| 退火对P(VDF-HFP)共聚物薄膜结构和介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 孟竺,叶会见,卢铁梅,王海平,徐立新.退火对P(VDF-HFP)共聚物薄膜结构和介电性能的影响[J].航天器环境工程,2016,33(4):413-420. |
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| 作者姓名： | 孟竺 叶会见 卢铁梅 王海平 徐立新 |
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| 作者单位： | 浙江工业大学 材料科学与工程学院, 杭州 310014 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（编号：21074117，21474091）；浙江省自然科学基金项目（编号：LY14B040002，LQ16E030009） |
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| 摘 要： | 设法提高电介质材料的介电性能和击穿特性,进而改善PVDF基的电介质脉冲电容器储能性能,对于促进其在军事和民用领域的应用具有重要意义。偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物(P(VDF-HFP))是一类综合性能优良的电介质材料。为了进一步提高其介电性能,文章首先通过溶液流延法制得P(VDF-HFP)薄膜,在不同温度和时间下对其进行退火处理,以考察后处理对P(VDF-HFP)晶体结构及介电性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和示差扫描量热分析(DSC)对样品的晶体结构、结晶度和电活性β相含量进行表征,并对薄膜的介电性能进行测试。结果表明,退火处理可有效提高P(VDF-HFP)共聚物的β相含量,在120℃下退火12 h,体系的β相含量可高达92.1%,对应的介电常数可达15.3(100 Hz),较原始薄膜提高45%,同时样品介电损耗可降至0.019。
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| 关 键 词： | P(VDF-HFP)共聚物 退火 β相 结晶度 介电性能 |
| 收稿时间： | 2016/3/28 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/7/10 0:00:00 |
Effects of annealing on the structure and the dielectric property of vinylidene fluoride-hexafluoropropylene copolymer films |
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| MENG Zhu,YE Huijian,LU Tiemei,WANG Haiping,XU Lixin.Effects of annealing on the structure and the dielectric property of vinylidene fluoride-hexafluoropropylene copolymer films[J].Spacecraft Environment Engineering,2016,33(4):413-420. |
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| Authors: | MENG Zhu YE Huijian LU Tiemei WANG Haiping XU Lixin |
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| Institution: | College of Materials Science and Engineering, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310014, China |
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