重力梯度力矩作用下近地卫星自旋运动规律分析

为研究近地卫星自旋运动规律，建立了近地卫星在受摄动影响的轨道上运行并受重力梯度力矩作用下的姿态运动模型，推导了自旋角速率满足一定条件下自旋运动的进动角、章动角、自旋角的解析解，对重力梯度作用下的自旋姿态运动规律进行了仿真分析，并用仿真计算结果验证了解析解的正确性。在轨道面缓慢进动情况下，当卫星绕最大主惯量轴自旋时，给出了自旋角速率取值范围表达式，在该取值范围内卫星自旋运动能够跟随轨道面一起进动，自旋轴以恒定的平均角速率进动，章动角在小范围内波动。建立的自旋姿态运动模型和分析结论可用于近地卫星姿态失控后的姿态确定和预测、在轨姿态设计及在轨备份等。     

无纺布织物涂层的吸波性能

以无纺布为基材,采用叠层式结构制备无纺布织物涂层吸波材料。用3 cm波导测量系统在9.35GHz研究复合吸波剂(羰基铁粉和乙炔炭黑)含量和叠层结构对材料吸波性能的影响。结果表明,这种以无纺布为基材的吸波材料,通过控制吸波涂层的组成和设计合理的结构,增加入射电磁波与吸波材料的作用几率,可以改进材料的吸波性能并降低材料面密度。     

SiO2溶胶在电沉积法制备CuInS2薄膜中的作用

 针对目前电沉积法制备的CuInS2(CIS)薄膜存在S元素含量不足以及微观形貌差的问题,通过在普通镀液中加入SiO2溶胶,采用一步电沉积技术在ITO导电玻璃上制备Cu In S预制薄膜,镀液的主要组成为金属盐、硫代硫酸钠和不同浓度SiO2溶胶。在空气气氛中对Cu In S预制薄膜进行退火处理以获得多晶的CIS薄膜,并通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、能量色散谱仪（EDS）及开路电位对CIS薄膜的结构、形貌、成分组成及光响应性能进行研究。结果表明：SiO2溶胶浓度为4 mL/L时,得到的CIS薄膜的结晶度提高,同时,SiO2溶胶作用下得到的CIS薄膜的表面形貌、成分组成和光响应性能都得到改善。因此,镀液中加入SiO2溶胶有利于提高CIS薄膜的性能,尤其是浓度为4 mL/L时,性能提高得最为明显。     

民用飞机高升力系统设计载荷计算

民用飞机高升力系统是影响飞机起降性能的一个关键系统,根据高升力系统设计特点,探讨翼面气动载荷、驱动装置驱动能力、设备传动效率和阻力、卡阻、脱开故障与系统设计载荷关系,系统阐述由设计输入襟缝翼气动载荷计算高升力系统各设备的设计载荷计算流程,得到适用于工程应用的高升力系统载荷计算方法.     

用MLA理论构建航天测控设备集中监视系统

我国测控设备监控系统大多采用C/S(Client/Server,客户/服务器)模式,针对其存在的接口协议多样、监控元素差异大、不利于测控网的集中监控和信息共享等问题,基于多活性代理理论,提出在原有设备监控系统的基础上,通过增加测控设备监控信息接口协议转换、测控设备的集中管控代理、测控设备状态集中展示代理等功能,构建测控设备集中监视系统。具体描述了系统的体系架构、层次模型、运行环境、功能模型以及功能设计,分析了系统的活性保持及活性协调协商机制,从效率、时间、发展、成本等4个维度对系统的活性度量进行了计算和描述。该构建方法有利于提高整个系统的自动化能力,同时对复杂信息系统的构建也能起到一定的借鉴作用。     

SiO_2溶胶在电沉积法制备CuInS_2薄膜中的作用

针对目前电沉积法制备的CuInS_2(CIS)薄膜存在S元素含量不足以及微观形貌差的问题,通过在普通镀液中加入SiO_2溶胶,采用一步电沉积技术在ITO导电玻璃上制备Cu-In-S预制薄膜,镀液的主要组成为金属盐、硫代硫酸钠和不同浓度SiO_2溶胶.在空气气氛中对Cu-In-S预制薄膜进行退火处理以获得多晶的CIS薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)及开路电位对CIS薄膜的结构、形貌、成分组成及光响应性能进行研究.结果表明:SiO_2溶胶浓度为4 mL/L时,得到的CIS薄膜的结晶度提高,同时,SiO_2溶胶作用下得到的CIS薄膜的表面形貌、成分组成和光响应性能都得到改善.因此,镀液中加入SiO_2溶胶有利于提高CIS薄膜的性能,尤其是浓度为4 mL/L时,性能提高得最为明显.     

载荷作用下5A06铝合金焊接试样的腐蚀敏感性

针对5A06铝合金焊接对腐蚀敏感性的影响,研究了载荷作用下的不同焊缝方向（垂直、穿越）的5A06铝合金试样在50℃的3.5% NaCl溶液中的腐蚀行为的影响和焊接接头的电化学腐蚀行为。结果表明,经过110 d的盐水溶液浸泡后,2种焊缝试样均是热影响区首先发生腐蚀,表面的腐蚀坑两侧由于材料组织的不同分别呈台阶式和韧窝状。穿越焊缝试样应力腐蚀敏感性较低,腐蚀坑顶端应力集中,有滑移台阶;垂直焊缝试样应力腐蚀敏感性较高,腐蚀坑沿焊缝贯穿试样表面,腐蚀坑两侧呈平行撕裂状态。电化学极化曲线表明,热影响区、母材区和焊缝区的自腐蚀电位分别为-1.369、-0.791和-0.740 V。