梳状电容式微加速度计温度性能优化

零偏温度漂移是影响高精度MEMS加速度计整体性能的关键指标，敏感结构机械零位的温度漂移和电路零位(电容检测电路）的温度漂移是加速度计零偏温度漂移的直接原因。分析了影响加速度计零偏温度系数的3种主要影响因素，提出了某型加速度计伺服电路温度性能测试筛选方法，有效减小了电路零位的温度漂移。采用了全硅表头，同时对表头封装粘接方式进行优化，大幅减小了表头机械零位的温度漂移。经过这些优化措施后，加速度计的温度性能得到了明显改善，零偏温度系数由1.3mg/℃减小到0.5mg/℃，零偏的常温稳定性(1h）达到0.108mg，重复性(6次）达到0.141mg。     

用含硅芳炔树脂制备Ｃ/ Ｃ－ＳｉＣ 复合材料

以含硅芳炔树脂为先驱体ꎬ采用先驱体浸渍法(ＰＩＰ) 制备了Ｃ/ Ｃ－ＳｉＣ 复合材料ꎮ 首先通过炭化

Ｔ３００/ 含硅芳炔树脂(ＣＦＲＰ)制备了多孔Ｃ/ Ｃ－ＳｉＣ 预制体ꎬ并探究了炭化工艺对所得多孔Ｃ/ Ｃ－ＳｉＣ 预制体性能

的影响ꎬ制得的多孔Ｃ/ Ｃ－ＳｉＣ 预制体弯曲强度为９８ ＭＰａꎻ然后以含硅芳炔树脂溶液为浸渍剂ꎬ浸渍多孔Ｃ/ ＣＳｉＣ

预制体ꎬ经过４ 次浸渍、固化、炭化后ꎬ得到致密的Ｃ/ Ｃ－ＳｉＣ 复合材料ꎬ其弯曲强度提升到２０３ ＭＰａꎬ同时用

ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ 等手段表征了复合材料的微观结构ꎬ所得Ｃ/ Ｃ－ＳｉＣ 复合材料主要成分为β－ＳｉＣ 及无定型碳ꎮ

     

基于MAX1452的硅压阻压力传感器数字补偿设计与拟合分析

随着现代科学与技术的高速发展,高精度传感器的应用日趋成熟。MAX1452作为一种高度集成的模拟传感器信号处理器,具有16引脚SSOP封装、全模拟信号通道、低功耗、温度范围宽等特点,可用于硅压阻压力传感器的数字补偿。硅压阻压力传感器输出的信号经过MAX1452校准补偿版输出模拟信号,再经过A/D转换器输出数字信号,在这个过程中,MAX1452全模拟信号通道没有引入量化噪声,利用16位DAC实现数字化校正,16位DAC对信号的偏移量和跨度进行校准,实现硅压阻压力传感器的数字补偿。     

脉冲调制输出的CMOS集成硅气体流量传感器

现已研制成功一种具有脉冲调制输出的单片集成热式气体流量传感器,其输出脉冲宽度比和流速有关。制造这种传感器时,除使用EDP各向异性刻蚀剂制作传感器外形之外,其余均采用标准的CMOS工艺。传感器的加热部分和非加热部分之间用聚酰亚胺隔热。传感器具有内部气体温度补偿装置。在2～30m/s流速范围内,传感器的灵敏度为0.03m/s。按传感器的设计。本传感器也适合于双线式结构形式     

2,6—二（5—叔丁基邻羟基苄基）—4—叔丁基苯酚合成方法的改进

本文以改进的方法通过二步合成了２,６－二（５－叔丁基邻羟基苄基）－４－叔丁基苯酚,在第一步,由对叔丁基苯酚和甲醛在碱性条件下合成２,６－二羟甲基－对叔丁基苯酚,产物未作完全纯化直接用于第二步反应;第二步反应以对甲苯磺酸作催化剂,与文献相比,总产率由１８％提高至４３％,处理更容易。     

五维光电位置传感器的研究初探

为克服研制磁悬挂天平电感式位置传感器的不足，继而又研制了五维光电位置传感器。它除了改善信号采集的方式外，还可以在控制绕组中使用ＰＷＭ供电方式，降低装置的功耗。本文介绍了这种传感器的工作原理，同时给出了用ＣＣＤ线阵列做传感器的方法。     

基于MCA7707的智能传感器补偿系统(英文)

讨论了一种基于 MCA770 7的智能传感器补偿系统。该系统可以补偿传感器 (特别是硅压阻传感器 )温度误差的线性部分和高阶非线性部分。通过该芯片的补偿 ,可以使硅压阻式传感器的重复性误差小于 0 .2 %。该系统能够自动地记录和计算各项补偿系数 ,从而大大地简化了补偿的工作量。为了方便操作 ,系统还设计了向导式的工作界面。     

高速冲液脉冲放电制备纳米硅球

通过Ansys对单脉冲放电过程进行温度分布仿真时发现,当脉宽很小时,汽化体积所占比例很高,即材料利用率较高,但是产率较低;而加大脉宽时,产率较高,但是汽化比例较低。为综合两者的优势,利用大脉宽加工,使放电通道移动。仿真结果表明,相对于放电通道静止,其在材料利用率和产率上都有了大幅度提高。当在加工中引入高速冲液时,实验表明其能促使放电通道发生漂移,收集产物后称量、计算,其产率达到了1g/h。     

电视导引头图像闪烁故障分析

针对电视导引头存在的“图像闪烁”故障，重点分析了故障的常发生部位，如硅靶管、CCD、图像处理电路和电视摄像机光圈等，并从故障部位的结构特点和工作原理入手，详细阐述了故障产生的原因、机理以及排故方法，为同类故障的修理提供参考。