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邹世钦%张长瑞%周新贵%曹英斌 《宇航材料工艺》2003,33(6):16-20
对碳纤维增强陶瓷材料抗氧化涂层的要求、组成与制备工艺以及最近抗氧化涂层体系的发展做了综述。并且对今后抗氧化涂层的发展作了一些展望。 相似文献
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以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。 相似文献
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文章描述了4代军用卫星反射镜用材料的研究发展历程,重点介绍了以SiC及其复合材料为标志的第三、四代反射镜的特点和优点、SiC反射镜及其复合材料反射镜的制备工艺、世界各发达国家关于SiC反射镜的应用,最后,对国内研究进展及今后需要进一步解决的问题提出了几点看法。 相似文献
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刘荣军%周新贵%张长瑞%曹英斌 《宇航材料工艺》2002,32(5):42-44
利用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层,对涂层进行了SEM及XRD分析,考察了温度,载气和稀释气体对涂层微观结构的影响;对不同基体进行了对照试验。在1100℃-1300℃沉积时,随着温度的升高,SiC涂层积速度加快,SiC颗粒变大,同时颗粒间的孔隙也变大,涂层的致密度降低,Ar流量相对小时,制备的涂层致密,光滑。以SiCp/SiC作基体时,涂层和基体结合得很牢固,SiC颗粒会向基体中渗透,从而增强了涂层和基体之间的结合力。 相似文献
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热压烧结法制备Cf/SiC陶瓷基复合材料研究 总被引:3,自引:1,他引:2
以有机硅先驱体聚碳硅烷为粘结剂,采用热压烧结工艺,制得了Cf/SiC陶瓷基复合材料,并对其三点弯曲强度进行了测试和分析,结果表明:该工艺方法可方便的制得强度较高的陶瓷基复合材料单向板;其三点弯曲强度与试样的高跨比有很大关系,高跨比越大,弯曲强度越小;当高跨比为0.073时,材料弯曲强度为475.1MPa,断裂功为4.47kJ/m^2;材料的应力-应变曲线与普通陶瓷不同,表现塑性变形的非线性弹性特征 相似文献