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| 大厚度硅结构高精度干法刻蚀技术研究 | |
| 引用本文： | 夏春晓,盛洁,杨军,郭中洋.大厚度硅结构高精度干法刻蚀技术研究[J].导航定位于授时,2015(3):96-101. |
| 作者姓名： | 夏春晓 盛洁 杨军 郭中洋 |
| 作者单位： | 北京自动化控制设备研究所,北京自动化控制设备研究所,北京自动化控制设备研究所,北京自动化控制设备研究所 |
| 摘 要： | 增大敏感结构厚度是提高微机电陀螺性能的一个途径。对大厚度敏感结构,在刻蚀过程中易出现"长草"、"缩口"和"屋檐"等典型缺陷,同时刻蚀后侧壁垂直度、刻蚀均匀性较差,严重影响其尺寸精度。研究了刻蚀/钝化比、刻蚀阶段钝化气体通入时间和反应气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,提出了一种分步刻蚀的方法,获得了侧壁垂直度89.95°与片内均匀性3.4%的刻蚀结果。 |
| 关 键 词： | 微机电系统 深硅刻蚀 侧壁垂直度 刻蚀均匀性 |
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