导光板激光刻蚀工艺参数的研究

基于激光刻蚀方法对导光板面板漆层的加工工艺进行研究,分析了激光束能量和光斑大小、激光刻蚀次数、加工距离精度对漆层刻蚀效果的影响。通过验证表明,采用激光刻蚀方法可实现导光板面板表面标记和字符的准确复刻修理。     

几种空间材料激光刻蚀的可行性研究

文章针对Kevlar／环氧蜂窝板热冲击试验中发现镀膜刻蚀栅条断裂的现象,提出改进蜂窝板表面状态的两种措施：（1）在Kevlar表面贴Tedlar薄膜;（2）在Kevlar表面贴胶膜。文章介绍了两种对激光吸收率不同的Tedlar膜和三种空间用胶膜材料在真空镀膜以后,用激光刻蚀后材料的微观表面状态、基体损伤等情况,最后得出这几种材料的激光刻蚀可行性结论。     

二氧化硅反应离子刻蚀中的微负载效应研究

对二氧化硅反应离子刻蚀中反应室压力,刻蚀气体流量和射频功率等因素对刻蚀速率和刻蚀均匀性的影响进行了研究。结果表明,通过对反应室压力、刻蚀气体流量和射频功率的调节,可以降低微负载效应的影响,得到良好的刻蚀均匀性。     

阳极层霍尔推力器的阳极分段形式对内磁极刻蚀速率的影响

由于推力器内径向电势和等离子体的分布会影响轰击推力器器壁离子的运动,本文通过阳极的不同分段形式来改变推力器内电势分布,进而研究推力器阳极的不同分段形式对内磁极的刻蚀速率分布。首先利用PIC方法研究入射离子的数量和能量分布,接着对内磁极内表面和上表面的刻蚀速率进行仿真计算。由结果可知：入射到内磁极两个面上的离子数量和能量,都是在三分段阳极时达到最大值,其他三种情况偏低。对于内磁极内表面和上表面的刻蚀速率也是在三分段阳极时最大,其次是单阳极,而二、四分段阳极时的刻蚀速率最小。最后通过单阳极和二分段阳极时刻蚀速率的试验结果对比,验证了此研究结果的正确性,为下一步提高推力器的寿命研究提供了参考数据和研究方法。     

基于电化学刻蚀与微电铸工艺的微流控芯片模具制作

为解决微流控芯片模具在微电铸工艺中铸层与基底结合力差的问题,在光刻工艺的基础上,采用掩膜电化学刻蚀和微电铸相结合的方法,制作出了结合力较好的镍基双十字微流控芯片模具。针对掩膜电化学刻蚀的工艺参数进行了试验研究,选定了制作微流控芯片模具的最佳工艺参数,解决了酸洗引起胶膜脱落失效、刻蚀引起侧蚀等问题。使用剪切强度表征界面结合强度,运用剪切法测量了微电铸层与基底的剪切强度,定量分析了酸洗工艺和刻蚀工艺的参数对界面结合强度的影响。试验结果表明,酸洗20s后电铸层与基底的剪切强度相对于直接电铸提高了98.5%,刻蚀5min后剪切强度提高了203.6%。刻蚀5min后的剪切强度相对于酸洗20s后电铸的剪切强度提高了53.0%。本文提出的方法能够有效提高铸层与基底的界面结合强度,延长微流控芯片模具的使用寿命。     

大厚度硅结构高精度干法刻蚀技术研究

增大敏感结构厚度是提高微机电陀螺性能的一个途径。对大厚度敏感结构,在刻蚀过程中易出现"长草"、"缩口"和"屋檐"等典型缺陷,同时刻蚀后侧壁垂直度、刻蚀均匀性较差,严重影响其尺寸精度。研究了刻蚀/钝化比、刻蚀阶段钝化气体通入时间和反应气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,提出了一种分步刻蚀的方法,获得了侧壁垂直度89.95°与片内均匀性3.4%的刻蚀结果。     

半球谐振陀螺用石英玻璃性能及湿法刻蚀特性

熔融石英玻璃是半球谐振陀螺的关键核心材料。针对半球谐振陀螺用石英玻璃及湿法刻蚀减薄工序,分析了石英玻璃种类、性能指标差异,研究了熔融石英玻璃湿法刻蚀过程表面缺陷及形态变化。结果表明,熔融石英玻璃机械加工残留的亚表面缺陷在湿法刻蚀过程中会发生形态和大小变化,对熔融石英玻璃的均匀刻蚀影响较大。基于上述研究结果,给出了半球谐振陀螺的选材和球壳湿法刻蚀减薄工艺参考。     

Cu(Ni80 Cr20 )-陶瓷复合机体的激光刻蚀机制

为解决陶瓷基底金属薄膜一体化部件的激光微加工精度问题,研究了纳秒脉冲激光作用于Cu(Ni80Cr20)-Al2O3复合机体的薄膜/基底界面分离机制。结果表明:激光刻蚀Cu时,光斑扫过的区域的Cu能够完全气化,得到较光滑的图案;在刻蚀Ni80Cr20时,光斑扫过的区域首先被氮化,随后氮化层剥离,导致刻蚀图形边沿粗糙。激光光斑能量呈高斯分布,使得Ni80Cr20氮化程度不均匀,是影响刻蚀精度的主要原因。利用波前衍射变换技术将光斑能量由高斯分布转换为能量呈平顶分布,在激光能量大于5.4 m J时,厚度4μm的Ni80Cr20层均匀氮化剥离,实现了Ni80Cr20-Al2O3组合体高精度、基底无损伤刻蚀。     

利用电化学方法制备有序多孔硅阵列

采用电化学刻蚀的方法，在自制的电解槽中制备n型〈100〉晶向多孔硅条状阵列。通过扫描电子显微镜对生成的多孔硅进行形貌观察，并对多孔硅条状阵列的生长速率与形貌进行了初步的理论分析和实验研究。实验结果表明，多孔硅的生长速率主要由临界电流密度决定，多孔硅生成初始阶段产生锥形刻痕的原因是初始电流密度比较小，加大电流密度可以消除刻痕。多孔硅分又是由孔间距远远大于自由电荷区而产生的，而深槽中出现分立小孔的原因是反应产生的氢气阻碍了阳极氧化的进行。本实验结果对开展多孔硅进一步的研究工作具有指导意义。     

基频160MHz离子刻蚀晶体谐振器

叙述了用新的加工工艺－离子刻蚀减薄技术制成的６０～１５０ＭＨｚ超高频基频卫星用晶体谐振器，论述了新的工艺过程及产品技术性能。