卫星TDICCD相机非沿轨成像仿真方法

传统的TDICCD相机沿轨成像模式只需要调整偏流角和卫星飞行速度决定的积分时间,而TDICCD相机非沿轨成像则需要更加复杂的姿态和积分时间控制。对TDICCD相机非沿轨成像进行仿真,有助于了解其工作原理,并有针对性地研发数据处理方案。文章实现了卫星TDICCD相机对非沿星下点轨迹方向条带目标成像的两种仿真方法。一是"南北方向"成像仿真方法,另一种是"摆扫"成像仿真方法。推导了这两种成像在星下点成像和偏离星下点成像两种条件下TDI积分时间和姿态运动的计算方法。通过多级积分条件下的靶标成像效果和成像范围验证了所述方法的正确性和通用性。     

氧化镍电致变色薄膜及其器件的制备与性能研究

以氧化铟锡（ITO）玻璃为基底，采用直流反应磁控溅射法在室温环境下制备了高透过率调制的NiO_x薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子电镜 （SEM）、紫外可见分光光度计（UV 3600）对薄膜进行分析和表征，研究溅射过程中氩氧比、气压、功率对薄膜结构、形貌及电致变色性能的影响。结果表明：制备的NiO_x薄膜表面有明显的结晶颗粒及孔隙，并沿（200）晶面择优生长；随着气压、功率、氧分压的增大，透过率调制先增大后减小，在时间为45 min、溅射气压4.9 Pa、氩氧比113∶7、功率215 W时最高可达58.3%，着褪色响应时间分别为9和19 s，相应的着褪色效率分别为77.56和40.39 cm²/C；以最优工艺的NiO_x薄膜组装了结构为Glass/ITO/NiO_x/Li-electrolyte/WO₃/ITO/Glass的电致变色器件，器件在550 nm处的光调制幅度为46.5%，着褪色时间分别为27和45 s，相应的着褪色速率为1.5和0.9 %/s，在循环500次后透过率调制保持在40%以上。     

民用飞机第25.865条要求及符合性验证研究

基于国内外运输类飞机针对适航标准第 25. 865 条的符合性现状,结合飞机在着火情况下一定时间内的操纵和安全飞行需要,在分析易受飞机着火影响的飞行安全关键部件防火要求的基础上,即位于指定火区或邻近指定火区内必需的飞行操纵器件、发动机架和其它飞行结构,如发动机安装节、邻近发动机舱或 APU 舱的主飞控部件等,必须用防火材料制造或用防火材料屏蔽,使之能至少承受 15 min 的着火影响,提出了第 25. 865 条的适航解析要求和符合性验证方法。 开展了对第 25. 865 条的制定背景、技术要求及符合性验证方法的研究,包括适航要求的解析,防火的定义解读,防火材料和非防火材料的符合性验证思路,及对关键飞行操纵器件、屏蔽、冗余和气弹稳定性等方面的着火评估,形成了第 25. 865 条的适航技术要求和符合性验证方法,可为运输类飞机针对第 25. 865 条的适航性设计和符合性验证提供参考。     

14 nm pFinFET器件抗单粒子辐射的加固方法

为探究先进互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺在空间应用中的可靠性问题，研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明：加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时，抗辐射加固的性能最好，SET脉冲宽度降低程度可达40%左右；然而，当处于反偏状态时，由于特殊的电荷收集过程的存在，使得SET脉冲幅度反而会明显增大，脉冲宽度减小程度并不明显。此外，还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响，得到提高抗SET效果的加固方法。     

中航工业雷达与电子设备研究院

<正>中航工业雷达与电子设备研究院于2004年3月由中国航空工业第六○七研究所和苏州长风有限责任公司整合成立,在无锡和苏州分设研发中心和生产试验基地,是集机载雷达、显示器等航空电子设备研发、试验、制造为一体的科技先导型研究院,业务范围覆盖了政府系统和商用系统两大领域,涉及综合监视系统、机载雷达、座舱显示器、广播电视网络传输设备、专用传感器件等众多产品。     

电子产品中铅焊接金脆问题浅析

针对航天电子产品广泛采用的Sn-Pb焊料在镀金表面焊接形成焊点的工艺,分析了工业及国内外航天相关标准文件中对焊接后焊点中含金量的要求以及焊点含金量、时效、器件不同封装形式对焊点可靠性的影响,并深入分析了合金焊点金相组织结构,最后介绍了一般去金工艺要求与去金不到位而导致器件失效案例。     

摆动喷管与惯性器件超谐波耦合仿真研究

摆动喷管具有大惯量和强非线性特征，存在与惯性器件耦合的风险。建立了从指令输入到惯性器件响应输出的控制回路开环传递特性模型，用有限元方法模拟了摆动喷管非线性特征，发现了摆动喷管与惯性器件的超谐波共振耦合效应，同时讨论了几种改进措施的有效性和可行性，发现对作动器反馈信号进行幅值调制来降低耦合效应效果明显且易于应用实现。     

SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析

应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁（SEB）风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施，文章利用半导体工艺器件仿真（TCAD）对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析，发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时，通过仿真获得器件微观电参数分布特性，分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度（5.4 MV/cm和4.2 MV/cm）超过SiC材料击穿场强（3 MV/cm）。此外，针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域，提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路，并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。     

氮化镓毫米波功放技术发展

氮化镓(GaN)毫米波功放器具有工作频率高、输出功率大、功率转换效率高等优势，在新一代移动通信、高分辨毫米波成像雷达等领域具有广阔的应用前景。本文综述了国内外GaN毫米波功率器件发展历史和低损耗栅结构、短沟道抑制技术、寄生电阻抑制技术等关键技术特点，综合分析了适合Ka-W波段GaN单片毫米波集成电路(MMIC)功放的架构和设计方法，提出了未来我国在高效率、高功率、高频带、多功能集成GaN毫米波芯片领域开展更深入研究的建议。