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相似文献
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1.
复合材料平板复杂应力试验的试样研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用解析法、有限单元法对在双向载荷下平板试样的均匀应力区范围进行了计算分析,并用光弹实验进行了检验.利用双向加载试验机对单向复合材料板式试样施加不同比例的双向载荷,进行了应变分布测试,结果表明,130mm×130mm的板样在各种载荷比下,其均匀应力区范围不小于30mm×30mm.在此基础上设计了用于双向拉伸的平板试样.  相似文献   

2.
俄罗斯门捷列夫化工学院AlexanderE.Fogelzang等学者撰文介绍了一种新型氧化剂二硝酸胶铁(ADN),由于它比传统的氧化剂高氨酸铵(AP)、硝酸铁(AN)等具有更好的性能,且不污染环境而备受青睐。该文主要介绍ADN的燃烧性能及燃烧机理。a.试验样品。试验样品分单晶和压制药条两种.单晶由乙醇二次重结晶制成,厚0.3~0.5mm.宽2~3mm.长10~15mm,例表面以聚三氯氟乙烯涂覆或以全卤化碳油浸渍;药条为将ADN模压至内径4mm、7mm的耐热有机玻璃管或8.5mm的石英管中,其密度为1.75g/cm3,另一种是尺寸为0.5mm×1.5~2mm×7~10…  相似文献   

3.
为了应对当前市场对功率器件更低成本、更小尺寸和更优性能的要求,设计了一款工作频率为1.2~1.4GHz的高效率小尺寸氮化镓(gallium nitride,GaN)基功率放大器载片。使用有源时域负载牵引系统对GaN管芯进行在片测试并提取管芯的非线性行为模型,在先进设计系统(advanced design system,ADS)软件中利用模型进行阻抗匹配电路设计和仿真,将功率放大器端口匹配到了目标阻抗50Ω。该载片采用谐波控制技术使功率放大器附加效率提高了6%~8%,采用高介电常数的陶瓷材料将载片电路集成在8mm×8mm。实测结果显示,放大器在漏源电压28V、100us脉宽和10%占空比脉冲输入的工作条件下,在小尺寸的载体上实现了输出功率大于56W,功率附加效率大于78%的高效率指标。  相似文献   

4.
针对航天生产试验现场有毒推进剂废气废液的无害化处理,设计了一种火箭煤油/空气燃烧处理装置,通过富燃/富氧高温燃气处理硝基类氧化剂/肼类燃料的废气废液。基于该燃烧处理装置,分别进行了燃烧器性能调试以及N_2O_4与甲基肼的废气与废液处理实验。实验结果表明,燃烧装置在两种基本工作模态下,燃气温度小于1 200℃,燃烧高效、稳定;N_2O_4在处理流量0~20 g/s时,排放物中NO_x浓度最高为25 ppm,燃气温度小于1 200℃;在甲基肼处理流量6 g/s时,排放物中VOC浓度小于0.05 ppm,NO_x浓度小于2.0 ppm,其中燃气最高温度随甲基肼流量增加不断增大,最高达1 300℃。该燃烧处理装置可实现对有毒航天推进剂高效、彻底的处理,废气排放符合相关标准要求。  相似文献   

5.
聚四氟乙烯因其具有优异的特性,在航天领域有着广泛的应用。文章对SFB-2、M-12、M-111、4FT-6这4种航天领域常用聚四氟乙烯材料的摩擦性能和压缩变形特性进行试验研究:50 N载荷下它们的磨损率分别为1.21×10-4、1.39×10-4、1.32×10-4、1.19×10-6 mm3/(N·m);而13.7 MPa压缩载荷作用下的压缩变形量依次为7.0%、6.1%、3.3%、3.3%。表明不同厂家、不同牌号聚四氟乙烯的摩擦性能和压缩变形特性存在显著差异,在进行产品设计、材料选型时必须因材施用。  相似文献   

