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21.
在众多光阳极材料中,纳米结构材料α-Fe2O3由于其光吸收显著、化学稳定性好、储量丰富等优势,被认为是最有前途的材料之一。利用水热法制备了具有良好光解水性能的Co和P掺杂α-Fe2O3纳米材料。经过掺杂后α-Fe2O3纳米材料仍为纳米棒状形貌,纳米棒的粒径增加。实验发现,Co掺杂α-Fe2O3制成的电极在标准光照射下的最大光生电流密度为0.453 mA/cm2,是未掺杂样品的20.6倍,P掺杂α-Fe2O3制成的电极在标准光照射下的最大光生电流密度为0.276 mA/cm2,是未掺杂样品的12.5倍,具备了高效光解水性能。同时通过SEM、TEM、XRD、UV-Vis和Mott-Schottky测试等方法,结合形貌与结构表征,研究了α-Fe2O3的光电化学分解水性能影响机理。 相似文献
23.
设法提高电介质材料的介电性能和击穿特性,进而改善PVDF基的电介质脉冲电容器储能性能,对于促进其在军事和民用领域的应用具有重要意义。偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物(P(VDF-HFP))是一类综合性能优良的电介质材料。为了进一步提高其介电性能,文章首先通过溶液流延法制得P(VDF-HFP)薄膜,在不同温度和时间下对其进行退火处理,以考察后处理对P(VDF-HFP)晶体结构及介电性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和示差扫描量热分析(DSC)对样品的晶体结构、结晶度和电活性β相含量进行表征,并对薄膜的介电性能进行测试。结果表明,退火处理可有效提高P(VDF-HFP)共聚物的β相含量,在120℃下退火12 h,体系的β相含量可高达92.1%,对应的介电常数可达15.3(100 Hz),较原始薄膜提高45%,同时样品介电损耗可降至0.019。 相似文献
24.
25.
窄带干扰是低频段InSAR系统面临的主要射频干扰之一,它的存在会对干涉相位产生严重影响,进而导致高程反演误差。本文推导了窄带干扰影响下的InSAR干涉相位的解析表达式,给出了干涉相位对窄带干扰各参数的敏感度方程,仿真分析了窄带干扰对P波段InSAR系统干涉处理的影响。结果表明,窄带干扰经过成像后其幅度调制函数近似为方位时间的sinc函数,在SAR图像中表现为沿距离向的干扰条带。干涉相位对窄带干扰信号的功率较敏感,对其频率较不敏感,干涉相位和高程反演误差随着干信比的增加而增加。 相似文献
26.
利用射频磁控溅射方法,采用AZO靶和Sn靶共溅射的方法在钠钙玻璃衬底上制备了Al与Sn共掺杂的ZnO (ATZO) 薄膜样品,再对样品进行300,350,370,400,500 ℃ 5种不同温度和1,2,4 h 3种不同时间的退火处理。采用X射线衍射仪(X-ray diffraction, XRD)和扫描电子显微镜(Scanning electron microscope, SEM)对其相结构及形貌进行了表征和分析。结果表明,所制备的ATZO薄膜都是六角纤锌矿结构,在(002)方向上表现出择优生长且表面都较为均匀。采用UV vis分光光度计测试薄膜样品的透过率,结果显
示370 ℃退火2 h的样品在400~760 nm处有87.09%的最高平均透过率,对应的光学带隙为3.40 eV;同时,此样品具有最低的电阻率为4.22×10-2 Ω·cm和最高的载流子浓度和迁移率,分别为6.44×1020 cm-3和4.30 cm2/(V·s)。 相似文献
27.
引言R/S200系列天线共用系统是ROHDE&SCHWARZ公司生产的VHF通信电台,在民航地空通信中得到广泛使用。青岛空管站目前使用的12信道R/S系列天线共用系统采用收发台站分开方式。发射机型号为SU250A.接收机型号为EU230A,其性能较稳定可靠, 相似文献
28.
29.
P2P MMOG中一种基于事件分类的本地滞后技术 总被引:3,自引:3,他引:0
根据P2P MMOG中状态一致的要求提出一种基于事件分类的本地滞后技术。通过检测网络的负载状况动态调整关键事件的本地滞后时间,在状态一致和响应时间之间进行灵活折衷,并对非关键事件进行静态滞后,同时结合事件过时机制减少数据传输量。实验结果表明,该方法能有效减少游戏状态的回滚次数,降低游戏结点的处理开销,适合于P2P模式下MMOG的不同游戏终端需求。 相似文献
30.
郝雷%刁训刚%顾宝霞%王天民 《宇航材料工艺》2008,38(2):26-29
采用多弧离子镀制备了多彩Al/TiNO(掺氮TiO2)薄膜,利用SEM观察了薄膜的表面、断面形貌,并测量了其膜厚.采用XRD研究了薄膜的相结构.利用紫外一可见分光光度计研究了TiNO膜的可见光谱特性,用红外比辐射率测量仪测量了样品的红外发射率.结果表明:在不改变Al箔在8~14 um波段低红外发射率的情况下,实现了其物理着色.所得薄膜为锐钛矿型TiO2结构,薄膜表面平整、致密,结合力较好.TiNO薄膜呈明显柱状生长,薄膜试样表面未出现明显缺陷,薄膜表面致密,柱状颗粒生长完好.TiNO薄膜的沉积速率达120 nm/min. 相似文献