氧化物陶瓷基复合材料研究进展

从基体和纤维的选择、制备工艺等几方面综述了国内外氧化物陶瓷基复合材料的研究现状，着重阐述了溶胶-凝胶法、化学气相渗透法、反应熔体浸渗法、先驱体浸渗热解法、电泳沉积法、浆料浸渗热压和浆料浸渗结合氧化物先驱体浸渗热解法等氧化物基复合材料制备工艺原理及其优缺点。并提出了发展氧化物陶瓷基复合材料应解决的关键问题。     

高温诱波材料研究进展

对高马赫数飞行器用高温透波材料的性能要求进行了评述,分析了不同体系高温透波材料的增强模式、力学性能以及电气性能。在此基础上,提出了高温透波材料的发展方向。     

多孔陶瓷蒸发腔火焰稳定性研究

对陶瓷蒸发腔稳定器用于模型加力燃烧室的火焰稳定进行了初步的实验研究及分析。结果表明：由于陶瓷材料的多孔性质，不仅对燃油有很强的吸附及参透能力，而且可以大在改善燃油的蒸发条件，加快化学反应速度。因此，与金属稳定器相比，陶瓷蒸发腔稳定器具有火焰稳定范围，再点火性能好及能减弱或消除振荡烧等特点。性能占明显优势，但强度可靠性有特进一步考验。     

Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺

采用MOCVD法,通过金属有机先驱体Y(TMHD)3与O2反应在石英或CVD-SiC基片上制备Y2O3涂层,探索了制备工艺对沉积结果的影响.结果表明,先驱体气相浓度对Y2O3涂层生长方式和涂层与基片的结合强度有很大影响;沉积温度在600℃～700℃范围内,随着温度的升高涂层致密度提高,空洞缺陷减少.     

C/SiC复合材料液相渗透连接应力的数值模拟与验证

采用有限元和试验两种方法研究了复合材料孔隙率对在线液相渗透连接接头残余应力的影响.利用ANSYS有限元分析软件,建立了计算2D及3D-C/SiC复合材料连接接头残余应力的有限元几何、物理模型,分析了复合材料中孔隙率对连接接头残余应力的影响.同时,通过试验测试了不同孔隙率对连接强度的影响,其试验结果与计算结果一致,证明了所提出的计算方法的正确性.     

C／SiC复合材料与Nb的液相渗透连接

研究了不同编织方法的C/SiC复合材料与金属Nb的连接情况。采用液相渗透连接方法以Ni基连接剂为中间层在1300℃、保温时间45min、压力20MPa、真空条件下分别对二维、三维C/SiC复合材料与金属Nb进行了连接。结果表明二维C/SiC复合材料与金属Nb不能得到较好的连接,整个连接件在由连接温度降温到室温过程中已发生脱离现象;而三维C/SiC复合材料与Nb金属连接良好。     

氮化硅颗粒预制体的设计及其制备

设计了一种与纤维预制体有类似孔隙结构的颗粒预制体微结构.裂纹穿越具有此种微结构的复合材料时将延长裂纹途径和吸收裂纹能量,达到复合材料强韧化的目的.采用团聚模压法制备具有此种微结构特征的氮化硅基复合材料的颗粒预制体有利于后期的CVI过程.     

CVI制备的Si3N4p/Si3N4复合材料及其性能

以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法制备Si3N4p/Si3N4复合材料.试样主要成分为α-Si3N4和非晶沉积物,并有微量的β-Si3N4和晶体Si.SEM和光学显微图片表明颗粒团间气孔偏大,Si3N4颗粒和CVI Si3N4之间界面弱结合,导致试样的弯曲强度最高只有71MPa.     

化学气相渗透制备氧化硅基复合材料

 以正硅酸乙酯为氧化硅先驱体,以 Nextel4 80纤维三维编织体作为沉积载体,采用化学气相渗透的方法制备了 Nextel4 80 /氧化硅复合材料。研究了正硅酸乙酯温度和沉积温度对沉积速率和渗透效果的影响,分析了沉积过程中产生瓶颈效应和固相粉末的原因以及沉积产物的相和复合材料的显微结构。结果表明 :1沉积速率随正硅酸乙酯温度和沉积温度的升高而显著升高;2瓶颈效应是由于正硅酸乙酯浓度过高,导致沉积速率过快引起的;3固相粉末是因为沉积温度过高,正硅酸乙酯分子或分解的过渡产物在到达沉积区域前已经完全分解引起的;4正硅酸乙酯为先驱体的化学气相沉积产物为无定型氧化硅;5化学气相沉积获得的无定型氧化硅基体与纤维有较佳的热匹配。     

短环燃烧室流量分配的计算与研究

介绍了短环燃烧室流量分配的计算方法和程序，指出了该方法的特点，即将计算战面移到了压气机出口，引入了扩压器的计算，考虑到帽罩的存在对头部进气量进行了修正。同时提供了一些新的经验关系式，并对其应用前景做了评价。