利用多齿分度盘测量角度块

角度块是一种精密的单值角度计量器具，在角度量值传递和生产中应用十分广泛，角度块的检定也是许多计量机构承担的工作。目前专门用于角度块检定的仪器一般在50～100万元左右，对很多单位来说，这是一笔不小的费用。利用多齿分度盘，加上自准直仪组成测角装置进行角度块检定，即经济又实用。     

基于滑动滤波技术的激光陀螺评价方法

激光陀螺是一种以量化脉冲的形式输出角增量的数字传感器，量化误差如同白噪声一样影响着激光陀螺的测试精度。为了准确评价激光陀螺的性能，减少量化误差对激光陀螺测试数据的影响，本文应用滑动滤波技术对激光陀螺采样数据进行滤波处理，理论分析及实验结果表明，该方法有效地降低了量化噪声从而实现了对激光陀螺的准确评价。     

基于视线角序列的机动目标视线角速率计算

 依据拦截弹与机动目标间的相对位置关系，采用导引头球面模型，基于当前统计模型，实现了强跟踪状态自适应滤波，计算出了可用于制导的视线角速率。该算法利用导引头球面模型，将测角信息转换成距离信息，进行方差自适应调整和卡尔曼滤波。在只给出视线角序列信息的情况下，根据相对状态滤波结果求出所需的视线角速率。     

超燃冲压发动机燃烧室的准一维计算与分析

在考虑有限速率化学反应的准一维Euler方程基础上，通过增加截面面积变化、壁面摩擦和添质的源项，发展了适用于超燃燃烧室性能分析的准一维计算方法。依次以中国空气动力研究与发展中心（CARDC）和日本国家航空与航天实验室（NAL）的氢燃料燃烧室模型作为验证算例，分别采用传统的一步反应模型和发展的有限速率反应模型，模拟了燃烧室流场，并基于NAL燃烧室，计算分析了不同当量比和进口压强对燃烧室流动特性的影响。结果表明：两种方法都能得到与实验数据吻合良好的结果；和一步反应模型相比，有限速率反应模型不仅可以更细致地捕捉流场细节，而且能够初步分析化学非平衡效应的影响；对于NAL燃烧室，当量比≥0.6时，压强随当量比的升高而增大，当达到1.0时，反压已推进隔离段，且推进速度随当量比增大而增加；进口压强不大于110.444kPa时，反压随进口压强增大而升高，且当反压不小于82.833kPa时，反压被隔离在等直段燃烧室入口处；过小的当量比和过大的进口压强均会导致燃烧室出口马赫数严重下降，甚至出现亚声速出流状态。     

N5A飞机失速警告器的安装与校准

探讨失速警告器的选位安装与校准问题。失速警告器的选位安装与校准均由试飞实验确定。提出了如何调整失速警告器安装位置和安装角的指导性原则,论述了用表速计量失速预警速度的理由。     

利用高速采集系统实现角速度波动的测量

利用自行研制的高速采集系统,通过测量和数据处理软件来实现角速度波动信号的采集和处理,利用定时测角原理实现瞬时角速度的测量,并通过实验验证了该方法的可行性.     

再入式光纤陀螺实用化技术研究

再入式光纤陀螺（Re—FOG）使相互干涉的两路光循环进入光纤环，通过缩短光纤长度克服温度和应力引起的误差。本文研究了再入武光纤陀螺实用化的相关技术；提出了一种采用脉冲相位调制的信号检测方法；设计了专门的数据通讯模块。实验结果表明：所提出的信号检测方法可分离出所需循环次数的信号并解算出陀螺转速；所设计的通讯模块能保证实现陀螺与导航计算机之间的快速、稳定、准确的数据传送。再入式光纤陀螺可成为实用化的新型光纤陀螺。     

钝锥有攻角分离流动的数值模拟及其分析

本文定性分析了开式分离的性状,并对钝锥有攻角超声速绕流的开式分离作了数值模拟。分析指出,开式分离可能存在两种形态,第一种分离线的起点为正常点,第二种分离线的起始为鞍、结点(包括螺旋点)的组合。对于第一种形态,分离线的起点是横向分离的起始点,除分离线外,分离面上的流线不是从分离线的起点发出的。对文中计算的情况,流动属第一种开式分离。计算证实了定性分析的结论。计算和分析均指出,对第一种开式分离,在分离的起始区域,分离流面尚未卷曲,但在下游,则变成卷曲面。文中还研究了围绕物体的流管在分离诱导下的变形情况。     

地炮弹丸攻角靶场测量精度要求的探讨

本文在论证比对基础上选取了弹丸气动参数辨识模型及弹道研究模型，并以某１５５ｍｍ榴弹为例，研究弹丸气动参数，攻角姿态及其测量误差对弹道特性与射表精度的影响，进行了大量对比计算和分析，据此对纸靶、太阳方位角传感器等攻角测量系统初步提出了较明确的测量度要求。     

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。