稀土金属配合物的发光性能研究进展

稀土元素由于含有f电子而使得稀土金属配合物具有许多独特的物理和化学性质，尤其是优良的发光性能。本文介绍了稀土金属配合物的光致发光和电致发光以及近年来国内外在该方面的最新研究进展。     

纳米硅薄膜的氧化特性

将ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜进行等离子和高温氧化处理，测量了样品的氢，氧含量，Ｒａｍａｎ谱，红外吸收谱，光致发光（ＰＬ），结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中，但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同Ｒａｍａｎ谱表明氧化处理对薄膜中晶粒大小及晶态比没有影响，用晶粒－表面模型对氧化引起的光致发光（ＰＬ）蓝移进行了解释。     

生长在Si上的GaAs外延膜中有关深能级缺陷与其形貌间的关联研究

由于在GaAs和Si单晶材料间有着很大的格子常数及线性热膨胀系数差别，所以在St上生长的GaAs异质外延薄膜（GaAs／Si）中会存在着界面失配形变与高密度的结构缺陷。我们的实验显示，GaAs／Si外延膜的无序与其生长条件有关，尤其与其［As］／［Ga］比密切相关。与GaAs／Si无序相关的失配位错、线位错及畴区的形貌已用扫描电子显微镜作了观察;与深能级相关的缺陷与其形貌间的关联也已用实验说明。对于高有序GaAs／Si外延膜来说，其与离域相关的主发光峰的强度对温度的变化服从阿兰纽斯方程，而对低有序的GaAs／Si外延膜来说，其与局域相关的主发光峰的强度对温度的变化关系则遵循对无定型半导体才成立的另一种方程。     

在 Si 上生长的 GaAs 外延薄膜的近红外光致发光(英文)

在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格失配及热膨胀系数差异所引起的。研究了与ＧａＡｓ／Ｓｉ的深能级有关的变温与变激发强度的近红外光致发光谱。实验中所用的ＧａＡｓ／Ｓｉ样品是用ＭＯＣＶＤ方法生长的，而且具有不同的［Ａｓ］／［Ｇａ］比。利用组态模型，通过测量发光峰在半极大处的全宽度随温度的变化，获得了Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移。考虑了ＧａＡｓ／Ｓｉ的带隙随温度与随失配形变的移动。利用所获得的Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移及带隙移动，修正了施主－受主对、导带－受主及施主－价带间跃迁的能量关系式，给出了新的表达式。按照建立的新的跃迁能量表达式及ＧａＡｓ／Ｓｉ外延薄膜发光谱的特征，鉴定出ＧａＡｓ／Ｓｉ中的三个发光峰属施主－受主对复合发光，另外两个发光峰则是由Ａｓ填隙－Ｇａ空位的复合发光中心所产生。     

砷化镓异质外延薄膜的近红外光致发光研究

本文通过在硅衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的砷化镓外延薄膜的变激发强度的近红外光致发光，研究了在液氮温度下峰值为１．１３与１．０４ｅＶ两个发光带的发光特性。     

超长纳米悬臂氧化锌带的制备和光谱分析

通过化学气相沉积的方法制备了具有超长纳米悬臂的氧化锌带。纳米带平均宽度有200nm,厚50nm左右。单晶主干沿着[0110]方向生长到±（2110）和±（0001）面终止。所得的纳米悬臂通常是垂直于（0001）生长,且长度能够达到几十μm。文中讨论了超长氧化锌纳米带的生长机制,并对其室温发光谱进行分析。