6.
受潮后变压器高温最小绝缘电阻是例试数据,受潮前高温绝缘电阻是生产过程数据,两者对应关系的发现为生产过程中杜绝返修、报废现象,预测例试结果提供了依据。把影响变压器绝缘质量的温度、湿度、污染、潮气含量及分布、绝缘距离等直接因素转化为绝缘设计、绝缘工艺、灌封配方设计等可控途径进行分析与实施,其试验和批生产结果表明:1mm厚环氧树脂试片及变压器130℃高温绝缘电阻达到150~500MΩ,例试高温最小绝缘电阻达到50~500MΩ(技术标准:>5MΩ)常态绝缘电阻达到10~6~10′MΩ(技术标准:>10~4MΩ)大大超过了技术标准,使变压器高温最小绝缘电阻的预前控制和提高变为可能。  相似文献   

7.
在现今的军用电子系统中,功率放大器起着举足轻重的作用。功率合成器件作为功率放大器的重要组成部分,需要满足高合成效率、高功率耐受能力和小型化的特性要求。基于交错耦合带状线定向耦合器,通过宽带匹配级联设计了一款8 GHz~12 GHz的四路功率合路器。测试结果显示:四路功率合路器的隔离度<-15 dB,回波损耗<-19 dB,合成效率>78.7%。基于该四路功率合成模块研制了一款X频段功率放大器,样机尺寸为52 mm×38 mm×5.5 mm,放大器在8 GHz~12 GHz的最大输出功率为52.2 dBm(40%占空比),插入损耗<1.4 dB。与传统的平面结构相比,基于这种功率合成器的结构更紧凑,合成效率更高,隔离度更好,功率耐受能力更强,适用于卫星通信、雷达和电子对抗等领域。  相似文献   

8.
在3m×1.5m×0.2m的尺寸限制下,基于电阻加载技术设计了一种新颖的高倍频程火山烟雾超宽带平板天线。该天线采用同轴馈电,通过扫参仿真优化低频匹配电路,实现了从标准的传输线阻抗(50Ω)到自由空间波阻抗(377Ω)的完美渐变,获得了最佳的低频拓展辐射性能。仿真结果表明天线在300kHz~300MHz的频带范围内驻波比(VSWR)小于2.5(S11<-7.2dB),首次实现了1000倍频程超宽带辐射,远场辐射方向图表明天线在前向实现了近似均匀场辐射。研制了实物天线,并开展了实验测量,实验结果表明天线在前向实现了近似均匀场辐射,天线的波形保真特性良好,天线背向辐射小于5%。  相似文献   

9.
基于工业级sCMOS传感器Gsense400BSI研制了一种高集成度、低成本、低功耗和高可靠性的成像电路,电路采用FPGA作为主控芯片,采用双DDR3实现数据缓存,电路包络尺寸为70mm×70mm×20mm。与此同时,为降低成本,提高电路的能效比和稳定性,选用有飞行经历的工业级器件,对供电纹波要求的低功耗供电网络和大功率器件散热布局等方面进行多项优化。通过测试得到该成像电路功耗小于2W。在没有主动制冷模块的情况下,该电路在轨工作良好。在轨成像期间sCMOS传感器温升不超过0.1℃,在某些应用领域摆脱了对制冷措施的依赖。由于sCMOS传感器具有高集成度、低噪声和高量子效率的特征,可用于实现对微弱星光的识别,应用自动曝光算法可快速得到合适的曝光时间范围,因此该电路在商业天基天文观测领域具有广阔的应用前景。  相似文献   

10.
以木星探测任务为背景,针对木星辐射带粒子能量高、通量大的强辐射特点,基于器件总剂量辐照试验数据、木星辐射带模型、太阳质子通量模型,将器件失效点剂量不确定性与辐射环境不确定性应用到总剂量设计中,可定量评估特定任务一定屏蔽下的器件失效概率、辐射设计余量(RDM)的置信度及影响因素,可实现木星任务中器件指标、屏蔽厚度和失效概率之间的权衡和优化。首先,根据商业器件TL084辐照试验数据,发现其失效概率分布符合威布尔分布。对于10个木星半径的赤道面轨道,辐射带质子通量比太阳质子大3个数量级,随着屏蔽厚度的增加和任务期的减小,TL084器件所受剂量和失效概率减小。当屏蔽厚度为 10 mm 铝时,器件平均寿命小于2星期。另外,定义并考察了器件的失效速率,失效速率随屏蔽厚度的减小和在轨时间的增加而增加。对于传统的RDM为2的设计方法,1 mm铝屏蔽下对应的置信度为89%。  相似文献   

