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文章介绍了兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室从美国引进的空间辐射环境及效应分析软件Space Radiation 5.0的结构功能模块,采用该软件计算分析了典型的GEO(地球同步轨道)空间辐射环境.计算表明:GEO的总剂量效应比较严重,主要是由捕获电子和太阳耀斑质子辐射引起的;GEO的带电粒子主要由质子、α粒子、碳离子、氮离子、氧离子等重核离子组成,此轨道上的单粒子效应主要由太阳宇宙射线中的高能质子和重离子以及银河宇宙射线的重离子引发. 相似文献
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单粒子效应易诱发空间电子设备发生在轨故障。文章针对大容量NAND Flash存储器,利用皮秒脉冲激光和高能重离子开展了试验研究,明确了此类器件的单粒子效应特点,探索了新型集成电路单粒子效应试验评估方法,为工程设计及试验评估提供了技术基础与保障。经皮秒脉冲激光试验发现,NAND Flash存储器件的存储单元易发生单粒子多位翻转,控制电路单元则发生单粒子锁定和功能中断。 经高LET值Xe+离子辐照试验发现,重离子会诱发器件产生电流尖峰脉冲(或电流火花)现象;在NAND Flash存储器未加电状态下,仍可诱发单粒子翻转;重离子辐照后存储器坏块明显增加,试验获得的单粒子翻转截面高达1.18×10-7cm2/位。基于试验结果分析,认为发生多位翻转的原因是激光束覆盖多个存储单元所造成;重离子辐照引起的浮栅晶体管击穿是存储器坏块增多的原因。 相似文献
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利用质子、中子和伽马射线辐照空间激光通信系统拟选用的高速InGaAs-PIN光电二极管,对其辐射损伤效应开展研究,以评估PIN光电器件在空间辐射环境中的适用性。基于辐照前后器件的暗电流、光电流、光谱响应、电容等参数随辐照剂量变化的测试数据,对各参数受辐照影响的程度和不同辐照模拟源对光电器件造成的辐射损伤差异进行了比较分析。结果表明:PIN光电二极管的暗电流是受辐照影响最严重的参数,而光电流、光谱响应、电容等参数受辐照影响较小;暗电流增加主要与质子和中子辐照引入的非辐射复合中心有关,并与位移损伤剂量基本成线性关系。 相似文献
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