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21.
22.
方次尹 《航空精密制造技术》1995,(2)
评述了多芯片组件(MCM)、晶片规模集成(WSI)、3—D堆垛技术以及3—D封装的概念、结构和特性.重点介绍了MCM在航空机载电子设备中应用的实例,简要地描述了下一代微电子技术的某些发展方向. 相似文献
23.
张明德 《世界航空航天博览》2005,(10):73-79
50—60年代时由于发射机技术的单一,当时的发射机不是只能发射连续波信号,就是只能发射脉冲信号.因此干扰机也只能够在单模式下使用,舰艇需各配备一套噪声与欺骗干扰机才能同时具有干扰与欺骗干扰能力。70年代后由于能够工作在连续波与脉冲波两种模式的行波管放大器的实用化,同时出现了具备噪声干扰与欺骗干扰的双模式干扰机,同一部干扰机既能发射压制性的连续波噪声干扰,又能产生应答式的欺骗脉冲干扰,发射脉波时的峰值功率可较发射连续波时高数十倍.从而增加了干扰机的运用弹性:干扰机依据状况的不同可产生压制性的连续波噪声干扰,也可产生欺骗的脉波信号.目前绝大部分的主动干扰机都已同时拥有噪声与欺骗干扰2种作业模式,可在双模式下作业。而拜微波集成电路技术进步之赐.90年代后小型.可以火箭动力擦布或置于小艇上拖曳的舷外主动雷达诱饵也逐渐实用化.可与现有电子战系统整合以对抗单脉冲导弹导引头的威胁。 相似文献
24.
介绍一种微机通用14位高精度A/D、12位D/A转换器的设计与调试方法,特别着重总结在抗干扰和提高精度方面的经验与体会。 相似文献
25.
针对军工产品上所用电器元件,需在振动、冲击、离心等试验中,监视其触点的接触可靠性,基于这种要求,介绍了一种10μs的监视电路,实践证明其抗干扰的性能和精度都是可靠的。 相似文献
26.
27.
随着集成电路的集成度越来越高,芯片的发热量越来越大且其内部温度呈不均匀分布,这会影响关键路径的传播延时,进而影响基于缓冲器插入的关键路径性能.提出了一种考虑芯片热效应布局优化的缓冲器插入时序优化方法,在版图设计的早期估计芯片的热分布和温度分布并且把其应用到版图布局优化和RC延时模型中.同时利用模拟退火算法基于热分布调整并优化布局,最后在最优布局下利用提出的缓冲器插入模型和快速插入算法进行时序优化.仿真结果表明相对于不考虑温度效应布局优化的缓冲器插入方法,缓冲器插入延时优化方法能有效降低最坏延时和缓冲器插入数目,最坏延时比传统方法降低9%~18%,比文献已经提出的最好方法降低5%~7%,缓冲器插入数比其少10~20个. 相似文献
28.
29.
30.
SRAM FPGA电离辐射效应试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对SRAM FPGA空间应用日益增多,以100万门SRAM FPGA为样品,进行了单粒子效应和电离总剂量效应辐照试验。单粒子试验结果是:试验用粒子最小LET为1.66 MeV·cm2/mg,出现SEU(单粒子翻转);LET为4.17 MeV·cm2/mg,出现SEFI(单粒子功能中断),通过重新配置,样品功能恢复正常;LET在1.66~64.8 MeV?cm2/mg范围内,未出现SEL(单粒子锁定);试验发现,随SEU数量的累积,样品功耗电流会随之增加,对样品进行重新配置,电流恢复正常。电离总剂量辐照试验结果是:辐照总剂量75 krad(Si)时,2只样品功能正常,功耗电流未见明显变化。辐照到87 krad(Si)时,样品出现功能失效。试验表明SRAM FPGA属于SEU敏感的器件,且存在SEFI。SEU和SEFI会破坏器件功能,导致系统故障。空间应用SRAM FPGA必须进行抗单粒子加固设计,推荐的加固方法是三模冗余(TMR)配合定时重新配置(Scrubbing)。关键部位如控制系统慎用SRAM FPGA。 相似文献