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本文主要讨论计算机系统灾难备份中重要构件的特性以及实施方法,并以CA ARCserve为例,介绍了简单计算环境下计算机系统灾难备份的实现方案。 相似文献
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张洪立%许奔荣%周海丽 《宇航材料工艺》2001,31(3):10-14
根据惯性仪表的特性,对技术较成熟的碳化硅增强铝基复合材料的稳定性、精密加工性能等进行了分析。指出该材料在惯性仪表中应用的技术条件已经成熟。 相似文献
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由两相湍流的代数应力模型,提出一种两相湍流的非线性k-ε-kp模型,可以合理地模拟各向异性较强的旋流,浮力流等两相流动,具备二阶矩模型的优点,又比二阶矩模型简单。文中推导出气相、颗粒相的雷诺应力和两相脉动速度关联的非线性应力应变关系式。这些代数式和两相各自的湍动能k,kp以及两相脉动关联湍动能kpg的方程联立,就构成非线性k-ε-kp模型。本文将该模型用于模拟突扩湍流两相流动,给出两相时均速度场及雷诺应力各分量,并且将模拟结果和PDPA实验数据以及二阶矩模型的模拟结果对照。结果表明,该模型预报各向异性两相湍流的能力和二阶矩模型的能力接近,但是计算量比二阶矩模型的小得多。 相似文献
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周菊芳 《航空精密制造技术》1980,(1)
如何将各种材料镀制成所需要的薄膜,这是镀膜技术和薄膜光学的基本问题之一。所谓镀膜工艺主要指蒸镀技术和监控方法。下面着重介绍国外蒸镀技术和监控方法的发展动向。一、蒸镀技术关于蒸镀技术,文献上记载甚多,有化学浸蚀法、溅射蒸镀法、真空热蒸发法、离子蒸镀之分;也有从运动能量出发,对生成的各种薄膜进行分类(见表1)。 相似文献
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48.
以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。 相似文献
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