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航天技术
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1.
纳米硅薄膜的氧化特性
刘明
傅东锋
崔志燮
江兴流
《北京航空航天大学学报》
1999,25(1):96-99
将nc-Si:H薄膜进行等离子和高温氧化处理,测量了样品的氢,氧含量,Raman谱,红外吸收谱,光致发光(PL),结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中,但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同Raman谱表明氧化处理对薄膜中晶粒大小及晶态比没有影响,用晶粒-表面模型对氧化引起的光致发光(PL)蓝移进行了解释。
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