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为进一步研发新型特种推进剂品种,向推进技术应用领域发展和延伸,开展了NM(硝基甲烷)/RDX/Nano-Al膏体推进剂配方研究,并对其能量、流变以及燃烧性能进行了分析。结果表明:采用最小自由能法估算膏体推进剂配方比冲为2674.2 N·s/kg;膏体推进剂流变行为遵循Herschel-Bulkley本构方程,在0~30℃范围内,假塑性指数n小于1,属于非牛顿假塑性流体,同时膏体推进剂具有明显的触变性以及蠕变-回复特性,在角频率为1Hz且低应力下(≤50Pa),膏体推进剂储能模量(G′)大于损耗模量(G′′),此时具有较稳定的三维网络结构;与含纳米铝热剂Nano-Al/Pb O双基系推进剂相比,膏体推进剂在10~15MPa压强范围内燃速较快,但在低压下未燃。 相似文献
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为改善RBCC进气道在高马赫数下喉道段变几何部分的连接和气动热问题,参考外并联TBCC进气道的变几何方案,对RBCC进气道进行了外并联变几何研究。在低马赫数区间,通过调节使进气道获得合适的总收缩比和两通道的相同内收缩比,使得两通道喉道和出口截面的性能参数相近来减小掺混损失和达到相近的抗反压能力。在高马赫数区间,关闭低速通道,高速通道型面不变。数值模拟结果表明:在来流马赫数2.0,2.5,3.0,3.5下两通道喉道和出口截面的平均马赫数相差在0.05范围内,流量系数保持在0.7左右;在整个工作范围Ma=2~6内流量系数较高,总体性能较优,该变几何方案是正确可行的。 相似文献
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本文阐述了对4000系列美国舱外航天服(EMU)手套和实验中混合弹性航天服手套的评估和比较。由于今后几年在国际空间站(ISS)建造和维护过程中日益增加的舱外活动(EVA),要求手套具有很高的灵巧性和活动性并能最大程度地减小航天员的手部疲劳。手套的设计通常被认为是航天服中最复杂、要求最苛刻的部分,大量报道已证实,上加压手套会引起性能和抓握力损失。更加灵巧的手套要求更低的代谢量,这种发展是今后主要的探索目标。 相似文献
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针对涡轮动力装置电子控制器的控制逻辑检测和调试问题,本文提出了一种采用电子仿真试验器替代真实涡轮动力装置的方法。将电子仿真试验器与电子控制器构成闭环控制同路,从而实现对涡轮动力装置闭环运行过程的模拟。仿真试验表明,利用该电子闭环仿真试验器能较好地模拟涡轮动力装置系统的实际工况,为涡轮动力装置电子控制器的调试和检测提供了‘种简便、有效的途径,且能显著降低试验成本和危险性。 相似文献
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为实现高压、受限空间条件下燃烧火焰二维温度场的测量,研究了基于碘分子超精细吸收凹陷的滤波瑞利散射技术。设计了一套滤波瑞利散射温度测量装置,主要由种子激光注入Nd:YAG激光器、碘分子滤波池、ICCD相机等组成。利用该测量装置,在高压火焰炉上开展了0.1~0.5MPa条件下的甲烷/空气预混火焰温度测量实验,结果表明:滤波瑞利散射测温技术能有效抑制米散射和背景杂散光的干扰,能在受限空间和带压条件下获得瞬态燃烧火焰温度场的分布,并且温度测量的相对不确定度优于15%;与热电偶温度测量实验的结果进行了对比,两者的偏差小于10%。因此,有望将滤波瑞利散射测温技术应用于发动机燃烧场温度诊断实验。 相似文献
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上躯干结构是航天服的基础部件,对服装的适体性具有直接影响。上躯干的适体性设计分为被动适体和主动适体,其中主动适体可实现软式上躯干结构的形态调节,获得最大程度的适体效果。应用Stewart平台原理开展软式上躯干主动适体方法研究。首先,探讨分析了Stewart平台的特点与运动学;其次,将Stewart平台控制原理应用于软式上躯干主动适体设计,提出了针对肩法兰的主动适体方法;再次,分析了主动适体方法的运动学,建立了主动适体方法的数学模型,并通过模型计算了主动适体方法的性能;最后,搭建了软式上躯干主动适体样机,开展了主动适体方法实验。研究结果表明,建立的针对肩法兰的软式上躯干结构主动适体方法可以有效地调节肩法兰的空间位置、角度,满足上躯干的主动适体要求,证明了应用Stewart平台建立主动适体方法的可行性。研究结果为未来航天服的适体性设计提供了参考。 相似文献
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为研究改性双基推进剂(CMDB)组分变化对烟雾特征信号的影响,采用最小自由能原理和烟雾特征信号计算特征值模型对配方进行了计算,系统分析了改性双基推进剂中不同固体含量、不同高能添加剂、不同氧含量、催化剂及铝粉含量等对烟雾特征信号影响规律。结果表明,添加DNTF使得CMDB推进剂能量最大而烟雾特征信号最小;NC,NG以及RDX的含量变化对烟雾特征信号影响不明显;当Al含量小于4%时,含Al的CMDB推进剂烟雾类别为BA级,当Al含量大于4%时,配方体系烟雾类别为CA级;为保证CMDB推进剂为微烟,催化剂NTO铅(NTO-Pb)含量应小于3%。 相似文献
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接口阻抗测试是航天产品中对产品状态是否正常来进行判断的常用方法。在航天产品应用中,通常认为接口芯片阻抗测试异常即代表该接口芯片已经失效。本文针对一种LVDS接口发送芯片由静电导致阻抗测试异常,但功能正常的现象进行分析。在元器件失效分析的基础上,定位静电损伤的位置为芯片内部静电防护电路,从而建立了对应的电路模型,对芯片静电损伤的现象进行理论分析。分析说明:该芯片在被静电打击时,其静电防护电路中一个NMOS管受损,但该电路保护了芯片的功能电路,被击穿的NMOS管等效为一个电阻,因此导致阻抗测试异常,但芯片功能电路未受损的现象,为静电软击穿现象。且可认为该芯片在受静电影响后并未失效,相关电路仍具有正常工作的能力。即阻抗异常现象并不是芯片失效的充分条件。 相似文献