精仪工作台定量调整的原理及方法

论述了可调结构仪器工作台的结构、调整原理和调整方法，并以三点支撑结构、锥面支撑结构仪器工作台表面与测量轴线垂直度的调整为例，具体地阐述了调整方法和步骤。     

三坐标测量机测量平面间垂直度方法探讨

针对三坐标测量机测量平面间垂直度时经常出现的测量误差进行了分析研究,实验结果表明,测量方法以及零件表面的形状误差是影响垂直度测量误差的主要因素,并提出了改善测量误差的一些具体措施。     

基于N-S方程的翼型实验侧壁边界层控制

使用三维可压、雷诺平均N-S方程数值计算了NACA0012翼型在二元翼型风洞中不同迎角和马赫数状态下的压力分布,改进了划分计算网格的Hilgenstock方法,发展了一种利用N S方程计算结果,来确定翼型实验中为消除侧壁边界层干扰的抽气压力的方法。通过比较利用本文介绍的方法计算的NACA0012翼型实验侧壁抽气压力和相同状态下,在西北工业大学0.3m×0.1m二维跨音速风洞中经油流显示证明为合适的抽气压力,结果表明该方法是可行的。     

二元风洞中的侧壁干扰与侧壁抽吸

侧壁抽吸是目前抑制二元风洞侧壁干扰的一种流行做法。本文就抽吸的有效性、抽吸方案布局等问题进行了讨论分析，提出了有关看法。     

翼型风洞侧壁干扰的数值模拟研究

运用Navier-Stokes数值模拟对翼型模拟试验对风洞侧壁干扰进行模拟，将简单代数湍流模型扩展用于机翼／风洞侧壁结合区流动，分析了风洞实验侧壁干扰问题的形成机理和影响翼型实验侧壁干扰的各种因素，如翼型展长、风洞侧壁边界层厚度及侧壁边界层抽吸等，对实验结果的影响，得出了一些有用的结论。计算格式空间采用中心有限体积离散，时间采用多步Runge-Kutta时间步长格式进行积分。计算结果证明了该方法的可行性和优越性。     

超声速三维进气道内激波干扰的研究

为了为三维进气道的设计提供有用的分析数据,对高超声速和超声速来流下三维进气道内激波干扰进行了理论和数值研究。进气道模型选取"箱式"以及三面侧压进气道作为研究对象。理论分析采用了"空间降维"方法,即将进气道各个角落处的三维双楔定常激波干扰问题转换为二维非定常激波干扰问题,并利用激波动力学对其进行求解。数值验证方法利用2阶NND差分格式求解三维无粘欧拉方程,网格数量为1200多万,并采用MPI并行进行计算。该理论分析方法很好地对进气道各个角落处的激波干扰波系结构进行了判别,并得到了干扰区马赫构型三波点附近以及规则构型反射点附近的解析解,理论分析结果与数值模拟结果吻合较好。此外,针对进气道截面内各个流场区域的总压恢复系数以及压力、密度和温度进行了研究,并考虑了箱式进气道和三面侧壁压缩进气道内的流场区域的非均匀性,干扰区马赫杆后的总压损失要比其他区域高10%左右。通过研究表明,"空间降维"方法适用于进气道压缩部分,将为进气道的设计和性能评估提供一种理论分析手段。     

一种新型二元风洞侧壁干扰修正方法——当地修正法

针对现行总体型二元风洞侧壁干扰修正方法的不合理性，本文发展了一种新型修正方法——当地修正法，并就有关问题做了讨论。与目前的总体型方法相比，当地修正法致力于对模型当地流动参数的修正，而不是笼统地去调整试验条件。当地修正法有能力处理那些主要的侧壁边界层效应及相关问题，是未来开展侧壁干扰修正的一条有效途径。     

二元风洞侧壁抽气孔板的实验研究

新研制的组合孔板造价低廉，夹层更换方便，用其作风洞壁画边界层控制，能消除风洞侧壁引起的翼面上边界层的分离，可有效地改善翼型绕流的二元性和半模的实验条件。     

壁面摩擦对风洞侧壁干扰的影响

本文研究了摩擦对风洞侧壁干扰的影响。在以Barnwell为代表开展的一系列侧壁干扰研究中,所有工作都未计及摩擦的影响。我们认为,Barnwell等人的这一处理理论上有缺陷。对此,本文用Karman-Pohlhausen方法对侧壁边界层作了分析,指出摩擦对侧壁干扰有不同程度的影响,具体取决于Pohlhausen参数B的大小;B越小,影响越大。Barnwell略去摩擦项的结果只对应于分离边界层情况,而事实上Barnwell处理的是附着边界层。通过这一分析,本文建立了有摩擦影响的侧壁干扰修正的新形式;考虑到多种因素的影响,初步建议参数B按中间值取为B=3～4。最后,就修正参数δ~*的确定作了一定讨论。     

高垂直度和低沉积的MEMS陀螺梳齿结构释放工艺

梳齿型微机电系统（MEMS）陀螺的释放要求结构具有垂直度高、释放过程沉积聚合物少的特点,通过优化深硅刻蚀的工艺参数,包括钝化气体八氟环丁烷（C4F8）的流量、衬底温度、刻蚀气体六氟化硫（SF6）的流量和钝化气体C4F8的压力,实现了结构垂直度为90.0°、支撑层表面沉积物厚度为87.1nm的梳齿结构释放工艺。深硅刻蚀工艺的优化为高性能MEMS陀螺的加工提供了基础。