阳极氧化铝模板法制备CoPt纳米管

采用电化学直流沉积,首次在氧化铝模板中成功制备出直径为50 nm的CoPt纳米管高度有序阵列。利用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)以及振动样品磁强计(VSM)对样品的结构和磁学特性进行测试。分析表明,CoPt纳米管是以面心立方(fcc)结构存在。当外加磁场与纳米线平行时,CoPt合金纳米管的矫顽力达450 Oe,这种大面积制备的CoPt纳米管希望在超高密度信息磁存储上得到应用。     

掺磷纳米硅薄膜的微结构

采用喇曼(Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨.结果表明:掺磷纳米硅薄膜由尺寸为2～4*#nm的晶粒和2～3个原子层厚的非晶界面构成,计算得到薄膜的晶态比为40%～55%.与本征纳米硅薄膜相比,掺磷纳米硅薄膜晶粒尺寸和晶态比没有明显变化,电导率却提高了2个数量级.随着掺磷浓度增加,纳米硅薄膜的晶粒尺寸、晶态比及电导率逐渐增大.AFM观察表明掺磷纳米硅薄膜由尺寸介于15～20*#nm的团簇构成,团簇排列具有带状特征.     

Preparation,Growth Mechanisms and Characterizations of ZnSe Films via the Solvothermal Method

With diethylamine as a solvent, ZnSe films were formed on the Si substrate directly from zinc and selenium through the modified solvothermal method. The effects of holding temperature, deposition time and substrate surface treatment on the quality and morpholo-gies of the ZnSe films were investigated. The growth mechanism of ZnSe films was proved to be a layer-nucleation growth process, which was tied in with the Stranski-Krastanov (SK) model. ZnSe films were identified by the X-ray diffraction pattern (XRD), the scan-ning electron microscope (SEM), the X-ray photoelectron spectroscope (XPS) and the photoluminescence (PL) techniques. The results indicate that the modified solvothermal method with diethylamine as a solvent is suitable to prepare high quality ZnSe films.     

Study on the Microstructure and Dielectric Properties of Barium Strontium Titanate Thin Films Prepared by Sol-gel Method

Sr05Ba0.5-xBixTiO3 （BST） thin films were fabricated on a Pt/SiO2/Si substrate by the sol-gel method. Then follows an investigation of the influeoces of bismuth （Bi） on the microstructures and the dielectric properties of Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3 （BST） thin films. The microstructures of the BST thin films were examined by the XRD and the TEM techniques. Tetragonal perovskite crystal grains were observed in BST thin films. Increasing Bi^3＋ doping ration in BST will lead to decrease of the grain size. It is found that Bi^3＋ doping decreases the dielectric loss and improves the frequency dispersion of the BST thin films. Not only is compressed the peak of temperature-dependence of dielectric constant of Bi^3＋-doped BST thin films but also moves into the low-temperature region. Moreover, the average Curie tem- perature decreases gradually with the Bi^3＋ contents increasing.     

离子镀Ti(N,C)耐磨镀层成分与性能研究

 用空心阴极离子镀技术,在常用的不锈钢(1Cr18Ni9Ti)基材上,镀制Ti(N,C)耐磨镀层。对镀层的成分进行了分析,讨论了镀层成分的耐磨性,显微硬度和附着力的影响。通过对Ti(N,C)镀层与TiN和TiC镀层性能的对比,肯定了Ti(N,C)复合化合物镀层具有更优越的耐磨性和附着力。     

制备工艺对金刚石形核质量的影响

研究了制备工艺对微波等离子体ＣＶＤ金刚石成膜质量的影响。详细讨论了基片在等离子体中的位置、基片台结构、Ｎ２等离子体预处理及启动条件对金刚石成膜均匀性的影响。提出了能获得均匀金刚石膜的制备工艺程序。     

具有纳米结构的 VO_2 相变薄膜

采用无机溶胶－凝胶法制备ＶＯ２相变薄膜，该薄膜相变时的电阻（率）突变可达４～５个数量级。并用ＸＲＤ，ＤＳＣ和ＴＧＡ法研究了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构。通过适当的非晶晶化过程及随后Ｖ２Ｏ５→ＶＯ２转变的真空热处理，可获得带有空洞（ｖｏｉｄ）结构的低密度纳米薄膜，从而使电阻（率）突变特性异常优异     

BH新型憎水剂及其憎水膜层“三防腐蚀”性能研究

研究了BH系列(BH 102和BH 103)憎水剂的合成工艺、技术指标、憎水处理成膜工艺以及憎水膜层的憎水效果和耐腐蚀性能。结果表明,BH系列憎水剂的憎水效果良好,在零件表面形成的憎水膜层能达到105°以上的憎水角;同时经BH系列憎水剂处理后的钢铁磷化表面的耐腐蚀性能得到明显改善,具有优良的"三防腐蚀"性能,其中含有复配缓蚀剂的BH 103憎水膜层的耐腐蚀性更优于添加单一缓蚀剂的BH 102憎水膜层。     

前处理工艺对航空铝锂合金硫酸阳极氧化膜层性能影响

针对一种新研制的航空用Al-Li-Cu-Zn-Mg系铝锂合金,采用了光学显微镜、电子显微镜和能谱分析技术,分析碱腐蚀和三酸脱氧两种不同前处理工艺对铝锂合金硫酸阳极氧化膜层的外观、耐蚀性和疲劳性能的影响规律。结果表明:相比三酸脱氧工艺,碱腐蚀工艺对铝锂合金表面的腐蚀程度较深,晶界处的耐腐蚀能力较差,硫酸阳极氧化膜层表面形成了网状晶界形貌;采用碱腐蚀处理的试样疲劳寿命较三酸脱氧处理试样更低,而不同前处理后经过硫酸阳极氧化的试样疲劳寿命相差不大。不同前处理对铝锂合金的硫酸阳极氧化膜层的耐蚀性的影响不大。     

2198和5A90铝锂合金脉冲阳极氧化膜制备及耐蚀性

在18%(质量分数,下同)H_2SO_4+5%C_2H_2O_4水溶液中,采用脉冲(PC)电流对2198和5A90两种铝锂合金进行阳极氧化处理。用扫描电子显微镜(SEM)观察铝锂合金阳极氧化膜表面和截面形貌;用能谱仪(EDS)对其成分进行面扫描和线扫描;用动电位极曲线检测氧化膜在3.5%NaCl水溶液中的耐蚀性。结果表明:2198和5A90铝锂合金阳极氧化膜主要由Al的氧化物组成;2198合金氧化膜表面存在细小颗粒,厚度约为150μm;5A90合金氧化膜表面存在微孔,为后续封孔处理提供结构条件,厚度约为180μm;用脉冲方法在两种铝锂合金表面生成的较厚阳极氧化膜具有较高的耐蚀性。