特性.     

液体压力激波加工技术研究

机械产品的零部件，通常需要通过成形与改性才具有所需形状及实用功能，本文提出了一种新型材料成形与改性加工的方法——液体压力激波加工。采用脉冲超声波聚焦技术，通过压电陶瓷激波发生器在液体介质中产生高能瞬时压力激波，对材料进行冲击，产生变形或表面改性。经过理论研究和试验验证，初步掌握了液体压力激波的产生、激波能量的控制和激波加工的动力学机制。这种加工方法具有能量可控性好、成本低廉和安全高效等优点，非常适合具有复杂结构和型面的中小零件加工，是一种颇具竞争力的先进制造技术手段。     

CMOS集成硅压力传感器

新型的CMOS集成硅膜压力传感器由一个含四个压阻元件的电桥电路,一个放大器和一个新设计的能抑制电源电压变化和温度漂移的激励电源电路组成。敏感元件用自准直双元硅门CMOS工艺技术制得。方形的硅膜片由异向腐蚀剂N_2H_4·H_2O经腐蚀加工而成。在0～70℃范围内,灵敏度和偏置电压的温度漂移量小于±0.5％。这些数据比常用的杂化技术制得的元件所达到的数值小。利用新设计的激励技术,当电源电压变化±10％时,灵敏的变化不超过±1.5％。