薄膜温度传感器的研制及应用

一种新型的薄膜温度传感器,采用真空镀膜的方法制作在涡轮叶片表面,两者构成一体,可以真实反应表面温度。传感器的质量小、响应快,对叶片内部换热和表面燃气流无干扰。 传感器的敏感元件为铂姥_(10)-铂热电偶,测温上限可达1000℃,测量精度为±3％。     

LD10高强铝合金真空扩散焊工艺研究

针对LD10铝合金真空扩散焊工艺，较详细地分析了焊接温度、压力和保温时间对接头质量的影响和作用。试验指出，焊前试件的表面清理是很重要的；接头的抗拉试验表明，不需加任何中间层金属，LD10铝合金的搭接接头抗拉强度系数大于80％．本试验条件下的最佳扩散焊工艺参数为：焊接温504℃；保温时间3h，焊接压力4MPa．     

恒温槽温场温度均匀度的测试

分析采用温度计交换法对恒温槽温场温度分布均匀度的测试与计算方法。     

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。     

壁面加热湍流标度律的实验研究

用热线风速仪测量了风洞中壁面加热和不加热平板湍流边界层不同法向位置的流向速度和温度的时间序列信号，研究了壁面加热的边条件和不同法向位置的剪切作用对速度和温度增量的p阶结构函数的非线性反常标度律的影响，实验结果表明，壁面加热的边界条件不同法向位置的剪切作用对层次结构模型中间歇参数β和最奇异指数γ的影响明显存在，并初步分析了在具有强剪切作用的壁湍流中这种影响产生的原因。     

涡轮叶片温度分布新式测量技术

介绍了一种新式的涡轮叶片温度分布测量技术原理、温度与叶片之间的对应关系，外置部件的作用及温度测量部件的使用和冷却等。对测量数据进行分析，提出了这项温度分布测量技术在其它领域中的推广及其所测数据在技术分析与研究中的作用。     

有源功率因数校正技术在脉冲电源设计中的应用

针对节能电火花加工脉冲电源的设计过程中应用了有源功率因数校正技术,电源系统的性能通过工艺试验得到了验证,整个节能电源系统的功率因数提高到0．95。     

InSb磁敏电阻角位移传感器的研究

简单分析了InSb磁敏电阻的工作原理，讨论了利用偏置磁场作用于半桥磁敏电阻构成转动速度及位移传感器的测试原理；针对半导体材料对温度十分敏感的特点，提出了利用浮动零点跟踪技术测试齿轮转速的方法，并对其优缺点进行了讨论。     

形状记忆合金削加工性试验研究

通过切削试验认为，ＮｉＴｉ基记忆合金切削加工性差主要是因为切削温度高，刀具易磨损，故宜选用Ｋ类硬质合金作刀具材料，且存在最佳切削速度。     

冷热两股气流在圆管内掺混的速度场、温度场与辐射通量场的数值方法

用数值方法求解冷热两股轴对称平行射流在圆管内掺混的流场、温度场和辐射通量场。计算采用一种通用性的数值方法,其特点是强烈地以物理本质为基础,而不仅仅是单纯的数学推导。这样做,能方便地分析和解释计算结果,使之更真实地接近于实际。 通过计算,分析了当引射系数改变时,掺混的流场,温度场和辐射通量场的变化规律,其结果与实验数据比较一致。