11.
介绍了包括功率合成器和匹配网络在内的1×2、1×4和1×8子阵列天线以及8×8平面相控阵天线的完整设计、仿真与实现。阵元是U形缝矩形微带贴片天线阵元,该贴片天线阵元采用了孔径耦合馈电技术,它在17.75GHz中心频率时的阻抗带宽超过了20%。在分析过程中采用了矩量法(MoM),用的是先进设计系统(ADS)软件包中的安捷伦矩量工具。在效率约为80%的情况下,1×2、1×4和1×8子阵列分别获得了约9dBi、12dBi和14dBi的增益。在16~18GHz的频率范围内,所有子阵的回损都好于-10dB,这保证了较好的阻抗匹配。比较1×8子阵列的测量与仿真增益辐射方向图,发现它们吻合良好。开发出的这些子阵列天线及平面相控阵天线适用于各种雷达,包括合成孔径雷达(SAR)及雷达制导导弹的跟踪与探测用雷达。  相似文献   

12.
立式超速试验台轴系动力特性分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
对立式超速试验台轴系简化模型进行动力特性分析,确定影响轴系临界角速度和进动角速度的因素包括:旋转件及其工装组件的极转动惯量与直径转动惯量之比、旋转件及工装组件的质量和悬臂长度,其中旋转件及其工装组件的极转动惯量与直径转动惯量之比为关键因素.当转动惯量之比大于或等于1时,试验台轴系只存在一阶临界角速度;当转动惯量之比小于1时,试验台轴系存在一、二阶临界角速度.当转动惯量之比接近或等于1时,升速过程中轴系自转角速度与二阶正进动角速度非常接近,系统处于不稳定状态.对转动惯量之比分别大于1、接近于1和小于1的3个不同叶轮进行超速试验,试验数据与理论分析相符.最后,提出进行超速试验工装设计时应避免旋转件及其工装组件的极转动惯量与直径转动惯量之比接近1;且当二者之比小于1时,还应对系统的二阶临界角速度进行校核,避免试验目标角速度与二阶临界角速度相接近.  相似文献   

13.
为了满足宇航系统对高速、宽带数据和图像传输产品小体积、轻质化的需求,研究光传输高速高密度集成技术。基板采用带状差分线设计和叠层组装工艺,提高集成密度、缩小体积提升了系统组装的空间,并通过建模仿真设计分析高速信号完整性;将光器件设计在外壳底板上,实现高效散热结构设计,同时提高了光器件使用可靠性;采用混合集成微组装工艺,硅转接基板实现芯片级三维立体集成,采用二次封装技术解决了光纤高效耦合与气密共实现的难题。微系统模块体积≤27 mm×24 mm×5 mm,气密封装漏率≤5×10–9Pa·m3/s(He)。  相似文献   

14.
本文基于MOCVD欧姆再生长技术,制备了高性能的AlGaN/GaN HEMTs。器件具有016Ω·mm的低欧姆接触电阻,并且在100K到425K的温度范围内,欧姆接触电阻表现出良好的热稳定性。由于欧姆接触电阻的改善,源漏间距Lsd为2μm,栅长Lg为100nm的器件的最大饱和电流密度ID,max为1350mA/mm,跨导峰值Gm,max为372mS/mm,导通电阻Ron为1.4Ω·mm,膝点电压Vknee为1.8V。此外,器件也表现出优异的射频特性,电流增益截止频率fT为60GHz,最大振荡频率fmax为109GHz,在3.6GHz下,VDS偏置在15V,器件的功率附加效率PAE为67.1%,最大输出功率密度Pout为3.2W/mm;在30GHz下,VDS偏置在20V,功率附加效率PAE为43.2%,最大输出功率密度Pout为5.6W/mm,这表明了基于MOCVD欧姆再生长技术制备的AlGaN/GaN HEMTs器件在Sub-6G以及毫米波波段的应用中具有巨大潜力。  相似文献   

