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31.
气膜冷却流场的实验研究和数值模拟的分析   总被引:3,自引:3,他引:3       下载免费PDF全文
用X型双丝热线探头对扇形气膜孔射流下游流场的测量结果表明,湍流因射流的注入而显著增强,并存在十分明显的各向非同性。传统的应力和速度梯度的涡粘关系仍然适用于气膜冷却流场,但应该在不同的方向上分别对湍流粘性系数进行修正。标准k-ε湍流模型可成功地模拟孔内流动和流向倾角α较小时的掺混气膜冷却流场,但在α较大时的孔中线附近区域内的流场模拟是不成功的,并导致冷却效率的模拟失败。  相似文献   
32.
用五孔探针对侧壁开有出流孔的通道流场进行了详细测量,着重研究出流孔上、下游截面内的流动规律,分析了错排孔对通道流场的影响。实验发现出流孔上游各截面内的流动沿流向呈加速趋势,其下游截面的流速先急剧减缓,然后逐渐加速直至下一出流。距孔最近的上游截面内气流明显向孔偏转,由于惯性作用,孔下游各截面内的二次流仍很显著。  相似文献   
33.
赵洪  吉士鸿 《推进技术》1989,10(4):26-33,80
本文针对液膜及气膜组合流动的特点,提出了组合薄膜流动的“四层式流场物理模型”.根据所做简化、假设,对液膜区流场结构及冷却效果进行了理论计算,并通过分析方法,对其紧接的气膜段流动及冷却效果进行了理论预估.试验的结果表明:液膜段的理论计算与试验数据基本相符.并从试验中发现了液膜蒸干后气膜段冷却的一些特点.这对研究液体冷却时液膜及气膜组合流动的冷却效果提出了可行的途径.  相似文献   
34.
蒋雪辉  赵晓路 《推进技术》2004,25(4):311-315
通过实验的方法研究了非定常尾迹对气膜冷却效率的影响,在平面叶栅实验台上安装了尾迹发生器,用来产生非定常尾迹。用热电偶测量了雷诺数5 04×104,1 08×105,斯托劳哈儿数0 04~0 18时气膜的绝热冷却效率,通过实验数据分析了非定常尾迹的宽度和扫过频率对气膜绝热冷却效率的影响。发现非定常尾迹通过两方面来影响气膜冷却效率,一方面是通过对气膜层的扰动来降低气膜冷却效率,另一方面是通过改变局部吹风比来影响气膜冷却效率。  相似文献   
35.
采用无机溶胶-凝胶法制备VO2相变薄膜,该薄膜相变时的电阻(率)突变可达4~5个数量级。并用XRD,DSC和TGA法研究了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构。通过适当的非晶晶化过程及随后V2O5→VO2转变的真空热处理,可获得带有空洞(void)结构的低密度纳米薄膜,从而使电阻(率)突变特性异常优异  相似文献   
36.
俄罗斯的航空用高强高韧铝合金   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文介绍了俄罗斯近年航空用高强高韧铝合金的发展概况。他们在合金发展中很重视韧性的提高。除了在工艺上采用高纯技术外,也很重视加入过渡族金属元素,特别是同时加入锆及钪收到了很好的效果。  相似文献   
37.
为了获得适用于高能CO2激光器的高抗破坏阈值高反薄膜,以10.6μm高反膜ZnSe/YbF3,PbTe/BaF2膜系为例,数值模拟了激光在高反介质膜中的传输的场特性;给出了激光在多层介质膜中的场强分布、温度场分布及热应力分布。结果表明硅镜基体上的PbTe/BaF2膜系所需膜层厚度小、膜层数少,反射率可高达99.98%。  相似文献   
38.
涡轮叶片表面气膜冷却效率的实验研究   总被引:1,自引:10,他引:1       下载免费PDF全文
采用放大的叶片模型,利用大尺寸低速线性叶栅风洞进行实验,测量了涡轮导向叶片表面不同位置单排气膜孔的气膜冷却效率,研究了孔排位置、吹风比及来流雷诺数的影响。风洞实验段由3个叶片组成,其中中间的叶片为试验叶片,由优质木材制成。试验叶片表面上开有15排气膜孔,其中吸力面3排,前缘区6排,压力面6排。实验的参数变化范围是:基于叶片弦长的来流雷诺数250000-450000,吹风比0.5-2.5。结果表明,由于气膜孔排位置的不同,其下游冷却效率受来流雷诺数及吹风比影响的变化趋势也有所不同。  相似文献   
39.
本文报道一种综合性能优良的改性双马来酰亚胺(BMI)型基体树脂。该树脂由MI与0,0'-二烯丙基双酚A等共聚而成,具有良好的工艺性,未固化树脂可溶于丙酮。固化物具有突出的韧性(G1c=203J/m^2)、较高的耐热性(HDT=255℃)及良好的湿/热稳定性(平衡吸水率为3.6%)。  相似文献   
40.
在HFCVD系统中施加栅极偏压和衬底偏压,采用双偏压成核和栅极偏压生长的方法成功制备了高质量的纳米金刚石薄膜.采用显微Raman高分辨率SEM和AFM等现代理化分析手段分析纳米金刚石膜的微结构,结果表明双偏压显著促进了金刚石的成核密度,平均晶粒尺寸在20 nm以内.试验观察和理论分析表明栅极偏压促进了热丝附近的等离子体浓度,提高了衬底附近的碳氢基团和氢原子浓度,提高了金刚石的成核密度、在保持晶粒的纳米尺寸的同时保持了较高的成膜质量和较低的生长缺陷.  相似文献   
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