微机械陀螺正交耦合误差静电力抑制的有限元仿真研究

微机械陀螺的正交耦合误差是敏感结构振动模态间的刚度耦合引起的检测模态输出偏量,是影响陀螺性能的关键误差源之一。静电力抑制是一种采用静电力调节驱动模态的主轴偏量,使用直流电压进行正交耦合误差抑制的方法,该方法具有片上实时抑制能力,能够有效抑制正交耦合误差。从静电力抑制正交耦合误差的基本原理出发,运用有限元仿真,对硅基音叉陀螺正交耦合误差的静电力抑制进行了仿真分析,并通过实物测试数据进行了验证。     

面向Micro-PNT系统的微陀螺敏感结构参数化有限元仿真研究

针对Micro-PNT系统中多环和微半球陀螺敏感结构在设计阶段三维实体仿真分析存在的模型复杂、网格特征较难匹配结构特征、模型复用性较低等问题,提出一种基于低维单元简化建模,并通过实常数和截面定义等方式对特征结构进行全参数化表征的分析方法。通过对比,在相当的分析精度下,参数化分析中所需的节点数量仅为三维实体仿真的2%和43%,仿真效率提高显著,可加快陀螺设计收敛进程,支撑Micro-PNT技术发展。     

基于MCM&SOC方案的微惯性器件系统集成技术综述

近年来,在航空航天、武器装备、高端工业等领域的制导、控制等应用需求的牵引下,微惯性器件的尺寸、质量与功耗(SWaP)指标不断提升,配套电路由PCB逐步升级为ASIC。综合工艺复杂度、成本、性能潜力等因素,基于MCM和SoC的MEMS结构与ASIC系统集成方案逐步成为目前的主流选择。介绍了主流微惯性器件MEMS结构与ASIC的MCMSoC系统集成技术现状,并对各集成方案特点进行了分析对比。此外,对微惯性器件MEMS与ASIC系统集成的关键技术进行了总结。最后,简要分析了国内外差距并展望了下一步发展趋势。     

国外MEMS陀螺及组合力学环境适应性技术研究进展

针对工程使用过程中，振动、冲击和过载等力学输入造成微机电(Micro-Electro Mechanical System, MEMS) 陀螺及组合性能恶化的问题，对国外MEMS陀螺及组合力学环境适应性技术研究进展进行了梳理。从敏感结构、封装体、器件/系统层级，设计、加工工艺、封装和系统集成等角度，介绍国外主流的力学环境适应性技术方法，为国内相关技术的研究提供参考。     

大厚度硅结构高精度干法刻蚀技术研究

增大敏感结构厚度是提高微机电陀螺性能的一个途径。对大厚度敏感结构,在刻蚀过程中易出现"长草"、"缩口"和"屋檐"等典型缺陷,同时刻蚀后侧壁垂直度、刻蚀均匀性较差,严重影响其尺寸精度。研究了刻蚀/钝化比、刻蚀阶段钝化气体通入时间和反应气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,提出了一种分步刻蚀的方法,获得了侧壁垂直度89.95°与片内均匀性3.4%的刻蚀结果。