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高垂直度和低沉积的MEMS陀螺梳齿结构释放工艺
作者姓名:梁德春  庄海涵  李新坤  刘福民
作者单位:北京航天控制仪器研究所·北京·100039,北京航天控制仪器研究所·北京·100039,北京航天控制仪器研究所·北京·100039,北京航天控制仪器研究所·北京·100039
基金项目:装发部装备预研共用技术(41417010302);科技部重大共性关键技术课题(2016YFB0501003)
摘    要:梳齿型微机电系统(MEMS)陀螺的释放要求结构具有垂直度高、释放过程沉积聚合物少的特点,通过优化深硅刻蚀的工艺参数,包括钝化气体八氟环丁烷(C4F8)的流量、衬底温度、刻蚀气体六氟化硫(SF6)的流量和钝化气体C4F8的压力,实现了结构垂直度为90.0°、支撑层表面沉积物厚度为87.1nm的梳齿结构释放工艺。深硅刻蚀工艺的优化为高性能MEMS陀螺的加工提供了基础。

关 键 词:MEMS陀螺  结构释放  深硅刻蚀  高垂直度  聚合物

Study of Comb-shaped Structure Relaxation Process with High Vertical Degree and Less Production
Authors:LIANG Dechun  ZHUANG Haihan  LI Xinkun and LIU Fumin
Institution:Beijing Institute of Aerospace Control Instruments, Beijing 100039,Beijing Institute of Aerospace Control Instruments, Beijing 100039,Beijing Institute of Aerospace Control Instruments, Beijing 100039 and Beijing Institute of Aerospace Control Instruments, Beijing 100039
Abstract:The comb shaped MEMS gyroscopes should be made with high vertical degree and less deposition polymer. By optimizing the parameters of deep silicon etching including C4F8 flow, platen temperature, SF6 flow and C4F8 pressure, the structure with vertical degree of 90.0° and production thickness of 87.1nm can be achieved. The optimization of deep silicon etching process is the basic for the MEMS gyroscopes manufacturing with high properties.
Keywords:MEMS gyroscopes  structure relaxation  deep silicon etching  high vertical degree  polymer
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