激光模拟单粒子效应试验研究

脉冲激光模拟单粒子效应是单粒子效应地面实验模拟中新近才发展起来的一种方法.本文主要介绍脉冲激光模拟单粒子效应的基本原理、实用性及特点,结合实验室从俄罗斯引进的激光模拟单粒子效应试验系统.选取了几种典型星用器件,在国内首次开展了激光模拟单粒子效应试验研究,研究表明脉冲激光模拟方法是一种有效、安全、经济、方便的地面模拟单粒子效应的方法,它可以很大程度上弥补了传统地面模拟单粒子效应方法的不足,是地面评估星用器件和集成电路抗辐射加固的另一重要方法.     

SRAM型FPGA单粒子效应测试方法及试验验证

针对空间用SRAM型FPGA器件抗单粒子效应性能全面测试评估的要求,研究内部不同资源电路结构的单粒子效应敏感性及测试方法,利用重离子加速器开展抗辐射加固SRAM型FPGA单粒子效应模拟辐照试验,对配置存储器、块存储器、触发器等敏感单元的单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子锁定特性进行研究。试验结果表明,所提出测试方法能有效地覆盖测试SRAM型FPGA单粒子效应敏感资源,所测试抗辐射加固SRAM型FPGA器件具有良好的抗单粒子锁定性能,但对单粒子翻转和单粒子功能中断非常敏感,静态测试模式下对单粒子翻转更为敏感。有关测试方法和结果可以为SRAM型FPGA的单粒子效应评估及防护提供参考。     

国产先进工艺SoC器件空间单粒子效应试验研究

国产某型号导航SoC器件采用55 nm商用工艺生产.针对该型器件的辐射敏感性分析表明其易受单粒子效应影响,为此利用重离子加速器完成空间单粒子辐照的地面模拟试验,考查器件的单粒子效应,为其空间应用提供数据支撑.结果表明:器件抗单粒子锁定的LET阈值大于81.4 MeV·cm2/mg,满足空间应用指标要求;但器件对单粒子翻...     

星载电子系统高能质子单粒子翻转率计算

文章对星栽电子系统空间高能质子单粒子翻转率计算方法进行了研究。总结了13种主要计算质子单粒子翻转率的方法,并对各种算法之间的相似性和差异性进行了比对分析。用Visual Basic语言编程,实现了高能质子单粒子翻转率计算模型软件化,为高能质子单粒子效应加固设计和验证评估提供技术依据。计算了几种典型轨道上的质子单粒子翻转率；在此基础上,与在轨观测数值进行比对分析验证,并分析了质子单粒子翻转率与空间轨道的关系。     

80C31微处理器单粒子效应敏感性地面试验研究

文章针对不同厂家的80C31微处理器,利用重离子、锎源模拟源进行单粒子效应地面试验研究。详细介绍了80C31微处理器单粒子效应试验原理、试验方法、试验系统的软硬件组成以及试验取得的结论。通过试验研究获得了80C31微处理器单粒子翻转和单粒子锁定特征参数。研究结果可为被测器件在卫星型号的使用提供技术参考依据。     

一种微控制器单粒子效应在轨监测系统设计

为验证航天器用微控制器的抗单粒子效应能力,设计了一种单粒子效应在轨监测系统。该系统采用独特的方法,可实时监测单粒子锁定事件,并利用微控制器内部程序监测其RAM及FLASH存储器的单粒子翻转事件。该系统占用航天器资源少、开发周期短,能同时监测多种、多片微控制器,具有一定的通用性。     

纳米粒子改性复合材料技术研究

从结构方面对复合材料提出了改性意见，阐述了进行复合材料改性的原理，同时进行了相关的试验，证明了改性原理的正确性。根据试验，对纳米粒子改性复合材料的特点进行了阐述，并由试验结果推出了相应的结论。     

卫星器件DC/DC抗单粒子效应的研究

文章介绍了在空间环境辐射效应的影响下卫星器件DC/DC电源转换器抗单粒子效应的实验研究工作.文章阐述了单粒子效应的机理及其对卫星器件的影响,并且介绍了利用串列加速器模拟空间辐射效应的实验.     

加速器切线照相技术研究

根据工作实践研究了固体发动机切线照相无损检测中黑度分布、散射线防治、象质计使用、检测概率计算、脱粘临界值确定等技术问题.     

