电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.     

质子单粒子翻转截面计算方法

在分析质子与硅反应的基础上,建立了质子单粒子翻转截面理论计算模型,提出了模拟计算方法。计算得到了不同能量的高能质子与硅反应产生的次级粒子种类、截面、能谱和双微分截面。采用Monte Carlo方法模拟质子与硅的反应;应用TRIM程序计算次级粒子的射程;计算得到次级粒子在存储单元的灵敏区内沉积的能量,产生的电荷。通过与临界电荷的比较,判断是否导致单粒子翻转,从而得到单粒子翻转截面。计算得到的单粒子翻转截面与实验数据符合较好。     

硅微陀螺仪的一种新型闭环驱动方案

介绍了一种新的硅微陀螺仪闭环驱动方案.该方案采用推挽驱动方式,即在陀螺仪活动梳齿两边的驱动电极上分别施加同相交流电压和反相直流电压.对驱动性能进行了分析,结果表明驱动力矩的频段与噪声信号频段是分离的.在此基础上,利用锁相技术满足正弦自激振荡的相角和增益条件,建立环路的自激振荡,实现了闭环控制.同时在闭环回路中利用正弦自激振荡的相角条件和锁相环的鉴相特性,消除了驱动信号对驱动检测信号的同频干扰,抑制了环路中的噪声干扰.试验结果显示,驱动电压的频率和幅度的变化量均在0.02%以下,实现了驱动稳幅稳频的目的,陀螺仪精度和可靠性得到了显著提高.     

含硅芳炔树脂改性氰酸酯树脂的性能

将双酚E型氰酸酯(BEDCy)与含硅芳炔树脂(PSA)用溶液共混的方法制备了共混树脂(BEDCy/PSA);通过DSC和原位红外研究了共混树脂的固化反应,使用TGA和DMA表征了树脂的耐热性能;还考察了共混树脂的介电性能和力学性能。结果表明,PSA树脂能够降低BEDCy树脂的固化温度;随着PSA树脂的添加,氮气和空气氛围下共混树脂固化物的T_d~5高于450℃,800℃的残留率分别在80%和19%以上;PSA树脂可以降低BEDCy树脂的介电常数和介电损耗。     

一种可实现增益、带宽独立调控的低噪声MEMS加速度计接口电路设计

为了进一步满足振梁式加速度计（VBA）对前端放大接口电路增益、带宽以及噪声的更高要求，提出了一种适用于硅微振梁式加速度计的可实现增益、带宽独立调控的低噪声前端放大接口电路。该设计基于T型接口电路的两级拓扑结构，有效解决了增益、带宽和噪声之间的制约问题。通过仿真与实验结果表明，该设计在等效跨阻增益为40MΩ的前提下，最终实现了带宽为410kHz、相位误差为1.2°、等效输入电流噪声密度为8.9fA/Hz。基于该设计的实验样机在上电稳定后1h零偏不稳定性达1.156μg，相较于传统一级跨阻接口电路减小了49.2%（2.274μg），验证了该新型接口电路的可行性和优越性。     

硅铝丝超声键合弹坑效应的影响研究

对于硅芯片引线键合过程中经常出现的薄膜剥落和弹坑问题，从焊盘结构、键合线材料、键合参数和键合顺序等方面分析了影响因素。不合适的焊盘硬度和厚度会造成弹坑，引线键合时应特别注意。对于键合引线，除延伸率和抗拉强度外，引线硬度也应引起关注。对于键合参数，针对不同的芯片和键合引线，应进行参数优化，以达到最佳的键合效果。研究结果为实际生产中硅铝丝键合工艺的优化提供了解决思路。     

基于硅基MEMS工艺的快速控制反应镜制作

快速控制反应镜(以下简称快反镜)是光电精密跟踪系统中必不可少的组成部分,在消费电子、医疗、天文望远镜、激光通信等领域中有着广泛应用。基于硅基微电子机械系统(micro-electromechanical system,MEMS,)工艺制作微型快反镜，对于实现快反镜和跟踪系统的小型化、轻量化有重要意义。陈述了一款硅基快反镜的结构设计、工艺选择以及制作攻关过程。通过加工便利性、加工精度、加工可靠性与制作成本的综合分析比较,确定了MEMS深硅刻蚀工艺制作小型化快反镜可动结构技术思路。快反镜的制作中，通过“化面为线”的版图优化减少刻蚀面积解决了深硅刻蚀不匀问题，通过清洗方法的对比和择优解决了反射镜面表面清洁度问题，通过改变金属化方法解决了镜面的面形精度控制问题。测试结果表明，此款基于硅基MEMS工艺的小型化快反镜满足了设计和应用需求。     

基于任务映射的暗硅芯片功耗预算方法

暗硅系统功耗预算问题可被归类为一种NP-hard问题，针对其存在的提高芯片均温与降低通信成本2个对立优化目标，提出了一种基于任务映射的暗硅芯片功耗预算方法。为降低计算复杂度，基于率先映射高通信量并对后续映射影响较小的任务的规则建立模型，将任务图转换为最大生成树的形式，以优先级值的大小决定任务进行映射的先后顺序。在稳态情况下逐个进行核心寻优，将排序后的任务放置于合适的核心位置，并以凸二次规划问题形式对已确定映射核心位置的功耗预算进行求解。实验表明:针对12开启核心的36核心系统，与经典的热安全功耗预算方法相比，所提方法将总功耗预算提高了11.8%，通信能耗降低了38.2%。