15.
文章提出一种应用于卫星通信的小型化双频天线。为了实现天线的小型化和双频段工作,在圆形单极子天线上进行了削顶和矩形切割操作;为了有效扰动电流路径而进一步缩小天线尺寸、扩大天线带宽,在天线上表面和下表面又分别刻蚀了圆环槽和对称C型槽,改善天线的阻抗匹配。天线最终尺寸为16mm×18.5mm×1.6mm。利用电磁仿真软件对天线性能进行了仿真,结果表明:该天线能够在4.76GHz~9.25GHz和10.46GHz~14.2GHz两个频段内工作,最大增益为5.9dBi,平均增益为4dBi,且满足圆极化条件,具备良好的辐射特性。  相似文献   

16.
在使用继电器实现50~900MH宽带信号传输时,通过对相邻信号线间的串扰信号的实际测量,发现元器 件的布局布线直接影响串扰信号的大小。通过对实测结果的进一步分析看出,如果布局布线合理,在使用通用继电器实 现50~900MHz宽带信号传输时,可以将相邻信号线的串扰控制在-42dBm以内。  相似文献   

17.
研究提供电阻率为1.6×10~(-3)Ωcm(导电银浆为2.5×1010~(-3)Ωcm),价格为导电银浆1/10铜粉膏,用于印制(丝网漏印)或绘制临时线路板,可随时擦修,亦可用于扫描电镜粘接固定试片,方便设计研究工作。  相似文献   

18.
长征四号乙/丙运载火箭多星发射技术现状与展望   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了长征四号乙/丙(CZ-4B/4C)运载火箭的多星发射技术。给出了整流罩Ф900mm的一箭双星、一箭三星的发射统计与串联发射构型、正在研制的更大包络的双星发射构型,以及并联发射构型。介绍了CZ-4B/4C运载火箭后续多星发射和搭载发射的构型、连接解锁装置和分离程序。  相似文献   

19.
《航天器工程》2021,30(1):124-131
低地球轨道(LEO)航天器高压太阳电池阵存在与等离子体相互作用发生静电放电(ESD)导致其失效的风险,需要确定产生一次放电和二次放电的电压阈值并采取相应的防护措施。文章模拟LEO等离子体环境,采用刚性基板三结砷化镓太阳电池试验件,试验研究了LEO条件下高压太阳电池阵在无防护与涂胶防护状态下发生一次放电和二次放电的电压阈值。在太阳电池组件同样并联间隙情况下,试验结果表明:无防护试验件发生一次放电的电压阈值为110 V,涂胶防护试验件发生一次放电的电压阈值为120 V;太阳电池电路通0.83 A电流,无防护试验件发生二次放电的电压阈值为150 V,涂胶防护试验件发生二次放电的电压阈值为160 V。因此,在设计高压太阳电池阵时,建议合理控制相邻太阳电池串之间的电压差和并联间隙,以及采用在相邻太阳电池串之间涂敷硅橡胶等措施,以有效控制太阳电池阵静电放电的发生。  相似文献   

20.
基于用FY-3气象卫星微波成像仪(MWRI)的有效视场(EFOV),用BG算法对MWRI的空间分辨率重构进行了研究。给出了重建原理,引入折中参数控制分辨率与噪声的比例。对MERI的10.65GHz V通道进行了分辨率重构,在有效扫描角±45°区域内使用重构采样算法,确定重采样分辨率60km、折中参数为1×10-6,并获得了此条件下各探测通道最优重构分辨率及重构后的性能指标。结果表明:MWRI统一探测分辨率60km时,18.7,23.8,36.5,89GHz通道的噪声被大幅抑制,合成足迹的噪声为原始噪声的约10%,插值误差均小于5%,MWRI所有通道可很好地工作于匹配分辨率60km。  相似文献   

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