基于软件的星载DSP减缓单粒子效应措施研究

文章简单介绍了空间环境及单粒子翻转的机理,分析了几种由于单粒子效应引起的DSP失效模式,提出了基于软件设计角度出发的有效减缓DSP单粒子效应的综合加固措施。这些方法已应用于某卫星通信载荷中,通过了所有工程试验。     

超声速固体粒子侵蚀的欧拉模型

利用计算流体力学（CFD）技术,引入粒子容积分数的概念,基于欧拉两相流模型,计算超声速飞行器侵蚀表面粒子速度和容积分数分布,模拟侵蚀后的三维表面外形。以超声速计算结果为基础,针对现有拉格朗日法计算侵蚀后退率的局限性,推导出适用于欧拉模型的计算公式。采用本文的数值模拟方法,模拟侵蚀后飞行器的外形,并与实验结果进行对比,验证了本文方法的正确性。计算和分析了不同环境参数对侵蚀量的影响,结果表明,马赫数和粒子容积分数对侵蚀量有较大影响,而粒子容积分数不变的情况下,粒子直径对侵蚀量影响不大。     

粒子侵蚀潜入喷管端头的质量损失率计算

粒子侵蚀对潜入式喷管端头的影响非常明显,已引起了喷管设计人员的关注。本文介绍了粒子侵蚀喷管的烧蚀计算。分析与计算结果表明,对喷管潜入段端头区主要是粒子侵蚀(即机械剥蚀)造成的质量损失,热化学烧蚀仅占总损失量的25%左右。喉道区及扩散段,则为热化学烧蚀。计算结果表明:粒子侵蚀引起的质量损失与粒子速度、粒子半径、粒子冲角有关。粒子半径越大,造成的质量损失越大,粒子冲角越大,造成的质量损失也越大,而冲角的影响作用更明显。对有粒子侵蚀时典型喷管的烧蚀计算结果与试验测量结果比较表明,用本文提供的方法所得到的理论计算值与试验测量值符合较好,能满足工程设计的需要。     

SRAM HM—65642的单粒子闩锁特性

由空间高能带电粒子引起的CMOS器件单粒子闩锁效就(SEL),在卫星工程中已日益受到重视。本文对试验获得的SRAM HM—65642的各种SEL特性进行了详细分析,希望对卫星电子系统设计师们在进行CMOS器件的防闩锁设计中能有所帮助。     

MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析

为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路。试验源为加速器产生的锗离子(Ge+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV·cm~2/mg。试验结果是:GaN HEMT性能未出现变化;MOS电容器发生了介质击穿失效,造成功率放大器功能失效。经验公式计算的单粒子介质击穿电压,与重离子试验结果基本吻合,得出MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效。研究表明,混合电路中无源的MOS电容器也会发生单粒子介质击穿失效,应用于空间环境时应进行单粒子效应评估。     

基于半球谐振陀螺的捷联惯性姿态系统的一种粒子滤波方法

为了抑制积分运算带来的捷联惯性姿态累积误差.根据姿态角三角函数关系引入横滚、俯仰角的三个替换变量作为姿态变量,并根据系统姿念变量之间的约束方程和运动体的前向速度测量提出了基于半球谐振陀螺的捷联惯性姿态确定系统的一种扩展卡尔曼粒子滤波算法.采用基于国产半球谐振陀螺的捷联惯性测量组合进行实验与仿真,与标准卡尔曼滤波算法进行了比较.实验与仿真结果表明:该算法有效地提高了定姿性能.作为高可靠性姿态确定系统的备用算法,该算法尤其适用于长寿命的小型航天器.     

CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究

利用脉冲激光定位成像系统,对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应（SEL）敏感区定位的试验研究。试验结果表明：该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布,而对于单一的SEL敏感区,其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论了SEL敏感区的分布对测试方法和空间SEL发生频次计算的影响。     

制备超微粒SnO_2薄膜的工艺研究

着重论述了采用真空氧等离子射频反应淀积技术,研制超微粒SnO_2薄膜的工艺。该薄膜的AES能谱分析及其计算结果表明,薄膜中Sn、O原子浓度之比小于但接近于1:2,x—ray衍射实验结果及其计算表明,该薄膜含有氧空位和锡间隙原子,且薄膜中SnO_2晶粒粒径平均值为400A左右。这说明该薄膜的微粒粒径的确在超微粒子范围之内,且具有优良的气敏性能,经实验检测发现该薄膜对氧气具有一定的敏感作用。     

纳米SiO2粒子对环氧粘接剂力学性能影响研究

通过直接共混法将纳米SiO2粒子均匀分散到环氧树脂中，研究了纳米SiO2粒子的用量对粘接剂力学性能的影响，对剪切，拉伸，非均匀扯离三面力学性能进行了测试，并用扫描电镜研究了添加纳米SiO2粒子改性后粘接剂的微观结构。研究结果表明，纳米SiO2粒子均匀分散到环氧树脂粘接剂中，可使环氧粘接剂力学性能指标大幅提高，但当纳米SiO2粒子用量过多时，易相互聚集成团，使其力学性能反而下降。     

状态估计中两种非线性滤波算法的对比研究

分析了粒子滤波算法和Unscented卡尔曼滤波算法的原理和算法实现；在状态估计模型中对两种算法的适应性进行了比较。通过实例进行仿真，结果表明粒子滤波算法估计精度比UKF算法高，但是计算量却相对较大。