| CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响 |
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| 引用本文： | 刘荣军,张长瑞,刘晓阳,周新贵,曹英斌.CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响[J].航空材料学报,2004,24(4):22-26. |
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| 作者姓名： | 刘荣军 张长瑞 刘晓阳 周新贵 曹英斌 |
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| 作者单位： | 国防科技大学,航天与材料工程学院,国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073 |
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| 基金项目： | 国防预研基金(项目编号:41312011002) |
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| 摘 要： | 以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。
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| 关 键 词： | 沉积温度 CVD SiC 沉积速率 结构 |
| 文章编号： | 1005-5053(2004)04-0022-05 |
| 修稿时间： | 2003年10月30 |
The effects of deposition temperature on the depositon rates and structures of CVD SiC coatings |
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| LIU Rong-jun,ZHANG Chang-rui,LIU Xiao-yang,ZHOU Xin-gui,CAO Ying-bin s Engineering,National University of Defense Technology,Changsha ,China.The effects of deposition temperature on the depositon rates and structures of CVD SiC coatings[J].Journal of Aeronautical Materials,2004,24(4):22-26. |
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| Authors: | LIU Rong-jun ZHANG Chang-rui LIU Xiao-yang ZHOU Xin-gui CAO Ying-bin s Engineering National University of Defense Technology Changsha China |
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| Institution: | LIU Rong-jun,ZHANG Chang-rui,LIU Xiao-yang,ZHOU Xin-gui,CAO Ying-bin s Engineering,National University of Defense Technology,Changsha 410073,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | deposition temperature CVD silicon carbide deposition rate structure |
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